封装方法、封装结构及封装模块技术

本申请提供了一种封装方法、封装结构、及封装模块，以避免在芯片的周围产生空隙。所述封装方法包括：提供基板，所述基板具有电连接层；提供待封装裸片，所述待封装裸片具有与所述基板上的电连接层相匹配的焊盘；将所述待封装裸片通过所述焊盘键合在所述基板的电连接层上；在所述待封装裸片上重复沉积和刻蚀的步骤以在待封装裸片侧壁形成曲面侧墙层；执行注塑操作，以在形成有曲面侧墙层的待封装裸片之间填充塑封材料。上述技术方案，通过在待封装裸片侧壁形成曲面侧墙层之后，有利于后续材料沉积在曲面侧墙层，使塑料能够更好的填充在待封装裸片的周围，避免在待封装裸片的周围产生空隙。空隙。空隙。

【技术实现步骤摘要】
封装方法、封装结构及封装模块


[0001]本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种封装方法、封装结构及封装模块。

技术介绍

[0002]芯片封装是先切割芯片然后封装，晶圆级封装是将封装工艺前移，在晶圆上对芯片封装完成再切割独立芯片。晶圆级封装能够集成晶圆制造，封装和测试，从而简化制造过程。晶圆级封装还可以减小封装尺寸，从而节省材料，而且缩短的制造周期时间提高了生产量并降低每单位制造成本。但是晶圆级封装将裸片键合在基板的过程中，会在芯片的边缘形成空隙，从而影响芯片的良率。
[0003]因此如何避免在芯片的周围产生空隙是需要解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请所要解决的技术问题是提供一种封装方法、封装结构、及封装模块，以避免在芯片的周围产生空隙。
[0005]为了解决上述问题，本申请提供了一种封装方法。所述封装方法包括：提供基板，所述基板具有电连接层；提供待封装裸片，所述待封装裸片具有与所述基板上的电连接层相匹配的焊盘；将所述待封装裸片通过所述焊盘键合在所述基板的电连接层上；在所述待封装裸片上重复沉积和刻蚀的步骤以在待封装裸片侧壁形成曲面侧墙层；执行注塑操作，以在形成有曲面侧墙层的待封装裸片之间填充塑封材料。
[0006]在一些实施例中，在所述待封装裸片上重复沉积和刻蚀的步骤以在待封装裸片侧壁形成曲面侧墙层之后，还包括：在所述待封装裸片顶部沉积保护层，所述保护层的厚度与所述待封装裸片厚度的比值范围为10
‑7～10
‑5。
[0007]在一些实施例中，所述基板具有第一介质层，所述电连接层形成于所述第一介质层中；所述待封装裸片具有第二介质层，所述焊盘形成于所述第二介质层中；所述将所述待封装裸片通过所述焊盘键合在所述基板的电连接层上，包括：将所述待封装裸片的所述第二介质层的表面贴合所述基板的所述第一介质层的表面，且所述焊盘覆盖所述电连接层；执行高温退火操作，以使所述焊盘与所述电连接层键合。
[0008]在一些实施例中，执行高温退火操作，以使所述焊盘与所述电连接层键合，包括：在第一温度下执行第一高温退火操作，以使所述第一介质层与所述第二介质层熔融键合；在第二温度下执行第二高温退火操作，以使所述焊盘与所述电连接层熔融键合；其中，所述第二温度大于所述第一温度。
[0009]在一些实施例中，所述执行注塑操作，以在形成有曲面侧墙层的待封装裸片之间填充塑封材料，包括：在所述待封装裸片上重复预设次数的注塑和刻蚀的步骤，以在形成有曲面侧墙层的待封装裸片之间填充塑封材料且所述塑封材料覆盖所述待封装裸片。
[0010]在一些实施例中，所述封装方法还包括：执行平坦化操作去除部分所述塑封材料，保留的所述塑封材料与所述待封装裸片顶部平齐。
[0011]在一些实施例中，所述封装方法还包括：切割所述塑封材料及所述基板，以形成多个封装模块，各所述封装模块包括一待封装裸片。
[0012]在一些实施例中，在所述待封装裸片上重复沉积和刻蚀的步骤以在待封装裸片侧壁形成曲面侧墙层，包括：在所述待封装裸片上沉积绝缘材料层，所述绝缘材料层覆盖所述待封装裸片的侧壁和顶面，以及所述待封装裸片之间基板的顶面；部分刻蚀所述沉积绝缘材料层，以去除所述待封装裸片和所述基板的顶面的绝缘材料层。
[0013]本申请还提供了一种封装结构。所述封装结构包括：基板，所述基板具有电连接层；多个待封装裸片，所述多个待封装裸片具有与所述基板上的电连接层相匹配的焊盘，所述多个待封装裸片通过所述焊盘键合在所述基板的电连接层上；曲面侧墙层，形成于所述待封装裸片的侧壁；封装层，填充于各所述待封装裸片之间。
[0014]在一些实施例中，所述封装结构还包括：保护层，所述保护层位于所述待封装裸片顶部，所述保护层的厚度与所述待封装裸片厚度的比值范围为10
‑7～10
‑5。
[0015]在一些实施例中，所述基板具有第一介质层，所述电连接层形成于所述第一介质层中；所述待封装裸片具有第二介质层，所述焊盘形成于所述第二介质层中。
[0016]在一些实施例中，从待封装裸片的顶部至底部方向，所述曲面侧墙层的厚度递增。
[0017]在一些实施例中，所述各所述待封装裸片之间的间距与所述待封装裸片厚度的比值范围为10
‑3～10
‑2。
[0018]在一些实施例中，所述保护层的材料为氮化硅、氧化硅、或氮氧化硅其中之一。
[0019]本申请还提供了一种封装模块。所述封装模块，包括：第一芯片，所述芯片具有电连接层；第二芯片，所述第二芯片具有与所述第一芯片上的电连接层相匹配的焊盘，所述第二芯片通过所述焊盘键合在所述第一芯片的电连接层上；所述第二芯片包括裸片和形成于所述裸片侧壁的曲面侧墙层及形成于所述裸片顶部的保护层；封装层，覆盖所述曲面侧墙层的侧壁。
[0020]在一些实施例中，所述封装模块还包括：堆叠体，堆叠在所述第二芯片上，且与所述第一芯片中的所述电连接层互连。
[0021]上述技术方案，通过在待封装裸片侧壁形成曲面侧墙层之后，有利于后续材料沉积在曲面侧墙层，使塑料能够更好的填充在待封装裸片的周围，避免在待封装裸片的周围产生空隙。
附图说明
[0022]图1是本申请中一实施例的封装方法的示意图；
[0023]图2是本申请一实施例的基板及待封装裸片的示意图；
[0024]图3是本申请另一实施例的基板及待封装裸片的示意图；
[0025]图4是本申请一实施例的第二高温退火操作的示意图；
[0026]图5是本申请一实施例的第二高温退火操作的示意图；
[0027]图6是本申请一实施例的沉积绝缘材料层的示意图；
[0028]图7是本申请一实施例的部分刻蚀绝缘材料层的示意图；
[0029]图8是本申请一实施例的沉积保护层的示意图；
[0030]图9是本申请一实施例的执行注塑操作的示意图；
[0031]图10是本申请一实施例的封装结构的示意图；
[0032]图11是本申请一实施例的封装模块的示意图。
具体实施方式
[0033]下面结合附图对本申请提供的封装方法、封装结构、及封装模块的具体实施方式做详细说明。
[0034]图1是本申请中一实施例的封装方法的示意图。所述封装方法包括：步骤S101，提供基板，所述基板具有电连接层；步骤S102，提供待封装裸片，所述待封装裸片具有与所述基板上的电连接层相匹配的焊盘；步骤S103，将所述待封装裸片通过所述焊盘键合在所述基板的电连接层上；步骤S104，在所述待封装裸片上重复沉积和刻蚀的步骤以在待封装裸片侧壁形成曲面侧墙层；步骤S105，执行注塑操作，以在形成有曲面侧墙层的待封装裸片之间填充塑封材料。
[0035]下面请继续参阅图1，步骤S101，提供基板，所述基板具有电连接层。步骤S102，提供待封装裸片，所述待封装裸片具有与所述基板上的电连接层相匹配的焊盘。所述焊盘的数量为一个以上。图2是本申请一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板具有电连接层；提供待封装裸片，所述待封装裸片具有与所述基板上的电连接层相匹配的焊盘；将所述待封装裸片通过所述焊盘键合在所述基板的电连接层上；在所述待封装裸片上重复沉积和刻蚀的步骤以在待封装裸片侧壁形成曲面侧墙层；执行注塑操作，以在形成有曲面侧墙层的待封装裸片之间填充塑封材料。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，在所述待封装裸片上重复沉积和刻蚀的步骤以在待封装裸片侧壁形成曲面侧墙层之后，还包括：在所述待封装裸片顶部沉积保护层，所述保护层的厚度与所述待封装裸片厚度的比值范围为10
‑7～10
‑5。3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述基板具有第一介质层，所述电连接层形成于所述第一介质层中；所述待封装裸片具有第二介质层，所述焊盘形成于所述第二介质层中；所述将所述待封装裸片通过所述焊盘键合在所述基板的电连接层上，包括：将所述待封装裸片的所述第二介质层的表面贴合所述基板的所述第一介质层的表面，且所述焊盘覆盖所述电连接层；执行高温退火操作，以使所述焊盘与所述电连接层键合。4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，执行高温退火操作，以使所述焊盘与所述电连接层键合，包括：在第一温度下执行第一高温退火操作，以使所述第一介质层与所述第二介质层熔融键合；在第二温度下执行第二高温退火操作，以使所述焊盘与所述电连接层熔融键合；其中，所述第二温度大于所述第一温度。5.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述执行注塑操作，以在形成有曲面侧墙层的待封装裸片之间填充塑封材料，包括：在所述待封装裸片上重复预设次数的注塑和刻蚀的步骤，以在形成有曲面侧墙层的待封装裸片之间填充塑封材料且所述塑封材料覆盖所述待封装裸片。6.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，还包括：执行平坦化操作去除部分所述塑封材料，保留的所述塑封材料与所述待封装裸片顶部平齐。7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述方法还包括：切割所述塑封材料及所述基板，以形成多个封装模块，各所述封装模块包括一待封装裸...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴小飞，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：