具有结势垒肖特基二极管的宽带隙半导体电子器件制造技术

公开了具有结势垒肖特基二极管的宽带隙半导体电子器件。垂直导电电子功率器件由具有第一导电类型并具有表面的宽带隙半导体的主体形成，并且由漂移区和由该表面限定的多个表面部分形成。该电子器件还由多个具有第二导电类型的第一注入区和多个金属部分形成，该多个第一注入区从表面延伸到漂移区中，该多个金属部分布置在该表面上。每个金属部分与多个表面部分中的相应表面部分肖特基接触，以形成由第一肖特基二极管和第二肖特基二极管形成的多个肖特基二极管，其中，第一肖特基二极管在平衡时具有肖特基势垒，该肖特基势垒的高度不同于第二肖特基二极管的肖特基势垒的高度。于第二肖特基二极管的肖特基势垒的高度。于第二肖特基二极管的肖特基势垒的高度。

【技术实现步骤摘要】
具有结势垒肖特基二极管的宽带隙半导体电子器件


[0001]本公开涉及一种宽带隙半导体电子器件和对应的制造方法，该电子器件包括具有改进的电特性的JBS(结势垒肖特基)二极管。特别地，下文将参考垂直导电电子功率器件。

技术介绍

[0002]众所周知，具有宽带隙(例如大于1.1eV)、低通态电阻、高热导率、高工作频率和电荷载流子的高饱和率的半导体材料(诸如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN))，特别对于功率应用(例如在包括在600V与1300V之间的电压下工作或在特定工作条件(例如高温)下工作)而言，允许获得比硅电子器件具有更好性能的电子器件(例如二极管和晶体管)。
[0003]具体地，已知从碳化硅晶片获得上述电子器件，碳化硅为其多形体之一，例如3C
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SiC、4H
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SiC和6H
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SiC，这些多形体由上述所列特征区分。
[0004]例如，图1示出了已知的碳化硅的JBS二极管1。JBS二极管1通常由多个基本单元(仅示出一个)形成，这些单元彼此相等并且并联布置在同一管芯中；每个基本单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直导电电子功率器件，包括：宽带隙半导体的主体，具有第一导电类型和表面，所述主体包括：漂移区；和多个第一金属阳极区，在所述表面上；第二金属阳极区，在所述第一金属阳极区上，并且在所述表面上；多个第二导电类型的第一注入区，从所述表面延伸到所述漂移区中；以及多个第一肖特基二极管，每个第一肖特基二极管在平衡时、在所述漂移区的所述表面与所述多个第一金属阳极区之间的多个第一界面处，具有第一肖特基势垒高度；以及多个第二肖特基二极管，每个第二肖特基二极管在平衡时具有第二肖特基势垒高度，所述第二肖特基势垒高度与所述第一肖特基势垒高度不同，所述多个第二肖特基二极管位于所述漂移区的所述表面与所述第二金属阳极区之间的多个第二界面处。2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一肖特基势垒高度小于所述第二肖特基势垒高度。3.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一肖特基二极管中的第一个第一肖特基二极管位于距所述第一注入区中的第一个第一注入区第一距离处，所述第二肖特基二极管中的第一个第二肖特基二极管位于距所述第一注入区中的所述第一个第一注入区第二距离处，所述第一距离小于所述第二距离。4.根据权利要求2所述的电子器件，其中：所述第一金属阳极是与所述第二金属阳极不同的材料。5.根据权利要求4所述的电子器件，其中所述第一导电类型不同于所述第二导电类型。6.根据权利要求1所述的电子器件，还包括多个欧姆接触，每个欧姆接触位于所述多个第一注入区中的一个第一注入区内。7.根据权利要求6所述的电子器件，所述多个第一金属阳极区中的每一个第一金属阳极区位于所述多个欧姆接触中的一个欧姆接触上。8.根据权利要求7所述的电子器件，还包括多个第三肖特基二极管，所述第三肖特基二极管位于相邻的所述多个第一肖特基二极管中的第一肖特基二极管与所述多个第二肖特基二极管中的第二肖特基二极管之间，所述多个第三肖特基二极管在平衡时各自具有第三肖特基势垒高度，所述第三肖特基势垒高度大于所述第一肖特基势垒高度、并且小于所述第二肖特基势垒高度。9.一种方法，包括：从具有第一导电类型和表面的宽带隙半导体的晶片制造垂直导电电子功率器件，所述晶片包括漂移区和多个第一注入区，所述多个第一注入区具有第二导电类型，并且从所述表面在所述漂移区中延伸，所述方法包括：通过在所述表面上形成多个金属部分来形成多个第一肖特基二极管和多个第二肖特基二极管，每个金属部分在所述漂移区的多个表面部分处与所述漂移区肖特基接触，所述第一肖特基二极管在平衡时具有高度不同于所述第二肖特基二极管的肖特基势垒，形成所述多个金属部分包括：在多个第一注入区中的一个注入区上形成每个金属部分，每个注入区具有与所述漂移区的界面，每个金属部分具有与每个注入区和所述漂移区的界面间隔开的...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：