形成接触窗开口的蚀刻方法技术

一种形成接触窗开口的蚀刻方法。提供具有至少例如栅极结构的一元件的基底，基底上依序形成有一金属硅化物层、一保护层、一间介电层、一掩模层与一图案化的光致抗蚀剂层。蚀刻形成接触窗开口的过程中，因金属硅化物层被保护层所覆盖且光致抗蚀剂去除步骤于移除部份保护层前进行，金属硅化物层不会损伤或劣化；且所采用的光致抗蚀剂去除步骤可有效率地移除光致抗蚀剂而较无光致抗蚀剂残留的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种形成开口的蚀刻方法，特别是涉及一种减少或防止金属硅化物损伤的。
技术介绍
随着半导体元件积集度增加，元件中的图案与线宽亦逐渐缩小，导致元件中的栅极与导线的接触电阻增高，产生较长的电阻-电容延迟(RC Delay)，影响元件操作速度。由于金属硅化物的电阻较多晶硅低，且其热稳定性也比一般内连线材料(例如铝)高，因此为了降低漏极(Drain)与源极(Source)的片电阻(Sheet Resistance)，并确保金属与半导体元件之间浅结(Shallow Junction)的完整，可在栅极与源极/漏极和金属连线的连接接口形成金属硅化物(Metalsilicide)，以降低栅极与源极/漏极和金属连线之间的电阻。传统方法是在含硅材料层上形成金属层，经热工艺使覆盖于含硅材料层上的金属与硅反应形成金属硅化物；或是直接在含硅材料层上覆盖金属硅化物。目前在超大规模集成电路(VLSI)元件的半导体元件工艺中，广泛被采用的则是自行对准金属硅化物(self-aligned silicide；salicide)的工艺。金属硅化物的较常使用材料包括硅化钛、硅化钴或硅化镍等。目前，在线宽65本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成接触窗开口的蚀刻方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底具有一栅极结构，其中该栅极结构上覆盖有一金属硅化物层，且该金属硅化物层上方还覆盖有一保护层；于该基底之上形成一间介电层；于该间介电层上形成一掩模层；　 　于该掩模层之上形成一图案化的光致抗蚀剂层；进行一第一蚀刻步骤以移除未被该图案化的光致抗蚀剂层所覆盖的该间介电层与该掩模层，直到露出该保护层；进行一光致抗蚀剂去除步骤以移除该图案化的光致抗蚀剂层；以及进行一第二蚀刻步骤移除暴 露出的该保护层，以形成接触窗开口，其中该第二蚀刻步骤选择性地移除该保护层而露...

【技术特征摘要】
1.一种形成接触窗开口的蚀刻方法，包括下列步骤提供一基底，该基底具有一栅极结构，其中该栅极结构上覆盖有一金属硅化物层，且该金属硅化物层上方还覆盖有一保护层；于该基底之上形成一间介电层；于该间介电层上形成一掩模层；于该掩模层之上形成一图案化的光致抗蚀剂层；进行一第一蚀刻步骤以移除未被该图案化的光致抗蚀剂层所覆盖的该间介电层与该掩模层，直到露出该保护层；进行一光致抗蚀剂去除步骤以移除该图案化的光致抗蚀剂层；以及进行一第二蚀刻步骤移除暴露出的该保护层，以形成接触窗开口，其中该第二蚀刻步骤选择性地移除该保护层而露出其下的该金属硅化物层，却不伤害间介电层或掩模层。2.如权利要求1所述的形成接触窗开口的蚀刻方法，其中形成该金属硅化物层的材料选自于由硅化镍、硅化钯、硅化铂与硅化钴所组成的族群中。3.如权利要求1所述的形成接触窗开口的蚀刻工艺，其中形成该保护层的材料包括氮化硅。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：周珮玉，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]