一种抑制静电释放的光罩及其制作方法技术

本申请实施例公开了一种抑制静电释放的光罩及其制作方法，该光罩包括：基板；第一导电层，所述第一导电层位于基板第一表面，并被刻蚀成特定图形；第二导电层，所述第二导电层覆盖所述第一导电层以及所述基板第一表面，使得第一导电层中相邻且不相连的线路能够导通，从而当光罩的第一导电层存在静电时，能够使得所述光罩中的所述第一导电层中相邻且不相连的线路中的静电发生中和，消除掉所述第一导电层中相邻且不相连的线路中的大部分静电，从而有助于消除所述光罩的所述第一导电层中相邻且不相连的线路上的大部分静电，抑制所述光罩发生静电释放，有助于避免光罩上的图形由于发生静电释放被破坏，有助于保证光罩的可靠性。有助于保证光罩的可靠性。有助于保证光罩的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种抑制静电释放的光罩及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种抑制静电释放的光罩及其制作方法。

技术介绍

[0002]微影制程技术是指以光源、电子束或离子束，经由光罩对晶圆上的阻剂进行照射，使得晶圆上的阻剂极性变化，再经显影，将光罩上的特定图形转移到晶圆上，形成芯片，使得光罩的可靠性对形成的芯片的质量具有至关重要的作用。
[0003]通常情况下，光罩的组成包括玻璃基板以及位于基板上具有特定图形的金属导电层。当光罩的金属导电层由于某种原因存在静电积累时，由于玻璃基板为绝缘体，不能够将积累的静电导离，当积累的静电强度达到一定程度时，会发生静电释放，破环光罩上的金属导电层的图形，进而损坏光罩。因此，提供一种能够抑制静电释放的光罩，成为了本领域技术人员的研究重点。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种抑制静电释放的光罩，该光罩能够消除光罩上积累的绝大多数静电，防止光罩积累过多的静电，抑制静电释放，有助于避免光罩上的图形由于发生静电释放被破坏，进而有助于保证光罩的可靠性。
[0005]为解决上述问题，本申请实施例提供了如下技术方案：
[0006]一种抑制静电释放的光罩，包括：
[0007]基板；
[0008]第一导电层，所述第一导电层位于所述基板第一表面，并被刻蚀成预设形状，其中，所述第一导电层为金属导电层；
[0009]第二导电层，所述第二导电层覆盖所述第一导电层以及所述基板第一表面，其中，所述第二导电层为导电薄膜。
[0010]可选的，所述第二导电层的电阻率小于1
×
10
‑3Ω
·
cm，所述第二导电层的透光率不低于80％。
[0011]可选的，所述第二导电层的厚度的取值范围为100埃～1000埃，包括端点值。
[0012]可选的，所述第二导电层的材料为SnO2、In2O3、ZnO中的一种。
[0013]可选的，所述基板为玻璃基板，所述基板的透光率不低于80％。
[0014]并且，本申请还提供了一种抑制静电释放的光罩的制作方法，包括：
[0015]在所述基板第一表面形成具有预设形状的第一导电层，其中，所述第一导电层为金属导电层；
[0016]形成第二导电层，所述第二导电层覆盖所述第一导电层以及所述基板第一表面，其中，所述第二导电层为导电薄膜。
[0017]可选的，在所述基板第一表面形成具有预设形状的所述第一导电层包括：
[0018]在所述基板第一表面形成导电材料层，刻蚀所述导电材料层，形成具有预设形状
的所述第一导电层。
[0019]与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
[0020]本申请实施例提供的技术方案包括：基板；第一导电层，所述第一导电层位于所述基板第一表面，并被刻蚀成预设形状，以将所述第一导电层刻蚀成预设图形，其中，所述第一导电层为金属导电层；第二导电层，所述第二导电层覆盖所述第一导电层以及所述基板第一表面，其中，所述第二导电层为导电薄膜，所述导电薄膜具有导电能力，从而所述光罩中的所述基板表面以及所述第一导电层表面覆盖一层具有导电能力的导电薄膜。已知现有光罩的基板为绝缘体，使得现有光罩的金属导电层的线路图中的相邻且不相连接的线路之间不能导通，从而使得当光罩的金属导电层存在静电时，该光罩的金属导电层中相邻且不相连的线路会发生积累静电。由于现有光罩的金属导电层的线路图中的相邻且不相连接的线路之间不能导通，从而当光罩的金属导电层中相邻且不相连的线路会发生积累静电时，光罩的金属导电层中相邻且不相连的线路上积累的静电不能够被消除或泄出，会在所述金属导电层上逐渐积累增多，当静电积累到一定程度，金属导电层中相邻且不相连的线路之间便会发生静电释放，破坏光罩的金属导电层的图形，进而损坏光罩。
[0021]而本申请实施例所提供的光罩具有覆盖所述基板第一表面以及所述第一导电层的第二导电层，所述第二导电层具有导电能力，使得所述第一导电层中相邻且不相连的线路能够导通，从而当光罩的金属导电层中相邻且不相连的线路会发生积累静电，并且所述第一导电层中相邻且不相连的线路中前一个线路呈现负极性，后一个电路呈现正极性时，前一个线路中的负电荷将会通过所述第二导电层传输到后一个线路中，与后一个线路中的正电荷相中和，当所述第一导电层中相邻且不相连的线路中前一个线路呈现正极性，后一个电路呈现负极性时，后一个线路中的负电荷将会通过所述第二导电层传输到前一个线路中，与前一个线路中的正电荷相中和，从而能够实时消除掉所述第一导电层中相邻且不相连的线路中的大部分静电，有助于实时消除所述光罩的所述第一导电层中相邻且不相连的线路上的大部分静电，抑制所述光罩发生静电释放，有助于避免光罩上的图形由于发生静电释放被破坏，有助于保证光罩的可靠性。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1～图2为现有的一种光罩制作方法不同工艺步骤后形成的结构剖视图；
[0024]图3为现有的一种光罩制作方法制得的光罩发生静电释放的示意图；
[0025]图4为本申请实施例提供的一种抑制静电释放的光罩的结构示意图；
[0026]图5为本申请实施例提供的另一种抑制静电释放的光罩的结构示意图；
[0027]图6为本申请实施例提供的一种抑制静电释放的光罩的消除静电的示意图；
[0028]图7为本申请实施例提供的一种抑制静电释放的光罩的制作方法的流程图。
具体实施方式
[0029]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0030]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
[0031]其次，本申请结合示意图进行详细描述，在详述本申请实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本申请保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
[0032]正如
技术介绍
部分所述，提供一种能够抑制静电释放的光罩，成为了本领域技术人员的研究重点。
[0033]微影制程是指以光源等经由光罩对晶圆上的阻剂进行照射，将光罩上的特定图形转移到晶圆上，形成芯片，使得光罩上的特定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抑制静电释放的光罩，其特征在于，包括：基板；第一导电层，所述第一导电层位于所述基板第一表面，并被刻蚀成预设形状，其中，所述第一导电层为金属导电层；第二导电层，所述第二导电层覆盖所述第一导电层以及所述基板第一表面，其中，所述第二导电层为导电薄膜。2.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述第二导电层的电阻率小于1
×
10
‑3Ω
·
cm，所述第二导电层的透光率不低于80％。3.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述第二导电层的厚度的取值范围为100埃～1000埃，包括端点值。4.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林锦鸿，
申请(专利权)人：泉意光罩光电科技济南有限公司，
类型：发明
国别省市：