【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及图像传感器,更具体地讲,本专利技术涉及一种采用在光电二极管顶部涂有防反射涂层的像素的图像传感器。
技术介绍
图像传感器已经变得无处不在,它们被广泛地用于数字照相机、便携式电话、保密照相机、医疗器械、汽车和其它应用场合。制造图像传感器的技术、特别是CMOS(互补型金属氧化半导体)图像传感器持续地快速发展。例如,高分辨率和低能耗的要求促进了图像传感器的进一步的小型化及集成。由于像素变小,能够接受入射光线的表面区域也减小。像素通常具有光感应元件,如光电二极管,其接受入射光线并产生与入射光线总数相关的信号。由于感光元件的尺寸小,因此让小尺寸的感光元件也能与大尺寸的感光元件一样接收同等数量的入射光线则尤为重要。入射光线损失的一个主要原因是因为在光电二极管(硅表面)到氧化层(二氧化硅)的分界面处发生了反射。在该分界面,大量的光线被反射,导致光电二极管的响应度与量子效率相应降低。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术提供了如此一种像素,其包括设在半导体基体中的感光元件;以及设在上述感光元件顶上的防反射涂层。上述的像素中,感光元件可以是光电二极管、PIN型光电二极管、部分PIN型光电二极管或光电门。本专利技术的像素还可进一步包括设在感光元件与浮动节点之间的、可选择性地将信号从该感光元件传输至该浮动节点的传输晶体管;以及被上述浮动节点控制的放大晶体管。或者,本专利技术的像素进一步包括设在感光元件与节点之间的、可选择性地将该节点恢复到一参考电压的复位晶体管;以及被上述节点控制的放大晶体管。优选地,上述感光元件为光电二极管;而且该光电二极管在半导体基体的表面上 ...
【技术保护点】
一种像素,包括:一设在半导体基体中的感光元件;以及一设在所述感光元件顶上的防反射涂层。
【技术特征摘要】
US 2004-11-9 10/985,1711.一种像素,包括一设在半导体基体中的感光元件;以及一设在所述感光元件顶上的防反射涂层。2.如权利要求1所述的像素,其中,所述感光元件选自于光电二极管、PIN型光电二极管、部分PIN型光电二极管或光电门。3.如权利要求1所述的像素,其进一步包括一设在所述感光元件与浮动节点之间的、可选择性地将信号从所述感光元件传输至所述浮动节点的传输晶体管;以及一被所述浮动节点控制的放大晶体管。4.如权利要求1所述的像素,其进一步包括一设在所述感光元件和一节点之间、可选择性地将所述节点恢复到一参考电压的复位晶体管;以及一被所述节点控制的放大晶体管。5.如权利要求1所述的像素,其中,所述的感光元件为光电二极管。6.如权利要求5所述的像素,其中,所述的光电二极管在所述半导体基体的表面上设有一P+连接层。7.如权利要求1所述的像素,其进一步包括设在所述感光元件与所述防反射涂层之间的缓冲层。8.如权利要求7所述的像素,其中,所述的缓冲层是薄的氧化物层。9.如权利要求8所述的像素,其中,所述的薄的氧化物层是厚度在20-100埃之间的二氧化硅。10.如权利要求1所述的像素,其中,所述的防反射涂层的厚度在200-1500埃之间。11.如权利要求10所述的像素,其中,所述的防反射涂层的厚度在300-1000埃之间。12.如权利要求1所述的像素,其中,所述像素集成于一CMOS图像传感器内。13.如权利要求1所述的像素,其中,所述像素集成于一CCD图像传感器内。14.如权利要求1所述的像素,其中,所述的防反射涂层为多层堆叠。15.如权利要求14所述的像素,其中,所述的多层堆叠包括至少两层。16.如权利要求15所述的像素,其中,所述的多层堆叠为SiOxNy/Si3N4。17.如权利要求15所述的像素,其中,所述的多层堆叠为SiOxNy/Si3N4/SiOwNz。18.如权利要求1所述的像素,其中,所述的防反射涂层为指数分级变化材料。19.如权利要求18所述的像素,其中,所述指数分级变化材料是由SiOxNy积淀而成,其中在积淀过程中氧和氮的流量是变化的。20.一种像素,包括一设在半导体基体中的光电二极管;一设在所述光电二极管顶上的缓冲层;以及一设在所述光电二极管顶上的防反射涂层。21.如权利要求20所述的像素,其中,所述的光电二极管为PIN型光电二极管。22.如权利要求20所述的像素,其进一步包括一设在所述感光元件与一浮动节点之间的、可选择性地将信号从所述感光元件传输至所述浮动节点的传输晶体管;以及一被所述浮动节点控制的放大晶体管。23.如权利要求20所述的像素,其进一步包括一设在所述感光元件与一节点之间的、可选择性地将所述节点恢复到一参考电压的复位晶体管;以及一被所述节点控制的放大晶体管。24.如权利要求20所述的像素,其中,所述缓冲层为二氧化硅。25.如权利要求20...
【专利技术属性】
技术研发人员:霍华德E罗德斯,
申请(专利权)人:豪威科技有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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