高密度开关卡制造技术

本实用新型专利技术涉及PCB测试技术领域，特别涉及高密度开关卡，双密度测试头电连接于AB30S固态继电器，AB30S固态继电器电连接于M876单片机，M876单片机通过上位机接口连接于上位机，M876单片机包括M876芯片U3和M876芯片U4，M876芯片U3和M876芯片U4分别电连接于AB30S固态继电器，双密度测试头通过接头T与AB30S固态继电器连接。与现有技术相比，本实用新型专利技术的高密度开关卡节省成本空间，简化优化电路结构，布局合理，利于提高测试效率和测试数据精度。利于提高测试效率和测试数据精度。利于提高测试效率和测试数据精度。

【技术实现步骤摘要】
高密度开关卡


[0001]本技术涉及PCB测试
，特别涉及高密度开关卡。

技术介绍

[0002]现有技术中的PCB测试板卡一般采用模拟芯片扩展电路，电路复杂，分离元件多，成本增高，布局混乱。

技术实现思路

[0003]为了克服上述问题，本技术提出一种可有效解决上述问题的高密度开关卡。
[0004]本技术解决上述技术问题提供的一种技术方案是：提供一种高密度开关卡，包括双密度测试头、AB30S固态继电器、M876单片机，所述双密度测试头电连接于AB30S固态继电器，AB30S固态继电器电连接于M876单片机，所述M876单片机通过上位机接口连接于上位机；所述M876单片机包括M876芯片U3和M876芯片U4，所述M876芯片U3和M876芯片U4分别电连接于AB30S固态继电器；所述双密度测试头通过接头T与AB30S固态继电器连接。
[0005]优选地，所述M876芯片U3上设置有接口A0、接口A1、接口A2、接口A3、接口A4、接口A5、接口A6、接口A7，所述AB30S固态继电器上设置有接口A01、接口A03、接口A05、接口A07、接口A09、接口A11、接口A13、接口A15，所述接口A01、接口A03、接口A05、接口A07、接口A09、接口A11、接口A13、接口A15分别连接于M876芯片U3上的接口A0、接口A1、接口A2、接口A3、接口A4、接口A5、接口A6、接口A7。
[0006]优选地，所述M876芯片U4上设置有接口A0、接口A1、接口A2、接口A3、接口A4、接口A5、接口A6、接口A7，所述AB30S固态继电器上设置有接口A02、接口A04、接口A06、接口A08、接口A10、接口A12、接口A14、接口A16，所述接口A02、接口A04、接口A06、接口A08、接口A10、接口A12、接口A14、接口A16分别连接于M876芯片U4上的接口A0、接口A1、接口A2、接口A3、接口A4、接口A5、接口A6、接口A7。
[0007]优选地，所述双密度测试头的型号为CON
‑
32X2。
[0008]与现有技术相比，本技术的高密度开关卡采用M876单片机和双密度测试头，节省成本空间，简化优化电路结构，布局合理，利于提高测试效率和测试数据精度。
【附图说明】
[0009]图1为本技术高密度开关卡的结构框架图；
[0010]图2为本技术高密度开关卡的M876单片机的M876芯片U3电路原理图；
[0011]图3为本技术高密度开关卡的AB30S固态继电器电路原理图；
[0012]图4为本技术高密度开关卡的双密度测试头电路原理图。
【具体实施方式】
[0013]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施
实例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用于解释本技术，并不用于限定本技术。
[0014]需要说明，本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅限于指定视图上的相对位置，而非绝对位置。
[0015]另外，在本技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0016]请参阅图1至图4，本技术的高密度开关卡，包括双密度测试头、AB30S固态继电器、M876单片机，所述双密度测试头电连接于AB30S固态继电器，AB30S固态继电器电连接于M876单片机，所述M876单片机通过上位机接口连接于上位机。
[0017]所述M876单片机包括M876芯片U3和M876芯片U4，所述M876芯片U3和M876芯片U4分别电连接于AB30S固态继电器，M876芯片U3和M876芯片U4为相同型号芯片。所述M876芯片U3上设置有接口A0、接口A1、接口A2、接口A3、接口A4、接口A5、接口A6、接口A7，所述AB30S固态继电器上设置有接口A01、接口A03、接口A05、接口A07、接口A09、接口A11、接口A13、接口A15，所述接口A01、接口A03、接口A05、接口A07、接口A09、接口A11、接口A13、接口A15分别连接于M876芯片U3上的接口A0、接口A1、接口A2、接口A3、接口A4、接口A5、接口A6、接口A7；所述M876芯片U4上设置有接口A0、接口A1、接口A2、接口A3、接口A4、接口A5、接口A6、接口A7，所述AB30S固态继电器上设置有接口A02、接口A04、接口A06、接口A08、接口A10、接口A12、接口A14、接口A16，所述接口A02、接口A04、接口A06、接口A08、接口A10、接口A12、接口A14、接口A16分别连接于M876芯片U4上的接口A0、接口A1、接口A2、接口A3、接口A4、接口A5、接口A6、接口A7。
[0018]所述双密度测试头的型号为CON
‑
32X2，双密度测试头通过接头T与AB30S固态继电器连接。
[0019]工作时，M876单片机接收到上位机指令，根椐指令控制AB30S固态继电器，M876单片机接收到双密度测试头经过AB30S固态继电器传回来的数据，经过计算处理后回传给上位机。
[0020]与现有技术相比，本技术的高密度开关卡采用M876单片机和双密度测试头，节省成本空间，简化优化电路结构，布局合理，利于提高测试效率和测试数据精度。
[0021]以上所述仅为本技术的较佳实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是在本技术的构思之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含在本技术的专利保护范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高密度开关卡，其特征在于，包括双密度测试头、AB30S固态继电器、M876单片机，所述双密度测试头电连接于AB30S固态继电器，AB30S固态继电器电连接于M876单片机，所述M876单片机通过上位机接口连接于上位机；所述M876单片机包括M876芯片U3和M876芯片U4，所述M876芯片U3和M876芯片U4分别电连接于AB30S固态继电器；所述双密度测试头通过接头T与AB30S固态继电器连接。2.如权利要求1所述的高密度开关卡，其特征在于，所述M876芯片U3上设置有接口A0、接口A1、接口A2、接口A3、接口A4、接口A5、接口A6、接口A7，所述AB30S固态继电器上设置有接口A01、接口A03、接口A05、接口A07、接口A09、接口A11、接口A13、接口A15，所述接口A01、接口A03、接口A05、接口A07、接口A09、接口A...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱勇涛，
申请(专利权)人：深圳加都佳电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：