显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种显示装置及其制造方法。测量形成于基板上的非晶质硅膜的平均膜厚，将激光照射到该非晶质硅膜，然后，测定由该照射进行了晶体化的多晶硅膜的粒径分布，根据多晶硅膜的２个点Ａ、Ｂ的粒径的测定值，计算出适当的激光照射能量密度值，然后，测量下一非晶质硅膜的平均膜厚，根据该平均膜厚与１个前的非晶质硅膜的平均膜厚计算出照射的能量密度值，将该能量密度值反馈到激光照射系。如上述那样，通过对应于形成在基板上的硅膜的膜厚控制此时应照射的激光照射能量，从而可在大型基板上沿基板整个面形成均匀的大粒径的多晶硅，结果，可在大面积形成多晶硅ＴＦＴ。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件(薄膜晶体管(TFT))等的。
技术介绍
在液晶显示装置中，作为成为驱动元件的薄膜晶体管(TFT)的活性层，多晶半导体膜比非晶半导体膜优良，这是因为载流子(在n沟道的场合为电子，在p沟道的场合为空穴)的移动度高，晶粒尺寸小，可实现高精细化。另外，通常的多晶硅TFT需要1000℃或其以上的高温处理，但在利用激光仅对半导体层进行退火不使基板成为高温的低温多晶半导体形成技术中，在可使用廉价的玻璃基板的低温处理中，可形成移动度高的TFT。该激光退火如图2所示那样在形成于液晶显示装置的基板7的前驱体膜的非晶质硅膜(非晶硅膜)71一边照射其吸收的光11一边扫描，从而使基板上的非晶硅膜全面多晶化，形成多晶硅膜72。作为前驱体膜，也可为其它非晶质半导体膜。如图3所示那样，该多晶硅粒径根据激光的照射能量密度(注量)变化(R1～R5)，所以，激光的稳定性反映到多晶硅的粒径分布。多晶硅膜的载流子移动度在该粒径越大时越高，为了获得面内均匀的高性能的TFT特性，需要使粒径分布均匀并保持大粒径。作为形成大粒径的条件，可使用图3的R4区域的注量，但在激光的不稳定性等使注量变高的场合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置的制造方法，具有：将光照射到形成于基板上的前驱体膜形成多晶膜的工序、测定上述多晶膜的面内粒径分布的工序、及调整上述光照射的能量密度的工序；其特征在于：根据上述面内粒径分布测定结果判定上述能量密度是适当还是过剩或不足，根据该判定结果调整上述能量密度。

【技术特征摘要】
JP 2003-12-25 428928/20031.一种显示装置的制造方法，具有将光照射到形成于基板上的前驱体膜形成多晶膜的工序、测定上述多晶膜的面内粒径分布的工序、及调整上述光照射的能量密度的工序；其特征在于根据上述面内粒径分布测定结果判定上述能量密度是适当还是过剩或不足，根据该判定结果调整上述能量密度。2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于上述光为从受激准分子激光器、固体激光器或其它激光器产生的光。3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于上述前驱体膜为非晶质硅膜或其它非晶质半导体膜。4.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于测定上述面内粒径分布的工序使用光衍射强度、拉曼光谱、SEM像、光学显微镜、光反射率、光散射强度、光载流子寿命中的任一个进行。5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于在上述前驱体膜照射光形成多晶膜的工序包含在基板上进行光的扫描的工序，调整上述光照射的能量密度的工序根据沿上述扫描方向的粒径分布调整沿上述扫描方向的能量密度的变化量。6.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于调整上述光照射的能量密度的工序根据光照射后的显示装置的粒径分布调整此后进行光照射的基板的能量密度。7.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于设置测定前驱体膜的膜厚颁的工序，根据上述膜厚分布决定光照射能量密度。8.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于上述前驱体膜为由CVD法形成的非晶质膜，测定上述膜厚分布的工序对在与照射光的基板相同的CVD室形成的参照用非晶质膜进行测定。9.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其特征在于调整上述光照射能量密度的工序在上述基板面内设定区域A和区域B，根据各区域的粒径判定能量密度是适当还是过剩或不足。10.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法，其特征在于进行上述区域A和区域B的设定时，在形成半导体膜的多片参照用基板照射不同的能量密度的...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口裕功，尾形洁，田村太久夫，后藤顺，斋藤雅和，武田一男，
申请(专利权)人：株式会社日立显示器，
类型：发明
国别省市：JP[日本]