一种大功率LED倒装芯片封装用荧光膜粘接剂制造技术

一种大功率LED倒装芯片封装用荧光膜粘接剂，其包括以下重量份的原料：甲基乙烯基含氢有机硅树脂100份、改性触变剂0.5

【技术实现步骤摘要】
一种大功率LED倒装芯片封装用荧光膜粘接剂


[0001]本专利技术涉及一种大功率LED倒装芯片封装用荧光膜粘接剂及制备方法，属于半导体发光芯片封装应用材料


技术介绍

[0002]随着LED封装技术逐步成熟，单颗芯片功率越来越大，封装集成度越来越高，对于封装器件的散热要求也越来越严苛，而传统的正装芯片无法满足大功率高集成度封装的散热的要求。芯片企业纷纷开发更具散热及光效优势的倒装结构芯片，使用锡膏或者共晶焊接，大大提升芯片工作过程中热量的传导，降低芯片工作结温。同时芯片正面无需做金电极，可以进一步提升芯片光效，从而大大提升封装器件的性能。
[0003]传统正装芯片是通过绝缘底胶固晶粘接后，利用金丝球焊机将正负极与支架通过金线、合金线或者铜线连接起来，再将支架杯碗内点上混合荧光粉的灌封胶，从而制备成为发光器件。相比而言倒装芯片可利用芯片级封装技术(Chip Scale Package简称CSP)封装光源器件，无需使用支架，器件体积大大降低，封装密度可大幅提升，再将器件通过锡膏或者共晶焊接于线路板上，导热性相较于正装芯片利用绝缘底胶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率LED倒装芯片封装用荧光膜粘接剂，其特征在于包含：甲基乙烯基含氢有机硅树脂100份、改性触变剂0.5
‑
1.5份、增粘剂1
‑
3份、催化剂0.2
‑
0.5份、复合抑制剂0.5
‑
1.0份，所述有机硅树脂为MDQ型聚硅氧烷，其中分子式中各结构单元的摩尔比满足1＜n[M]:n[D+Q]＜2，n[D]＞n[Q]，其中M、D、Q的结构分别为R3SiO
1/2
、R2SiO、SiO2(R为其他官能团)，分子量为1000
‑
3000、乙烯基质量分数为3
‑
5％，氢含量质量分数为0.15
‑
0.25％，具体分子结构式(1)如下：[(CH3)3SiO
0.5
][(CH3)2(CH2＝CH)SiO
0.5
][(CH3)2SiO][CH3(H)SiO][SiO2]
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(1)。2.根据权利要求1所述的一种大功率LED倒装芯片封装用荧光膜粘接剂，其特征在于：所述甲基乙烯基含氢有机硅树脂的分子链段上，同时嫁接有乙烯基和硅氢键，乙烯基和硅氢键在一定条件下能够实现加成反应...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈高，马飞，孙璇，
申请(专利权)人：南京科矽新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：