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本发明是关于一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，提供一种带有设置于Ｐ型集电区（１１）和Ｐ型（基区）之间（１４）的Ｎ型缓冲区ＩＧＢＴ（１０）。该缓冲区（１２）中使用砷作为Ｎ型杂质。该缓冲区（１２）具有相对较高的掺杂浓度，等于或大于５×１０↑［...
该专利属于三垦电气株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三垦电气株式会社授权不得商用。

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