堆叠有绝缘腔的芯片制造技术

本发明专利技术涉及一种将第一硅晶片（ＷＡ１）的连接表面与第二硅晶片（ＷＡ２）的连接表面连接从而在装配之后形成绝缘腔的方法，两个硅晶片（ＷＡ）中至少一个包括至少一个将位于腔内的功能区（ＤＡ）。按照本发明专利技术的方法包括在第一硅晶片（ＷＡ１）的连接表面上淀积合金焊接凸块（ＰＬＴＣ）的步骤（ＰＬＴＳ），所述凸块（ＰＬＴＣ）彼此间隔开均匀的距离，该距离足够小以在两个硅晶片装配期间接合。在淀积用于电接触的焊接凸块（ＰＬＴＥ）步骤期间进行所述焊接凸块（ＰＬＴＣ）的淀积步骤（ＰＬＴＳ）。该方法包括为了通过熔化合金焊接凸块来装配两个硅晶片的回流焊接步骤（ＲＦＸ）。应用：保护对外部条件敏感的半导体元件。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于将第一硅晶片的连接表面与第二硅晶片的连接表面进行连接，从而在装配之后形成绝缘腔的方法，两个硅晶片中至少一个包括至少一个将在腔内的功能区。这种方法由介绍了通过焊接连接蚀刻的硅晶片方法的US6062461的专利中已知。该方法可以通过装配两个硅晶片来形成绝缘腔，在每个硅晶片上淀积焊接材料的连续线，或在其中一个硅晶片上淀积连续线并在另一个硅晶片上淀积延伸的金属层，则该方法包括加热，从而焊接材料熔化，在两个硅晶片之间实现连接。本专利技术涉及以下考虑方面。在现有技术中，必须首先在至少一个硅晶片上淀积一层。除了在两个硅晶片的其中一个上制造连续线的步骤之外，材料淀积、蒸发、掩模印制或离子轰击都需要附加的制造步骤。这有时会引起附加工具的研制用于制造印模的掩模等。公认这导致了附加成本。专利技术的一个目标是可以通过快速且简单的方法制造绝缘腔，也就是说不需要任何附加步骤或附加工具制造绝缘腔。实际上，按照介绍段落的方法其特征在于按照专利技术包括步骤-在第一硅晶片的连接表面上淀积焊接合金的凸块，所述凸块彼此分开均匀的距离，该距离足够小以在两个硅晶片装配期间产生接合，在淀积用于电接触的焊接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于将第一硅晶片的连接表面与第二硅晶片的连接表面连接从而在装配之后形成绝缘腔的方法，两个硅晶片中至少一个包括至少一个将位于腔内的功能区，所述方法的特征在于其包括步骤：－在第一硅晶片的连接表面上淀积合金焊接凸块，所述凸块彼此间隔开 均匀的距离，该距离足够小以在两个硅晶片装配期间产生接合，在淀积用于电接触的焊接凸块的步骤期间进行所述焊接凸块的淀积，－为了通过熔化合金焊接凸块来连接两个硅晶片的回流焊接。

【技术特征摘要】
FR 2002-3-19 02/033701.一种用于将第一硅晶片的连接表面与第二硅晶片的连接表面连接从而在装配之后形成绝缘腔的方法，两个硅晶片中至少一个包括至少一个将位于腔内的功能区，所述方法的特征在于其包括步骤-在第一硅晶片的连接表面上淀积合金焊接凸块，所述凸块彼此间隔开均匀的距离，该距离足够小以在两个硅晶片装配期间产生接合，在淀积用于电接触的焊接凸块的步骤期间进行所述焊接凸块的淀积，-为了通过熔化合金焊接凸块来连接两个硅晶片的回流焊接。2.如权利要求1所述的方法，还包括在腔的轮廓上施加树脂的步骤。3.如权利要求1和2中之一所述的方法，其中两个硅晶片包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：JC西克斯，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]