【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非水电解质二次电池
[0001]本专利技术涉及非水电解质二次电池,更详细而言,涉及具备含Si的负极的高容量的非水电解质二次电池。
技术介绍
[0002]已知Si或含有Si的化合物与石墨等碳系活性物质相比,每单位体积可以吸储更多锂离子。例如,专利文献1中公开了将含有Si的化合物用作负极活性物质的非水电解质二次电池。另外,专利文献1中记载了通过使伴随负极的锂插入的膨胀率为1.05以上且3.0以下,将电池充电至充电终止电压时的负极材料的Li相对于Si的当量比调整为特定的范围内,电池的循环特性提高。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本专利第5229239号
技术实现思路
[0006]含Si的负极存在伴随充放电的体积变化大,由此电池的充放电循环特性下降的技术问题。伴随充放电的负极的大的体积变化会促进电解质的分解,这成为循环特性恶化的一个原因。需要说明的是,专利文献1的非水电解质二次电池在循环特性方面尚有改良的余地。
[0007]本专利技术的非水电 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种非水电解质二次电池,其中,所述非水电解质二次电池具备正极、负极以及非水电解质,所述负极具有负极芯体和形成于所述负极芯体的至少一面的负极合剂层,所述负极的充电膨化率(E1)相对于放电膨化率(E2)的比率(E1/E2)为1.05以上且低于1.15,且相对于所述负极合剂层中的负极活性物质的质量,硅材料的含量为3~12质量%。2.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池,其中,所述负极合剂层中,作为负极活性物质,包含:石墨、含有氧化硅相和分散在该氧化硅相中的Si的第1硅材料(SiO)、以及含有硅酸锂相和分散在该硅酸锂相中的Si的第2硅材料(LS...
【专利技术属性】
技术研发人员:谷祐児,五岛佑治,新名史治,
申请(专利权)人:松下知识产权经营株式会社,
类型:发明
国别省市:
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