【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术适于压电谐振器、包含压电谐振器的流通池以及包含压电谐振器的传感器配置。
技术介绍
石英晶体微量天平(QCM)传感器配置利用石英晶体的压电效应。这样的系统中，如果交流电压的频率接近于石英晶体振荡模式的谐振频率时，被置于与交流电压连接的两个电极之间的石英晶体开始振荡。典型的QCM传感器配置包括厚度剪切模式压电传感器单元、样品插入单元、频率计数器、信号显示装置、缓冲器以及废物容器。通过样品插入单元，可包含任何感兴趣的能与传感器电极相互作用的化学物质的样品被导入传感器单元。传感器单元包括压电谐振器、检测室、流入和流出检测室的通道以及振荡电路。样品引起与压电传感器表面的相互作用，这种相互作用反过来可以通过监测晶体板的振荡特性而被观察到，也就是通过测量压电谐振器频率的变化而被观察到，典型地谐振频率为5～50MHz。传感器单元采用的谐振器包括晶体板，晶体板在其表面上提供有用于电极的电接触区和其表面上的对置电极，对置电极可与信号源(例如交变电压源)以及测量设备进行连接。为了进行测量，压电晶体板的一边与待检测样品相接触。通过电极表面上附加质量的增加或电极上附加质量的减...
【技术保护点】
一种用于传感器配置中的厚度剪切模式压电谐振器，该传感器用于检测或测量介质中的分析物，所述谐振器包括具有第一晶体表面（８，１０８，２０８）和第二晶体表面（９，２０９）的石英晶体板（７，１０７，２０７），所述第一晶体表面提供有第一电极（１０，１１０，２１０），所述第二晶体表面提供有第二电极（１１，２１１），其特征在于该第一电极具有小于１５ｍｍ↑［２］的表面积。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】SE 2003-2-12 0300375-31.一种用于传感器配置中的厚度剪切模式压电谐振器，该传感器用于检测或测量介质中的分析物，所述谐振器包括具有第一晶体表面(8，108，208)和第二晶体表面(9，209)的石英晶体板(7，107，207)，所述第一晶体表面提供有第一电极(10，110，210)，所述第二晶体表面提供有第二电极(11，211)，其特征在于该第一电极具有小于15mm2的表面积。2.权利要求1的谐振器，其中所述第一电极的表面积小于10mm2。3.权利要求1或2的谐振器，其中所述第一电极的表面积至少为0.05mm2，优选为1～5mm2。4.权利要求1-3中任一项所述的谐振器，其中所述第一电极的表面积小于所述第二晶体表面，该第一电极优选地具有晶体面积0.1-90％的表面积。5.权利要求1-4中任一项所述的谐振器，其中从检测电极边缘到晶体边缘的距离至少为0.2mm，优选为1mm，更优选为2mm。6.权利要求1-5中任一项所述的谐振器，其中所述第一电极(110)具有矩形的表面，具有第一边(15)和第二边(16)。7.权利要求1-6中任一项所述的谐振器，其中所述第一边是所述第二边的至少0.1-10倍。8.权利要求1-6中任一项所述的谐振器，其中所述第一晶体表面(8，108，208)提供有与所述第一电极(10，110，210)连接的第一接触区域(12，112，212)，所述第二晶体表面(9，209)提供有与所述第二电极(11，211，311)连接的第二接触区域(13)。9.权利要求8的谐振器，其中所述第一接触区域(12，112，212)与所述第一电极的第二边(16)连接。10.权利要求1-9中任一项所述的谐振器，其中所述石英晶体(7，107)的第一和第二表面(8，108；9)是平整的。11.权利要求1-9中任一项所述的谐振器，其中所述石英晶体(207)为反台面形状，即具有在其中提供第一电极(210)的薄中心区域。12.权利要求11的谐振器，其中所述晶体(207)的第一边具有至少一个在其中提供第一电极(210)的第一凹槽(19)，所述第一凹槽(19)具有壁(24)和底表面(21)，该底表面的面积大于第一电极(210)，并且，其中所述第一电极被设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：特奥多阿斯托普，简史密斯，亨利克安德森，
申请(专利权)人：阿塔纳股份公司，
类型：发明
国别省市：SE[瑞典]
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