一种以(001)取向的片状SrTiO*为模板材料制备织构化压电陶瓷的方法技术

技术编号:3200350 阅读:221 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种织构化压电陶瓷及制备方法。该陶瓷主要化学组成是Pb(Mg↓[1/3]Nb↓[2/3])O↓[3]-xPbTiO↓[3],其中x=0.429~0.538,含有主要化学组成3~20wt%的(001)取向的片状SrTiO↓[3]模板材料,具有(001)取向的片状SrTiO↓[3]的形貌。制法是:先将Pb(Mg↓[1/3]Nb↓[2/3])O↓[3]-xPbTiO↓[3]粉体加入无水乙醇和丁酮的混合溶剂中,同时加入分散剂,混合球磨,然后加入SrTiO↓[3]模板材料,同时加入粘结剂和塑性剂,再混合球磨,将所得浆料除泡后流延成型,干燥后叠层压制成型。样品经过冷等静压后升温排塑,在聚乙烯醇水溶液中浸泡后二次加压,氩气气氛下热压烧结后,再于空气气氛下烧结,制得织构化压电陶瓷。本法制备出的织构化压电陶瓷取向度较高,且具有更高的压电常数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种织构化压电陶瓷及其制备方法,具体涉及一种以(001)取向的片状SrTiO3为模板材料制备Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3基织构化压电陶瓷。
技术介绍
Pb(Mg1/3Nb2/3)O3(PMN)基陶瓷是典型的弛豫型铁电材料,在引入(PbTiO3)PT构成PMN-PT二元体系后,可以显著提高其居里温度,被广泛应用在微位移器、制动器、机敏材料与器件等方面。当PT含量为30-35mol%时,体系存在一个准同型相界(MPB),配方在此相界附近的材料具有较好的介电、压电性能。虽然PMN-PT单晶具有较好的性能,但由于单晶生长技术困难,在大尺寸、掺杂改性以及价格方面限制了其发展;而传统的PMN-PT多晶陶瓷虽然合成工艺简单,但由于多晶陶瓷中晶粒随机排列,整体上晶粒的各向异性趋于平均化,性能相互抵消远远达不到单晶的标准。由模板晶粒生长法制备的织构化多晶陶瓷有效地解决了这一问题。织构化多晶材料是指各个小晶粒的结晶面相互取向保持一致,这样它几乎接近单晶的性能,极化也更为容易;与单晶制备相比,又降低了它的合成成本。模板晶粒生长法(TGG)是制备织构型陶瓷材料常用的方法之本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种织构化压电陶瓷,其特征在于:其主要化学组成是Pb(Mg↓[1/3]Nb↓[2/3])O↓[3]-xPbTiO↓[3],其中x=0.429~0.538,含有主要化学组成3~20wt%的(001)取向的片状SrTiO↓[3]模板材料,具有(001)取向的片状SrTiO↓[3]的形貌。

【技术特征摘要】
1.一种织构化压电陶瓷,其特征在于其主要化学组成是Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3,其中x=0.429~0.538,含有主要化学组成3~20wt%的(001)取向的片状SrTiO3模板材料,具有(001)取向的片状SrTiO3的形貌。2.制备权利要求1所述的织构化压电陶瓷的方法,其特征在于制备步骤为第1、以Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3粉和(001)取向的片状SrTiO3为起始原料,其中x=0.429~0.538,按照Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3∶SrTiO3=1∶0.03~0.20质量比配料,首先将Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3粉加入无水乙醇和丁酮组成的混合溶剂中,同时加入分散剂三油酸甘油酯,混合球磨20-26小时,然后按所述配料比加入片状SrTiO3模板材料,粘结剂聚乙烯醇缩丁醛,及聚乙二醇和邻苯二甲...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹明贺刘韩星李东亮
申请(专利权)人:武汉理工大学
类型:发明
国别省市:83[中国|武汉]

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