【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及双极集成电路中的一种外延方法，尤其涉及一种。
技术介绍
外延和埋层隔离是双极集成电路中常用的工艺，埋层隔离后会在硅表面留下有一定图形的台阶，通常台阶高度为500-2000A。在外延生长后仍可以看到有一定图形的台阶，这样，就使得下一道工序掩模对准变得容易。然而，在实际外延生产中经常发生图形完整性较差的质量问题；有时会遇到图形漂移导致后来对准位置发生偏离，造成元件隔离不良，甚至短路，严重影响集成电路优品率和合格率；有时图形畸变或模糊，台阶高度太深或太浅，甚至图形消失，导致光刻无法对准爆光，严重干扰生产正常进行下去。图形漂移和畸变是外延工艺的缺陷。日本半导体专家西泽润一指出“关于外延生长条件对外延图形漂移和畸变的影响还没有较清楚的认识”我们查阅了有关文献，结果表明国外专家在外延温度，外延生长速率等生长条件对图形畸变的影响有着完全相反的观点。随着外延厚度的增加，图形畸变和图形漂移越来越严重，因此，国内单位对于较厚的外延层，常常采取多次外延和增加光刻对准记号的方法来解决上述问题。这种方法不但要增加工序和成本，而且还会影响合格率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，其可最大程度抑止图形畸变和图形漂移，且一次外延就可以完成。为了解决上述技术问题，本专利技术采用了下述技术方案过去图形漂移和畸变主要是指二维方向的缺陷，我们发现图形完整性应该是三维方向的概念，首次提出台阶高度参数问题，台阶高度是重要参数，它决定下一步光刻能不能正常曝光的重要判据。为了保证图形完整性，最佳外延生长工艺条件如下1)提高外延生长温度(1050-1250℃)2)降低外...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可保持图形完整性良好的厚外延方法，其特征在于，采用如下工艺条件A提高外延生长温度，所述温度为1050-1250℃；B降低外延生长速率，所述的速率为0.1u/min-2u/min。2.根据权利要求1所述的可保持图形完整性良好的厚外延方法，其特征在于，所采用的工艺条件还包括加大氢气流量，所述的氢气流量为100L/min-200L/min。3.根据权利要求1所述的可保持图形完整性良好的厚外延方法，其特征在于，所采用的工艺条件还包括减小炉内压力。4.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾庆光，
申请(专利权)人：上海贝岭股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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