压电谐振器、用于压电谐振器的压电材料以及用于制造压电谐振器的方法技术

本公开内容涉及压电谐振器、用于压电谐振器的压电材料和用于制造压电谐振器的方法。特别地，本公开内容涉及包括压电材料的压电谐振器，其中，该压电材料被配置成具有提高的剪切波速度。波速度。波速度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压电谐振器、用于压电谐振器的压电材料以及用于制造压电谐振器的方法


[0001]本公开内容涉及压电谐振器、用于压电谐振器的压电材料以及用于制造压电谐振器的方法。特别地，本公开内容涉及包括压电材料的压电谐振器，其中，压电材料被配置成具有提高的剪切波速度，该提高的剪切波速度又能够提高压电材料的谐振频率和品质因子。

技术介绍

[0002]压电谐振器用于不同类型的谐振系统。压电谐振器的一种常见应用是质量敏感的化学传感器。质量敏感化学传感器可以被定义为允许测量与和该装置的感测表面相关联或结合至该装置的感测表面的质量成比例缩放的属性的任何装置。可以使用若干这样的传感器技术，例如基于渐消失波的传感器(例如表面等离子体共振(SPR，其能够通过表面处的折射率的相关联变化来记录质量变化))、光学波导(也取决于与质量结合事件相关联的折射率变化)、光学衍射、光学干涉、椭圆偏振技术和声波器件(例如石英晶体微天平(QCM))。这些传感器方法在本领域中是公认的(参见例如Biomolecular Sensors,Gizeli and Lowe.Taylor and Franci本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种压电谐振器，包括压电材料，其中，所述压电材料被配置成具有降低的氢含量以增加所述压电材料的剪切波速度。2.根据权利要求1所述的压电谐振器，其中，相对于包括不具有降低的氢含量的压电材料的压电谐振器的谐振频率，包括具有所述降低的氢含量的所述压电材料的所述压电谐振器的谐振频率增加。3.根据权利要求2所述的压电谐振器，其中，当在水中测量时，包括具有所述降低的氢含量的所述压电材料的所述压电谐振器的谐振频率为至少6MHz。4.根据权利要求3所述的压电谐振器，其中，当在水中测量时，包括具有所述降低的氢含量的所述压电材料的所述压电谐振器的谐振频率为至少14MHz。5.根据权利要求2所述的压电谐振器，其中，当在水中测量时，包括具有所述降低的氢含量的所述压电材料的所述压电谐振器的谐振频率为至少7MHz、7.2MHz、8.4MHz、9.6MHz、9.8MHz、10.8MHz、11.2MHz以及12.6MHz中的一个。6.根据权利要求2
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4中的任一项所述的压电谐振器，其中，包括具有所述降低的氢含量的所述压电材料的所述压电谐振器的谐振频率被提高到至少1.2倍。7.根据权利要求2
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4中的任一项所述的压电谐振器，其中，包括具有所述降低的氢含量的所述压电材料的所述压电谐振器的谐振频率被提高到至少1.4倍。8.根据任一前述权利要求所述的压电谐振器，其中，相对于包括不具有降低的氢含量的压电材料的压电谐振器的Q因子，包括具有所述降低的氢含量的所述压电材料的所述压电谐振器的Q因子被提高。9.根据权利要求8所述的压电谐振器，其中，包括具有所述降低的氢含量的所述压电材料的所述压电谐振器的Q因子被提高到至少1.1倍。10.根据权利要求8所述的压电谐振器，其中，当在水中测量时，包括具有所述降低的氢含量的所述压电材料的所述压电谐振器的Q因子至少为1450。11.根据任一前述权利要求所述的压电谐振器，其中，所述压电材料的氢含量被降低到大约0.05wt.ppm或更少的水平。12.根据任一前述权利要求所述的压电谐振器，其中，所述压电材料包括晶体板。13.根据任一前述权利要求所述的压电谐振器，其中，所述压电材料具有从160μm至350μm的厚度。14.根据权利要求13所述的压电谐振器，其中，所述压电材料为石英晶体板。15.根据任一前述权利要求所述的压电谐振器，其中，所述压电谐振器包括第一电极和第二电极，其中，每个电极具有预定面积，并且，其中，所述第一电极覆盖所述压电材料的第一平的表面，并且所述第二电极覆盖所述压电材料的第二平的表面，所述第二平的表面与所述压电材料的所述第一平的表面相对。16.根据权利要求15所述的压电谐振器，其中，每个电极部分地覆盖所述压电材料的相应平的表面。17.根据权利要求15或16述的压电谐振器，其中，所述第一电极包括延伸到所述压电材料的所述第二平的表面上的第一部分。18.根据任一前述权利要求所述的压电谐振器，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：丹尼尔，
申请(专利权)人：阿塔纳股份公司，
类型：发明
国别省市：