绝缘栅双极型晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术是关于一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，提供一种带有设置于Ｐ型集电区（１１）和Ｐ型（基区）之间（１４）的Ｎ型缓冲区ＩＧＢＴ（１０）。该缓冲区（１２）中使用砷作为Ｎ型杂质。该缓冲区（１２）具有相对较高的掺杂浓度，等于或大于５×１０↑［１７］ｃｍ↑［－３］，并且具有相对较小的厚度，约为２μｍ～１０μｍ。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，以下简称为IGBT)具有场效应晶体管的高输入阻抗和双极晶体管的高电流驱动能力，特别适合作为电源开关器件使用。IGBT存在的问题是，随着流过器件电流密度的增加，寄生晶闸管导通，可能会使器件进入闭锁(latch-up)状态，从而导致器件的损坏。为了抑制闭锁的发生，未经审查的日本专利申请(公开号H5-55583)公开了一种带有一缓冲区结构的器件。现有带缓冲区的IGBT包括一半导体衬底、一集电极、一发射极、一栅极绝缘层和一栅极。半导体衬底包括一P型集电区、一设置于该集电区的N+型缓冲区、一设置于该缓冲区上并且掺杂浓度低于N+型缓冲区的N型基区、一设置于该N型基区表面区域的岛状P型基区，和一设置于该P型基区表面区域的岛形N型发射区。集电极与集电区电气连接，发射极与发射区电气连接。栅极形成于P型基区之上，并通过栅极绝缘层夹在N型基区和发射区之间。现有IGBT中的缓冲区具有优化(抑制)由集电区向N型基区注入的空穴并防止闭锁的能力。当N型基区直接形成于集电区而没有缓冲区时，由集本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于其包括：一Ｐ型集电区（１１）；一Ｎ型缓冲区（１２），其形成于所述Ｐ型集电区（１１）之上；一Ｎ型基区（１３），其形成于所述Ｎ型缓冲区（１２）之上并具有低于所述Ｎ型缓冲区（１２）的掺杂浓 度；一Ｐ型基区（１４），其形成于所述Ｎ型基区（１３）的一表面区域内；和一Ｎ型发射区（１５），其形成于所述Ｐ型基区（１４）的一表面区域内，其中，所述Ｎ型缓冲区（１２）含有作为Ｎ型杂质的砷，其掺杂浓度等于或大于５×１０↑ ［１７］ｃｍ↑［－３］，并且厚度为２μｍ～１０μｍ。

【技术特征摘要】
JP 2003-11-20 2003-3909681.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于其包括一P型集电区(11)；一N型缓冲区(12)，其形成于所述P型集电区(11)之上；一N型基区(13)，其形成于所述N型缓冲区(12)之上并具有低于所述N型缓冲区(12)的掺杂浓度；一P型基区(14)，其形成于所述N型基区(13)的一表面区域内；和一N型发射区(15)，其形成于所述P型基区(14)的一表面区域内，其中，所述N型缓冲区(12)含有作为N型杂质的砷，其掺杂浓度等于或大于5×1017cm-3，并且厚度为2μm～10μm。2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于其中所述的N型缓冲区(12)不接受电子辐照。3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于其中所述的N型缓冲区(12)内的N型杂质的掺杂浓度高于所述P型集电区(11)内P型杂质的掺杂浓度。4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于其中所述的N型缓冲区(12)是由一外延生长层构成的。5.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于其包括一P型集电区(11)；一N型缓冲区(12)，其形成于所述P型集电区(...

【专利技术属性】
技术研发人员：鸟居克行，高桥良治，
申请(专利权)人：三垦电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]