【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】驻极体胶囊
[0001]本专利技术总体上涉及驻极体胶囊领域,更具体地涉及集成在驻极体胶囊中的阻抗转换器的电路配置,驻极体胶囊诸如用于预极化电容传声器中。
技术介绍
[0002]驻极体胶囊通常用在传声器设计中并且很容易获得。然而,随着微机电系统(MEMS)胶囊的发展,驻极体胶囊逐渐淡出人们的视线,MEMS胶囊的生产成本更低,因此在大多数应用中已取代驻极体胶囊。然而,MEMS胶囊具有更大的噪声,并且不易获得定向极化响应。虽然这种效果不足以成为消费电子产品的问题,但是诸如专业人士使用的高端传声器的信号输出品质会受到明显影响。
[0003]随着MEMS胶囊的日益普及,用于制造低噪声高性能驻极体胶囊的电子元件的供应迅速减少。
[0004]因此,需要一种适用于高端传声器并提供与传统现有技术驻极体胶囊相当或改进的功能的驻极体胶囊电路的替代方法。本专利技术满足了这种需要。
技术实现思路
[0005]本专利技术总体上涉及驻极体胶囊领域,更具体地涉及集成在驻极体胶囊中的阻抗转换器的电路配置,驻极体胶囊诸如用于预极
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种驻极体胶囊,包括:两个或更多个场效应晶体管(FET)的偏置布置结构;背板组件,该背板组件包括背板、声学壳体、声阻材料和接触弹簧;隔膜组件,该隔膜组件经由垫圈联接到所述背板组件;和外部壳体,该外部壳体包括防护网。2.根据权利要求1所述的驻极体胶囊,其中,所述背板经由所述接触弹簧连接到印刷电路板(PCB)。3.根据权利要求1所述的驻极体胶囊,其中,所述两个或更多个FET包括用于偏置低噪声FET的栅极偏置FET。4.根据权利要求1所述的驻极体胶囊,还包括连接器,其中,所述连接器是PCB引脚、引线和端子中的至少一个。5.一种驻极体胶囊电路,包括:第一和第二场效应晶体管(FET),每个FET都包括源极、漏极和栅极;所述第一和第二FET的偏置布置结构,其中,所述第一FET...
【专利技术属性】
技术研发人员:P,
申请(专利权)人:弗里德曼电子私人有限公司,
类型:发明
国别省市:
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