一种结势垒肖特基功率器件制造技术

本实用新型专利技术属于半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种结势垒肖特基功率器件。器件由下至上依次包括：覆盖衬底的欧姆电极

【技术实现步骤摘要】
一种结势垒肖特基功率器件


[0001]本技术属于半导体器件
，更具体地，涉及一种结势垒肖特基功率器件。

技术介绍

[0002]肖特基二极管由于具有开启电压小、开关速度快的特性，被广泛地应用于电源、驱动电路等领域。但肖特基二极管在反向偏压下存在势垒降低效应、隧穿效应等因素，使得器件的反向漏电流随着反向偏压的增大而增大，而较大的漏电流将进一步导致器件具有较小的击穿电压。
[0003]为解决这一问题，主要采用的方法是在反向偏压下屏蔽肖特基结，降低表面电场，而结势垒肖特基二极管是其中一种常用的器件结构。结势垒肖特基二极管在n型漂移区中引入p型区，形成横向间隔排列的网格状pn结。当向器件施加正向偏压时，结势垒肖特基二极管中肖特基结的势垒高度低，将率先导通，因此结势垒肖特基二极管保留了肖特基结开启电压小的优点；而当向器件施加反向偏压时，相邻的pn结耗尽区将延展、逐渐靠近，最后连通，进而隔离肖特基结，将器件的峰值电场从接触表面移至体内，降低肖特基结表面的电场强度，因此可以进一步降低器件的反向漏电流，提高器件的击穿电压。由此结势垒肖特基二极管保持本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结势垒肖特基功率器件，其特征在于，器件由下至上依次包括：覆盖衬底(2)的欧姆电极
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二极管阴极(1)、衬底(2)、n型低载流子浓度区域
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器件漂移区(3)、在器件漂移区(3)中交错排列的p型区域(4)、在器件漂移区(3)与p型区域(4)中间的介质层(5)、与器件漂移区(3)形成肖特基接触的电极
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二极管阳极(6)。2.根据权利要求1所述的结势垒肖特基功率器件，其特征在于，所述的衬底(2)为n型导电衬底，所述的衬底(2)电阻率范围为0.005Ω
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cm～0.1Ω
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cm。3.根据权利要求2所述的结势垒肖特基功率器件，其特征在于，所述的衬底(2)的厚度为100μm～500μm。4.根据权利要求1所述的结势垒肖特基功率器件，其特征在于，所述的衬底(2)、器件漂移区(3)、p型区域(4)为同一种半导体材料，包括Si、SiC、或GaN。5.根据权利要求1所述的结势垒肖特基功率器件，其特征在于，所述的器件漂移区(3)为位错密度低的非故意掺杂外延层、或n型掺杂外延层。6.根据权利要求2所述的结势垒肖特基功率器件，其特征在于，所述的器件漂移区(3)的厚度为1μm～50μm，载...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘扬，张琦，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：新型
国别省市：