一种凹槽P型调制氧化镓功率二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种凹槽P型调制氧化镓功率二极管及其制备方法，该二极管包括：自下而上依次层叠设置的阴极、衬底层、漂移层和阳极，其中，漂移层的上表面间隔开设有若干凹槽，凹槽内填充有介质层，介质层与漂移层形成异质PN结结构；衬底层和漂移层均为Si或Sn掺杂的β

【技术实现步骤摘要】
一种凹槽P型调制氧化镓功率二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体功率器件
，具体涉及一种凹槽P型调制氧化镓功率二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]由于β
‑
Ga2O3晶体材料具有超宽的禁带宽度及较高的击穿场强，因此，β
‑
Ga2O3所制作的功率器件具有高耐压、大功率的特点，具备在电力电子领域应用的潜力。近些年来，众多学者开始对β
‑
Ga2O3晶体材料及功率器件进行研究，但是目前，该器件的击穿场强距离理论极限仍存在较大差距，同时，热场发射电流(TFE泄漏电流)依然很大。

技术实现思路

[0003]为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种凹槽P型调制氧化镓功率二极管及其制备方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
[0004]本专利技术提供了一种凹槽P型调制氧化镓功率二极管，包括：自下而上依次层叠设置的阴极、衬底层、漂移层和阳极，其中，
[0005]所述漂移层的上表面间隔开设有若干凹槽，所述凹槽内填充有介质层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种凹槽P型调制氧化镓功率二极管，其特征在于，包括：自下而上依次层叠设置的阴极(1)、衬底层(2)、漂移层(3)和阳极(4)，其中，所述漂移层(3)的上表面间隔开设有若干凹槽(301)，所述凹槽(301)内填充有介质层(5)，所述介质层(5)与所述漂移层(3)形成异质PN结结构；所述衬底层(2)和所述漂移层(3)均为Si或Sn掺杂的β
‑
Ga2O3材料，且所述漂移层(3)的掺杂浓度低于所述衬底层(2)的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的凹槽P型调制氧化镓功率二极管，其特征在于，所述漂移层(3)的掺杂浓度为1
×
10
15
cm
‑3‑1×
10
17
cm
‑3。3.根据权利要求1所述的凹槽P型调制氧化镓功率二极管，其特征在于，所述漂移层(3)的厚度为2
‑
14μm。4.根据权利要求1所述的凹槽P型调制氧化镓功率二极管，其特征在于，所述凹槽(301)的深度为50
‑
1000nm。5.根据权利要求1所述的凹槽P型调制氧化镓功率二极管，其特征在于，相邻所述凹槽(301)之间的间距为1
...

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓华，陆小力，何云龙，郑雪峰，王当坡，张方，洪悦华，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：