半导体封装中铜带键合封装结构制造技术

半导体封装中铜带键合封装结构，本发明专利技术要解决现有铝线键合可靠性差、兼容性低、散热性差，且升降温连接层耐应力差和抗功率循环性能差等问题。本发明专利技术半导体封装中铜带键合封装结构是在黄铜法兰的底座上设置有陶瓷底座，陶瓷底座为环形，在陶瓷底座的两侧分别固定有连接引脚铜带，封装裸片固定在黄铜法兰的底座上，封装裸片位于陶瓷底座的环形内，键合铜带的一端连接封装裸片，键合铜带的另一端连接引脚铜带，陶瓷封盖盖合在陶瓷底座上形成密闭封装腔。本发明专利技术通过铜带键合方式，降低了寄生参数、提升热导率和电阻率，同时具有高抗功率循环性能，提高了可靠性，采用银基浆料烧结技术耐高温且热导率、电导率高。电导率高。电导率高。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装中铜带键合封装结构


[0001]本专利技术涉及一种半导体封装中铜带键合封装结构。

技术介绍

[0002]半导体，是指常温下导电性介于导体和绝缘体之间的材料。半导体常应用在集成电路、通信系统、功率器件等领域。随着通信系统的发展，对更大功率、更高频率、更大击穿电压功率器件的需求日益增加，第三代半导体的发展站在风口上，集成电路领域对氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带半导体还需要进一步发展。
[0003]半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。第三代半导体因为其具有高温、高频及高压的特性，对传统器件封装工艺提出诸多新挑战。为了充分发挥第三代半导体器件性能优势，对新型半导体封装技术提出了耐高温、耐高压、低寄生参数的迫切需求。
[0004]传统半导体封装技术中，芯片与封装引脚互联材料为铝线，由于铝线热膨胀系数与第三代半导体差异较大，随着结温提高芯片在开关切换过程中会经历更大的功率循环、导致键合可靠性大幅度下降；同时，针对于高频应用，铝线键合也会产生很大的寄生参数。传统焊接工艺中，通常采用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体封装中铜带键合封装结构，其特征在于该半导体封装中铜带键合封装结构包括黄铜法兰(1)、封装裸片(2)、两个键合铜带(3)、两个引脚铜带(4)和陶瓷封盖(5)，在黄铜法兰(1)的底座上设置有陶瓷底座(1
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2)，陶瓷底座(1
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2)为环形，在陶瓷底座(1
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2)的两侧分别固定有连接引脚铜带(4)，封装裸片(2)固定在黄铜法兰(1)的底座上，封装裸片(2)位于陶瓷底座(1
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2)的环形内，键合铜带(3)的一端连接封装裸片(2)，键合铜带(3)的另一端连接引脚铜带(4)，陶瓷封盖(5)盖合在陶瓷底座(1
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2)上形成密闭封装腔；其中键合铜带(3)与封装裸片(2)的连接通过键合焊接，键合铜带(3)与引脚铜带(4)通过键合焊接，键合焊接均采用银基浆料。2.根据权利要求1所述的半导体封装中铜带键合封装结构，其特征在于黄铜法兰(1)的底座为铜质，在铜质底座的两侧开有圆形固定孔(1
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1)。3.根据权利要求1所述的半导体封装中铜带键合封装结构，其特征在于陶瓷底座(1
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2)为矩形...

【专利技术属性】
技术研发人员：王琮，谭笑，
申请(专利权)人：青岛晶芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：