【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】开放页偏置技术
[0001]交叉引用
[0002]本专利申请主张维斯康提(Visconti)等人在2019年6月14日提交的标题为“开放页偏置技术(OPEN PAGE BIASING TECHNIQUES)”的第16/441,806号美国专利申请的优先权，所述美国专利申请让渡给本受让人且以全文引用的方式并入本文中。
技术介绍
[0003]下文大体上涉及一种包含至少一个存储器装置的系统，且更具体地说，涉及开放页偏置技术。
[0004]存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制装置最常存储通常由逻辑1或逻辑0表示的两种状态中的一个。在其它装置中，可以存储多于两个状态。为了存取所存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。
[0005]存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包括：激活一行存储器单元作为开放页存取操作的部分；在所述开放页存取操作的存取阶段期间，将具有第一电压的激活脉冲施加到所述一行存储器单元中的一存储器单元；在所述存取阶段的持续时间内施加所述激活脉冲之后，将所述存储器单元偏置到小于所述第一电压的第二电压；及在将所述存储器单元偏置到所述第二电压之后，起始所述开放页存取操作的预充电阶段。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在所述预充电阶段期间，将具有大于所述第二电压的第三电压的预充电脉冲施加到所述存储器单元。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述存储器单元在延伸于所述激活脉冲与所述预充电脉冲之间的第二持续时间内偏置到所述第二电压。4.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二电压的极性不同于所述第三电压的极性。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二电压的量值小于所述第一电压的量值。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述开放页存取操作为写入操作，且所述方法进一步包括：识别存储于所述存储器单元中的状态作为所述写入操作的部分，其中所述第二电压的值至少部分地基于识别所述状态。7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：在所述写入操作期间至少部分地基于与所述存储器单元相关联的所述状态识别所述第二电压的所述值，其中在所述预充电阶段之前将所述存储器单元偏置到所识别值。8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在施加所述激活脉冲之后，起始所述存取阶段的延迟阶段作为所述开放页存取操作的部分。9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在起始所述预充电阶段之前将所述存储器单元的电压维持在所述第二电压。10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：从主机装置接收对所述存储器单元执行所述开放页存取操作的存取命令，其中存取所述存储器单元至少部分地基于接收所述存取命令。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器单元包括铁电存储器单元。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二电压为非零电压。13.一种方法，其包括：在存取操作的存取阶段期间，将作为激活脉冲的部分的第一电压施加到与存储器单元耦合的数字线；在所述存取阶段期间，将作为所述激活脉冲的部分的第二电压施加到与所述存储器单元耦合的板线；在所述存取阶段期间，在将所述第一电压施加到所述数字线之后将第三电压施加到所述数字线，所述第三电压小于所述第一电压；
在所述存取阶段期间，在将所述第二电压施加到所述板线之后将第四电压施加到所述板线，所述第四电压小于所述第二电压；及在将所述第三电压施加到所述数字线且将所述第四电压施加到所述板线之后，起始所述存取阶段的预充电阶段。14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括：在所述预充电阶段期间，将作为预充电脉冲的部分的第五电压施加到所述数字线，所述第五电压小于所述第三电压；及在所述预充电阶段期间，将作为所述预充电脉冲的部分的第六电压施加到所述板线，所述第六电压小于所述第四电压。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述存取操作为开放页存取操作，且所述方法进一步包括：识别所述激活脉冲与所述预充电脉冲之间的延迟阶段，其中针对所述开放页存取操作存取所述存储器单元至少部分地基于识...
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