半导体器件制造技术

本公开涉及半导体器件。该半导体器件包括封装衬底、半导体芯片和焊料凸块。半导体芯片被设置在封装衬底上。封装衬底包括第一电极焊盘和第一绝缘膜，第一绝缘膜被形成为使得第一绝缘膜露出第一电极焊盘的表面的第一部分。半导体芯片包括第二电极焊盘和第二绝缘膜，第二绝缘膜被形成为使得第二绝缘膜露出第二电极焊盘的表面的第二部分。第二电极焊盘通过焊料凸块形成在第一电极焊盘上。在穿过第一电极焊盘、焊料凸块和第二电极焊盘的横截面中，L2/L1为0.63或更大。第一部分的第一长度和第二部分的第二长度分别被定义为L1和L2。的第二长度分别被定义为L1和L2。的第二长度分别被定义为L1和L2。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本公开涉及半导体器件，并且例如涉及包括通过焊料凸块彼此电连接的封装衬底和半导体芯片的半导体器件。

技术介绍

[0002]以下列出了所公开的技术。
[0003][专利文献1]WO 2006/064534
[0004]作为键合技术的示例，已知倒装芯片键合(例如，参见专利文献1)。在专利文献1中描述的半导体器件中，封装衬底和半导体芯片通过焊料凸块彼此电连接。焊料凸块与半导体芯片的电极焊盘电连接。半导体器件包括绝缘膜，在绝缘膜上形成有露出电极焊盘的一部分的开口。焊料凸块经由开口而与电极焊盘连接。
[0005]在倒装芯片连接步骤中，当与半导体芯片的电极焊盘连接的焊料凸块被设置在封装衬底的电极焊盘上时，对焊料凸块施加热和压力。因此，封装衬底和半导体芯片通过焊料凸块而彼此键合。

技术实现思路

[0006]在半导体器件中，当电流经由封装衬底和半导体芯片之间的焊料凸块提供时，会生成焦耳热。在焊料凸块中，位于绝缘膜的开口中的部分与位于开口外部的部分相比，焊料凸块的直径较小。因此，在焊料凸块中位于绝缘膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：封装衬底；半导体芯片，被设置在所述封装衬底上；以及焊料凸块，将所述封装衬底和所述半导体芯片彼此电连接，其中所述封装衬底包括：第一电极焊盘；以及第一绝缘膜，被形成为使得所述第一绝缘膜露出所述第一电极焊盘的表面的第一部分，其中所述半导体芯片包括：第二电极焊盘；第二绝缘膜，被形成为使得所述第二绝缘膜露出所述第二电极焊盘的表面的第二部分，其中所述第二电极焊盘通过所述焊料凸块形成在所述第一电极焊盘上，并且其中当所述第一电极焊盘的所述第一部分的第一长度以及所述第二电极焊盘的所述第二部分的第二长度分别被定义为L1和L2时，在穿过所述第一电极焊盘、所述焊料凸块和所述第二电极焊盘的横截面中，L2/L1等于或大于0.63。2.根据权利要求1所述的半导体器件，包括形成在以下各项上的导电膜：所述第二电极焊盘的所述第二部分、所述第二绝缘层的内表面、以及所述第二绝缘层的表面。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：土屋秀昭，松本明，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：