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本发明涉及一种将第一硅晶片（ＷＡ１）的连接表面与第二硅晶片（ＷＡ２）的连接表面连接从而在装配之后形成绝缘腔的方法，两个硅晶片（ＷＡ）中至少一个包括至少一个将位于腔内的功能区（ＤＡ）。按照本发明的方法包括在第一硅晶片（ＷＡ１）的连接表面上淀积...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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