液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种液晶显示装置，其包括相对设置的一透明上基底和一透明下基底；一位于上基底和下基底之间的液晶分子层；形成在上基底或下基底之上的像素电极及公共电极，该像素电极和公共电极平行交错排列，其中，该像素电极和该公共电极为弯曲形状，该弯曲部分由两种弯曲结构构成。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种液晶显示装置，特别是关于一种平面内切换型(In Plane Swiching，IPS)液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示装置，是平面显示装置中的一种，其经过几十年来的发展，不仅在笔记本电脑的应用上一统天下并随着其增长而增长，还在如监视器等领域占据越来越大的份额。而其渐成主流的背后动力，是技术的显著进步带来的显示效果的提高及价格的下降。从简单矩阵驱动到主动矩阵驱动，液晶显示装置的显示对比度有了明显的提高，为了克服先前技术中液晶垂直扭转导致的视角较小的缺陷，许多公司都研发出相关的广视角技术，而平面内切换技术就是其中颇具优势的一种。其原理为像素电极和公共电极构成一平行于基底的电场，使液晶分子在和基底平行的平面内转动以改变光线的穿透率，可达到较大的观察视角。其典型结构为相互平行并交错排列的梳齿状的像素电极和公共电极，该梳齿状电极结构只有一单域电场，通电时液晶分子只有一个偏转方向，从不同视角观察，对比度不高且易产生色差。一种现有技术平面内切换型液晶显示装置的一像素区域P可参照2002年10月1日公告的美国专利第6459465号，如图1所示，该像素区域P具有数据线115，垂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置，其包括：一透明上基底；一和该上基底相对设置的下基底；一位于该上基底和下基底之间的液晶分子层；设置在上基底或下基底之上的多个闸极线及数据线；设置在该闸极线和数据线交叉处的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括闸极、源极及汲极，其闸极和闸极线连接，源极和数据线连接；形成在上基底或下基底之上的像素电极及公共电极，该像素电极和公共电极平行交错排列；其特征在于：该像素电极和该公共电极为弯曲形状，该弯曲部分由两种弯曲结构构成。

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示装置，其包括一透明上基底；一和该上基底相对设置的下基底；一位于该上基底和下基底之间的液晶分子层；设置在上基底或下基底之上的多个闸极线及数据线；设置在该闸极线和数据线交叉处的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括闸极、源极及汲极，其闸极和闸极线连接，源极和数据线连接；形成在上基底或下基底之上的像素电极及公共电极，该像素电极和公共电极平行交错排列；其特征在于该像素电极和该公共电极为弯曲形状，该弯曲部分由两种弯曲结构构成。2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于该两种弯曲结构分别是折线型结构和曲线型结构。3.如权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于该弯曲部分中外凸部分是折线型，凹陷部分是曲线型。4.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：林泽民，陈鹊如，彭家鹏，
申请(专利权)人：群康科技深圳有限公司，群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]