一种非破坏无异味的弹坑实验方法技术

本发明专利技术涉及一种非破坏无异味的弹坑实验方法，其包括以下三个步骤：在常温下，将氢氧化钠固体放入烧杯，倒入去离子水调配出含量为20%的氢氧化钠溶液。（2）将晶圆PAD放置在显微镜下，用挑针将待测试弹坑实验的晶圆PAD表面的金线挑断，用滴管在晶圆PAD上滴2滴调配好的氢氧化钠溶液，静置20分钟。（3）用去离子水清洗晶圆PAD，将金线残留及晶圆保护层清洗干净，并用风枪将晶圆PAD吹干，将晶圆PAD放入显微镜下可观察弹坑实验效果。本发明专利技术操作简单，对晶圆PAD损伤较小，检验速度快，值得推广。值得推广。

【技术实现步骤摘要】
一种非破坏无异味的弹坑实验方法


[0001]本专利技术涉及芯片测试
，尤其涉及一种非破坏无异味的弹坑实验方法。

技术介绍

[0002]现有弹坑技术需要剪掉substrate板子才能做，一般采用草酸，气味比较大同时对产品会造成一定损伤不能再用，采用的是浸泡的方式，测试步骤较多，浸泡完后整个产品损失较大，检测耗时较长。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，提供一种操作简单，对晶圆PAD损伤较小，检验速度快的一种非破坏无异味的弹坑实验方法。
[0004]一种非破坏无异味的弹坑实验方法，其包括以下三个步骤：（1）在常温下，将氢氧化钠固体放入烧杯，倒入去离子水调配出含量为20%的氢氧化钠溶液。（2）将晶圆PAD放置在显微镜下，用挑针将待测试弹坑实验的晶圆PAD表面的金线挑断，用滴管在晶圆PAD上滴2滴调配好的氢氧化钠溶液，静置20分钟进行蚀刻。（3）用去离子水清洗晶圆PAD，将金线残留及晶圆保护层清洗干净，并用热风枪将晶圆PAD吹干，将晶圆PAD放入显微镜下可观察弹坑实验效果，确认打线是否对晶圆PAD造成暗裂及凹痕。
[0005]进一步地，所述步骤（3）中去离子水可用超纯水代替。
[0006]进一步地，所述步骤（3）中若显微镜下发现晶圆蚀刻效果差，则重复步骤（2）和步骤（3）。
[0007]进一步地，所述步骤（1）中的氢氧化钠溶液可封存重复使用。
[0008]相对于现有技术，本专利技术的有益效果为，用碱性氢氧化钠代替草酸，防止草酸的气味扩散，蚀刻方式由浸泡改为滴管少许溶液，减轻了实验对晶圆PAD的损伤，同时提升了检测速度。
具体实施方式
[0009]一种非破坏无异味的弹坑实验方法，其包括以下三个步骤：（1）在常温下，将氢氧化钠固体放入烧杯，倒入去离子水调配出含量为20%的氢氧化钠溶液。（2）将晶圆PAD放置在显微镜下，用挑针将待测试弹坑实验的晶圆PAD表面的金线挑断，用滴管在晶圆PAD上滴2滴调配好的氢氧化钠溶液，静置20分钟进行蚀刻。（3）用去离子水清洗晶圆PAD，将金线残留及晶圆保护层清洗干净，并用热风枪将晶圆PAD吹干，将晶圆PAD放入显微镜下可观察弹坑实验效果，确认打线是否对晶圆PAD造成暗裂及凹痕。
[0010]进一步地，作为本实施例的优选，所述步骤（3）中去离子水可用超纯水代替。
[0011]进一步地，作为本实施例的优选，所述步骤（3）中若显微镜下发现晶圆蚀刻效果差，则重复步骤（2）和步骤（3）。
[0012]进一步地，作为本实施例的优选，所述步骤（1）中的氢氧化钠溶液可封存重复使
用。
[0013]以上所揭露的仅为本专利技术一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本专利技术之权利范围，因此依本专利技术权利要求所作的等同变化，仍属本专利技术所涵盖的范围。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非破坏无异味的弹坑实验方法，其特征在于：包括以下三个步骤：在常温下，将氢氧化钠固体放入烧杯，倒入去离子水调配出含量为20%的氢氧化钠溶液。2.（2）将晶圆PAD放置在显微镜下，用挑针将待测试弹坑实验的晶圆PAD表面的金线挑断，用滴管在晶圆PAD上滴2滴调配好的氢氧化钠溶液，静置20分钟进行蚀刻。3.（3）用去离子水清洗晶圆PAD，将金线残留及晶圆保护层清洗干净，并用热风枪将晶圆PAD吹干，将晶圆PAD放入显微镜...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄晓鹏，
申请(专利权)人：蓝芯存储技术赣州有限公司，
类型：发明
国别省市：