【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件、半导体器件设计方法、记录用于执行半导体器件设计方法的程序的记录介质和半导体器件设计支持系统，特别涉及能够防止半导体工艺在形成金属布线时由发生在等离子体步骤中的天线效应引起的天线故障的半导体器件、半导体器件设计方法、半导体器件设计方法记录介质和半导体器件设计支持系统。
技术介绍
在近来的半导体工艺布线步骤中，已经使用了各种等离子体技术。代表性的等离子体技术包括例如，在布线层构图时的干法腐蚀，在多层布线步骤中的布线层绝缘膜的等离子体TEOS膜淀积等，这将在以下称为等离子体步骤。例如，当执行等离子体腐蚀时，如果扩散层没有与金属布线连接，则等离子体电荷积累在金属布线中，电流流进与金属布线连接的晶体管的栅氧化膜。该电流会使栅氧化膜毁坏，并因为栅氧化膜的膜质量变化而使晶体管特性变化，或者使热载流子寿命下降。这种现象称为“天线效应”，由天线效应引起的故障以下称为“天线故障”。这种天线故障也是由于金属布线侧壁的天线效应引起的。为了简单说明，只考虑金属布线的区域。当超小型化时这种天线故障继续恶化下去；因素如下首先，晶体管的栅氧化膜本身很薄，并且与常规工...
【技术保护点】
一种半导体器件，通过组合和布置预先登记的功能模块并根据给定的逻辑电路说明确定布线图形来形成，其中所述功能块的未使用的输入管脚经由包含第一导电类扩散层和第一导电类型阱的衬底接触、或包含第二导电类型扩散层和第二导电类型阱的衬底接触与第一 或第二电源导通。
【技术特征摘要】
JP 1998-4-7 94993/19981.一种半导体器件，通过组合和布置预先登记的功能模块并根据给定的逻辑电路说明确定布线图形来形成，其中所述功能块的未使用的输入管脚经由包含第一导电类扩散层和第一导电类型阱的衬底接触、或包含第二导电类型扩散层和第二导电类型阱的衬底接触与第一或第二电源导通。2.一种半导体器件设计方法，通过组合和布置预先登记的功能模块并根据给定的逻辑电路说明确定布线图形来形成半导体器件，所述设计方法包括以下步骤产生包含第一导电类扩散层和第一导电类型阱的衬底接触或包含第二导...
【专利技术属性】
技术研发人员：石仓聪，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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