一种耐高温超低退磁率的钐钴磁体制造技术

本实用新型专利技术公开了一种耐高温超低退磁率的钐钴磁体，包括钐钴磁体主体，所述钐钴磁体主体的表面开设有若干个渐变槽，所述渐变槽的内部设置有防护组件，且钐钴磁体主体的内壁处设置有磁性保护组件；所述防护组件包括设置在渐变槽内部的橡胶块，本实用新型专利技术涉及钐钴磁体技术领域。该耐高温超低退磁率的钐钴磁体，通过在渐变槽的内部设置防护组件，利用钐钴磁体主体不使用状态时，橡胶块通过螺纹槽和螺栓固定在渐变槽内部，使用时橡胶块延伸至钐钴磁体主体的外部，对钐钴磁体主体起到了很好的保护效果，配合钐钴磁体主体的内壁处设置磁性保护组件，利用石墨烯球的强导热性，可以有效的避免高温影响钐钴磁体的磁性，降低了钐钴磁体退磁率。磁率。磁率。

【技术实现步骤摘要】
一种耐高温超低退磁率的钐钴磁体


[0001]本技术涉及钐钴磁体
，具体为一种耐高温超低退磁率的钐钴磁体。

技术介绍

[0002]钐钴磁铁，是一种稀土磁铁，是由钐、钴和其它金属稀土材料经配比，溶炼成合金，经粉碎、压型、烧结后制成的一种磁性工具材料，具有高磁能积、极低的温度系数，其最大磁能积、矫顽性及温度稳定性和化学稳定性均超过钕铁硼永磁材料。
[0003]现有的钐钴磁体，缺乏钐钴磁体的保护结构，导致钐钴磁体使用掉落后容易退磁，并且高温也会影响钐钴磁体的磁性，钐钴磁体退磁率较高，为此，本技术提出了一种耐高温超低退磁率的钐钴磁体。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本技术提供了一种耐高温超低退磁率的钐钴磁体，解决了现有的钐钴磁体，缺乏钐钴磁体的保护结构，使用掉落后容易退磁，并且高温也会影响钐钴磁体的磁性的问题。
[0005]为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：一种耐高温超低退磁率的钐钴磁体，包括钐钴磁体主体，所述钐钴磁体主体的表面开设有若干个渐变槽，所述渐变槽的内部设置有防护组件，且钐钴磁体主体的内壁处设置有磁性保护组件；所述防护组件包括设置在渐变槽内部的橡胶块，所述渐变槽的内壁开设有移动槽，且橡胶块表面形成的凸起与移动槽的内表面滑动，所述钐钴磁体主体的内部且与移动槽连通开设有螺纹槽，且橡胶块通过螺栓与螺纹槽适配固定在渐变槽内，所述橡胶块滑出渐变槽后延伸至钐钴磁体主体的外部。
[0006]优选的，所述磁性保护组件包括开设在钐钴磁体主体内壁的若干个圆形槽，所述圆形槽的内表面转动有石墨烯球。
[0007]优选的，所述钐钴磁体主体包括基材层、耐高温层和耐腐蚀层，所述基材层的内表面与耐高温层的内表面复合。
[0008]优选的，所述耐高温层的内表面与耐腐蚀层的内表面复合，且基材层、耐高温层和耐腐蚀层之间通过粘结剂粘结。
[0009]优选的，所述耐高温层包括珍珠岩层和复合硅酸镁铝层，且珍珠岩层的底部与复合硅酸镁铝层的顶部复合。
[0010]优选的，所述耐腐蚀层包括环氧酚醛防腐涂层和聚氨酯层，且环氧酚醛防腐涂层的底部与聚氨酯层的顶部复合。
[0011]有益效果
[0012]本技术提供了一种耐高温超低退磁率的钐钴磁体。与现有技术相比具备以下有益效果：
[0013](1)、该耐高温超低退磁率的钐钴磁体，通过在渐变槽的内部设置防护组件，利用
钐钴磁体主体不使用状态时，橡胶块通过螺纹槽和螺栓固定在渐变槽内部，使用时橡胶块延伸至钐钴磁体主体的外部，对钐钴磁体主体起到了很好的保护效果，配合钐钴磁体主体的内壁处设置磁性保护组件，利用石墨烯球的强导热性，可以有效的避免高温影响钐钴磁体的磁性，降低了钐钴磁体退磁率。
[0014](2)、该耐高温超低退磁率的钐钴磁体，通过在钐钴磁体主体包括基材层、耐高温层和耐腐蚀层，利用珍珠岩层和复合硅酸镁铝层增强钐钴磁体主体的耐高温性能，配合环氧酚醛防腐涂层和聚氨酯层增强钐钴磁体主体的耐腐蚀性能。
附图说明
[0015]图1为本技术的外部结构立体图；
[0016]图2为本技术的内部结构立体图；
[0017]图3为本技术的层结构示意图。
[0018]图中：1
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钐钴磁体主体、11
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基材层、12
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耐高温层、13
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耐腐蚀层、2
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渐变槽、3
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防护组件、31
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橡胶块、32
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移动槽、33
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螺纹槽、34
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螺栓、4
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磁性保护组件、41
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圆形槽、42
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石墨烯球。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]请参阅图1
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2，本技术提供一种技术方案：一种耐高温超低退磁率的钐钴磁体，包括钐钴磁体主体1，钐钴磁体主体1的表面开设有若干个渐变槽2，渐变槽2的深度呈线性变化，渐变槽2的内部设置有防护组件3，且钐钴磁体主体1的内壁处设置有磁性保护组件4,磁性保护组件4包括开设在钐钴磁体主体1内壁的若干个圆形槽41，圆形槽41的设置可以让石墨烯球42滚动，加快散热，圆形槽41的内表面转动有石墨烯球42，石墨烯球42采用石墨烯材料，导热性能强；防护组件3包括设置在渐变槽2内部的橡胶块31，橡胶块31为橡胶材料，渐变槽2的内壁开设有移动槽32，且橡胶块31表面形成的凸起与移动槽32的内表面滑动，钐钴磁体主体1的内部且与移动槽32连通开设有螺纹槽33，且橡胶块31通过螺栓34与螺纹槽33适配固定在渐变槽2内，橡胶块31滑出渐变槽2后延伸至钐钴磁体主体1的外部，通过在渐变槽2的内部设置防护组件3，利用钐钴磁体主体1不使用状态时，橡胶块31通过螺纹槽33和螺栓34固定在渐变槽2内部，使用时橡胶块31延伸至钐钴磁体主体1的外部，对钐钴磁体主体1起到了很好的保护效果，配合钐钴磁体主体1的内壁处设置磁性保护组件4，利用石墨烯球42的强导热性，可以有效的避免高温影响钐钴磁体的磁性，降低了钐钴磁体退磁率。
[0021]请参阅图3，钐钴磁体主体1包括基材层11、耐高温层12和耐腐蚀层13，基材层11的内表面与耐高温层12的内表面复合，耐高温层12的内表面与耐腐蚀层13的内表面复合，且基材层11、耐高温层12和耐腐蚀层13之间通过粘结剂粘结，耐高温层12包括珍珠岩层和复合硅酸镁铝层，且珍珠岩层的底部与复合硅酸镁铝层的顶部复合，耐腐蚀层13包括环氧酚醛防腐涂层和聚氨酯层，且环氧酚醛防腐涂层的底部与聚氨酯层的顶部复合，通过在钐钴
磁体主体1包括基材层11、耐高温层12和耐腐蚀层13，利用珍珠岩层和复合硅酸镁铝层增强钐钴磁体主体的耐高温性能，配合环氧酚醛防腐涂层和聚氨酯层增强钐钴磁体主体的耐腐蚀性能。
[0022]同时本说明书中未作详细描述的内容均属于本领域技术人员公知的现有技术。
[0023]工作时，通过在渐变槽2的内部设置防护组件3，利用钐钴磁体主体1不使用状态时，橡胶块31通过螺纹槽33和螺栓34固定在渐变槽2内部，使用时解除螺栓34和螺纹槽33之间的限位，然后推动橡胶块31沿着移动槽32滑动，直至橡胶块31滑动至移动槽32的末端，然后再利用螺栓34和螺纹槽33的螺纹连接进行限位，橡胶块31延伸至钐钴磁体主体1的外部，对钐钴磁体主体1起到了很好的保护效果，配合钐钴磁体主体1的内壁处设置磁性保护组件4，利用石墨烯球42的强导热性，可以有效的避免高温影响钐钴磁体的磁性，降低了钐钴磁体退磁率；通过在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐高温超低退磁率的钐钴磁体，包括钐钴磁体主体(1)，其特征在于：所述钐钴磁体主体(1)的表面开设有若干个渐变槽(2)，所述渐变槽(2)的内部设置有防护组件(3)，且钐钴磁体主体(1)的内壁处设置有磁性保护组件(4)；所述防护组件(3)包括设置在渐变槽(2)内部的橡胶块(31)，所述渐变槽(2)的内壁开设有移动槽(32)，且橡胶块(31)表面形成的凸起与移动槽(32)的内表面滑动，所述钐钴磁体主体(1)的内部且与移动槽(32)连通开设有螺纹槽(33)，且橡胶块(31)通过螺栓(34)与螺纹槽(33)适配固定在渐变槽(2)内，所述橡胶块(31)滑出渐变槽(2)后延伸至钐钴磁体主体(1)的外部。2.根据权利要求1所述的一种耐高温超低退磁率的钐钴磁体，其特征在于：所述磁性保护组件(4)包括开设在钐钴磁体主体(1)内壁的若干个圆形槽(41)，所述圆形槽(41)的内...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵宇，徐玲燕，文图辉，胡金辉，王栋，房漪，樊金奎，
申请(专利权)人：杭州永磁集团有限公司，
类型：新型
国别省市：