【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于化合物半导体
，特别是指一种用于在砷化镓(GaAs)基重掺杂的铟镓砷(n+In0.53Ga0.47As)上形成良好欧姆接触的金属合金结构。
技术介绍
良好的欧姆接触是化合物半导体器件制作的关键工艺之一，它对器件的性能，如效率、增益、开关速度等有很大的影响。其基本原理就是紧靠金属的半导体层做成高掺杂层，电子通过隧穿进行电流输运。在III-V族化合物半导体中，砷化镓(GaAs)器件较早得到广泛的研究和应用，对它的欧姆接触研究开展得较多且深入。在n型砷化镓(GaAs)上将金锗镍(AuGeNi)合金欧姆接触用得最普遍，此后的二元到四元系化合物几乎都是用AuGe(金锗)或金锗镍(AuGeNi)来做欧姆接触。随着对高频、低噪声、低电压化合物器件越来越广泛的需求，在化合物器件设计中产生了一些很有发展潜力的新材料结构(如应用缓冲生长技术生长化合物器件材料结构)，如何有效降低新器件结构欧姆接触电阻一直是器件制作中重要而紧迫的任务之一。在砷化镓(GaAs)衬底材料上用缓冲生长技术生长铟镓砷/铟铝砷(In0.52Ga0.48As/In0.53Al0.47As)结...
【技术保护点】
一种适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统，其特征在于，欧姆接触金属蒸发时采用镍／锗／金／锗／镍／金的六层结构，蒸发顺序依次为镍／锗／金／锗／镍／金，与传统的金／锗／镍或金／锗金属合金结构相比，本欧姆接触系统具有在较低合金温度、较短合金时间下，在重掺杂铟镓砷层与金属层间形成良好的欧姆接触，合金表面形貌光滑平整，图形边缘整齐并且与工艺的兼容性好。
【技术特征摘要】
1.一种适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统，其特征在于，欧姆接触金属蒸发时采用镍/锗/金/锗/镍/金的六层结构，蒸发顺序依次为镍/锗/金/锗/镍/金，与传统的金/锗/镍或金/锗金属合金结构相比，本欧姆接触系统具有在较低合金温度、较短合金时间下，在重掺杂铟镓砷层与金属层间形成良好的欧姆接触，合金表面形貌光滑平整，图形边缘整齐并且与工艺的兼容性好。2.按照权利要求1所述的金属合金系统，其特征在于，所述与重掺杂铟镓砷层接触的六层金属，其最底层金属镍...
【专利技术属性】
技术研发人员：李海鸥，尹军舰，张海英，和致经，叶甜春，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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