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本发明一种适用于高速砷化镓基器件欧姆接触的金属合金系统，在重掺杂铟镓砷半导体层上与金属形成良好欧姆接触的新型六层金属结构镍／锗／金／锗／镍／金，在较低的温度３６０－３８０度和较短的时间５０－８０秒内，于氮气气氛下合金得到低的欧姆接触电阻，可...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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