用于半导体元件电连接的复合结构及其制作方法与半导体元件技术

一种用于半导体元件电连接的复合结构，设置在一具有金属层的半导体基材上，并包含一形成于金属层上的凸块、一位于凸块顶面的耐蚀层，及一形成于耐蚀层上并具有数个规则排列的凸部及至少一凹槽的图案化接合层，当要将具有此复合结构的半导体基材与另一半导体芯片接合时，可利用焊料作为接合剂，接合时部分焊料可进入凹槽中，因此可增加焊料与复合结构的接触面积以提升接着强度，还可避免焊料因芯片间的挤压而外溢，进而造成短路或半导体元件损毁的情形产生。另外，本发明专利技术还提供此复合结构的制作方法，及利用所述复合结构作为内部电连接的半导体元件。的半导体元件。的半导体元件。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体元件电连接的复合结构及其制作方法与半导体元件


[0001]本专利技术涉及一种用于半导体元件电连接的复合结构及其制作方法，以及含有该复合结构的半导体元件，特别是指一种用于半导体元件间电连接的复合结构及其制作方法，以及含有该复合结构的半导体元件。

技术介绍

[0002]现今的半导体产业中，三维集成电路(3D IC)正经历快速发展，三维集成电路是通过芯片堆叠的方式大幅减少晶体管之间的引线连接，其中，芯片或是晶圆之间的接合成为关键技术之一。随着集成电路的设计日渐复杂，金属凸块经常被选择作为芯片之间接合与电连接的元件，其中，铜凭借其优秀的导电性、导热性及电子迁移的抵抗性，因此，经常被作为该金属凸块的构成材料。
[0003]在芯片接合的过程中，是利用将锡膏覆盖于一形成于芯片的导电线路上的铜凸块的顶面，并通过回焊使该锡膏成为球状的锡球，之后即可利用焊接方式，通过该锡球与来自另一芯片上的铜凸块进行接合。然而，由于习知铜凸块的顶面为平整的表面，因此两个铜凸块于挤压接合的过程中容易使微熔状态的锡球向外流动而产生外溢的情形进而造成短路，或是与锡膏的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体元件电连接的复合结构，该复合结构形成于一半导体基材，且该半导体基材表面具有金属层，其特征在于：该复合结构包含：凸块，由第一导电材料构成，位于该金属层上；耐蚀层，由第二导电材料构成，位于该凸块的顶面；及图案化接合层，位于该耐蚀层反向该凸块的表面，并包括由第三导电材料构成的导电块，及自该导电块远离该耐蚀层的表面向下形成，并令该耐蚀层露出的至少一个凹槽，其中，该第三导电材料对该第二导电材料的蚀刻选择比大于1。2.根据权利要求1所述的用于半导体元件电连接的复合结构，其特征在于：该图案化接合层具有多个环状的凹槽，该凹槽的宽度与深度的比值介于1:2至1:5，且该导电块具有多个借由所述凹槽间隔而成同心环状排列的凸部。3.根据权利要求1所述的用于半导体元件电连接的复合结构，其特征在于：该图案化接合层具有多个条状的凹槽，该凹槽的宽度与深度的比值介于1:2至1:5，该导电块具有多个成条状的凸部，所述凸部是借由所述凹槽沿一预定方向间隔排列而成。4.根据权利要求1所述的用于半导体元件电连接的复合结构，其特征在于：该图案化接合层具有彼此连通的凹槽，该导电块具有多个借由该凹槽而彼此间隔并成数组排列的岛状的凸部，且所述岛状的凸部之间间隔的距离介于8μm至40μm。5.根据权利要求1所述的用于半导体元件电连接的复合结构，其特征在于：该导电块具有彼此...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仕璋，刘育成，
申请(专利权)人：力成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：