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本发明涉及一种凹槽P型调制氧化镓功率二极管及其制备方法，该二极管包括：自下而上依次层叠设置的阴极、衬底层、漂移层和阳极，其中，漂移层的上表面间隔开设有若干凹槽，凹槽内填充有介质层，介质层与漂移层形成异质PN结结构；衬底层和漂移层均为Si或S...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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