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本实用新型属于半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种结势垒肖特基功率器件。器件由下至上依次包括：覆盖衬底的欧姆电极
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该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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