【技术实现步骤摘要】
一种基于N+2耦合理论的集总窄带IPD滤波器的设计方法
[0001]本专利技术涉及一种基于N+2耦合矩阵的集总元件窄带IPD滤波器设计方法,无需经过复杂的优化过程,就可获得性能优越的窄带滤波器,该方法能实现标准化、模块化设计。
技术介绍
[0002]近20年以来,随着集成无源器件技术(Integrated Passive Device,IPD)作为一种极佳的生产工艺被专利技术出来,越来越多的微波器件,微波模块以更加紧凑的形式,更加优良的特性展现给世人,已经成为主流无源微波器件生产工艺之一。大量基于IPD工艺的微波滤波器工作也被人们持续的报道。在相同阶数下,设计出具有更良好的矩形系数以及较宽的带外抑制范围的滤波器拓扑结构,以及该拓扑结构下各元件值的计算方法始终是滤波器设计人员的研究重点。混合电磁耦合、交叉耦合、复合谐振器级联均是集总滤波器比较常见的拓扑结构。他们的目的均是希望在阻带处形成传输零点,进而获得更好的滤波效果。计算传输零点位置的方法有三类:微波网络法、电磁耦合法、奇偶模阻抗法。后两者分析方法主要应用于混合电磁耦合滤波器当中。微波网络法是让S
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参数等于零,建立起元件值与传输零点频率的数学关系。除此之外,由于散射矩阵与阻抗矩阵,导纳矩阵有着式(1)的变换关系,同样也可以根据Z
21
=0;Y
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=0等方式求解。根据拓扑结构的特点选择易于求解的矩阵进行分析。电磁耦合法一般是通过全波电磁仿真的方法计算得出电偶和与磁耦合的强度随着频率变换的情况,二者幅度相等的频 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.基于N+2耦合理论的集总窄带IPD滤波器的设计方法,其特征在于该设计方法按照以下步骤实现:一、设定窄带IPD滤波器的集总拓扑结构,对于N+2型耦合滤波网络,导纳矩阵方程式[Y]=j[M]+j[s]+[G](4),其中[M]代表耦合矩阵,耦合矩阵中的元素表示谐振器之间的耦合系数,[S]代表单位矩阵,[G]代表稀疏矩阵;然后以中心频率为f0,带宽为Δf对导纳矩阵方程式进行带通频率变换,带通滤波器源端导纳为G
S
,负载阻抗G
L
,得到带通频率变换后的导纳矩阵方程式:[Y]=j[m]+[W]+[G](5a);式中ω0为带通滤波器的中心频率,C
SS
为源和源之间的耦合电容,C
LL
为负载与负载之间的耦合电容,C
SL
为源和负载之间的耦合电容,C
NL
为第N个谐振器与负载之间的耦合电容,C
11
为耦合器之间的耦合电容;C
S1
为源与第一个谐振器之间的耦合电容;式中C0是并联谐振回路电容,L0是并联谐振回路电感,ω是并联谐振回路中心频率;是并联谐振回路电感,ω是并联谐振回路中心频率;(j[m
*
]代表单元之间的耦合量矩阵)对公式[Y]=j[m]+[W]+[G](5a)进行展开,得到公式(7),式中S代表源,L代表负载,ν
n
代表源电压或负载电压,C
nj
代表源或负载与第j个谐振器之间的耦合电容,ν
j
代表第j个耦合器的电压,ν
k
代表第k个耦合器的电压,C
kj
代表第k个耦合器与第j个耦合器之间的耦合电容,i
j
代表第j个耦合器的电流;二、设耦合滤波网络中谐振器i与谐振器k的交叉耦合因子为M
ik
,通过PI型电容网络表征交叉耦合因子M
ik
,PI型电容网络中的三电容分别为C
m
和2个C
a
,在谐振回路当中并联一个
电容表征谐振器i的自耦合M
ii
;三、当交叉耦合因子M
ik
为正时,属于磁耦合,PI型电容网络中的串联电容C
m
为负,并联电容C
a
为正;当交叉耦合因子M
ik
为负时,属于电耦合,PI型电容网络中的串联电容C
m
为正,并联电容C
a
为负;四、对设计的窄带IPD滤波器电路进行演变化简处理,演变化简处理包括源端阻抗变换、磁耦合的窄带近似处理和负电容窄带近似处理,最后根据耦合矩阵求解电路结构中各元器件的元件值,完成集总窄带IPD滤波器的设计;其中所述磁耦合的窄带近似处理过程如下:当C
m
=
‑
C
ik
;C
a
=C
ik
时,C
ik
代表第i个谐振器和第k个谐振器之间的耦合电容,此时PI型电容网络窄带近似处理为纯电感PI型窄带近似电路,纯电感PI型窄带近似电路由L
m*
L
1*
L
2*
组成,L
m*
、L
1*
和L
2*
的...
【专利技术属性】
技术研发人员:王琮,范弘基,李朝启,魏宇琛,李纪虎,蔡大雨,
申请(专利权)人:青岛晶芯半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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