半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种可以在衬垫的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：半导体层（１０）；晶体管（１００）、（１２０），其设置于半导体层（１０）上，并具有栅极绝缘层（１０４）、（１２４）以及栅电极（１０６）、（１２６）；层间绝缘层（４０），其设置于晶体管（１００）、（１２０）的上方；以及，电极垫（４２），其设置于层间绝缘层（４０）的上方，俯视观察时，与栅电极（１０６）、（１２６）的至少一部分相重叠，其中，晶体管（１００）、（１２０）为在栅电极（１０６）、（１２６）端部的下方设置有比栅极绝缘层（１０４）、（１２４）的膜厚更厚的绝缘层（１０２）、（１２２）的高耐压晶体管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
现有技术中，当在衬垫的下方配置MOS晶体管等半导体元件时，则往往会由于焊接时的应力等原因而损坏MOS晶体管等半导体元件的特性，因此，在半导体芯片上，俯视观察时，衬垫形成部和形成半导体元件的区域是分开设置的。但是，随着近年来的半导体芯片的精细化以及高集成化，迫切希望在衬垫的下方也配置半导体元件。在特开2002-319587号公报中披露了此类技术的一个实例。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供可以在衬垫的下方设置半导体元件的可靠性高的半导体装置。(1)根据本专利技术的半导体装置，包括半导体层；晶体管，其具有设置于所述半导体层上的栅极绝缘层以及栅电极；层间绝缘层，其设置于所述晶体管的上方；以及，电极垫，其设置于所述层间绝缘层的上方，俯视观察时，与所述栅电极的至少一部分相重叠，其中，所述晶体管为高耐压晶体管，所述高耐压晶体管在所述栅电极端部的下方设置有比所述栅极绝缘层的膜厚更厚的绝缘层。根据本专利技术的半导体装置，在电极垫的下方设置有晶体管，俯视观察中，该晶体管的栅电极与电极垫至少一部分相重叠。并且，包含于本专利技术半导体装置中的晶体管在栅电极的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其包括：半导体层；晶体管，其设置于所述半导体层上，并具有栅极绝缘层以及栅电极；层间绝缘层，其设置于所述晶体管的上方；以及，电极垫，其设置于所述层间绝缘层的上方，俯视观察时与所述栅电极的至少一部 分相重叠，其中，所述晶体管为高耐压晶体管，所述高耐压晶体管在所述栅电极端部的下方设置有比所述栅极绝缘层的膜厚更厚的绝缘层。

【技术特征摘要】
JP 2005-6-23 2005-1833651.一种半导体装置，其包括半导体层；晶体管，其设置于所述半导体层上，并具有栅极绝缘层以及栅电极；层间绝缘层，其设置于所述晶体管的上方；以及，电极垫，其设置于所述层间绝缘层的上方，俯视观察时与所述栅电极的至少一部分相重叠，其中，所述晶体管为高耐压晶体管，所述高耐压晶体管在所述栅电极端部的下方设置有比所述栅极绝缘层的膜厚更厚的绝缘层。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其还包括钝化层，具有开口，该开口在所述电极垫的上方，使所述电极垫的至少一部分露出；以及，凸块，至少设置于所述开口处。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，俯视观察，所述栅电极的全部与所述电极垫的一部分相重叠。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘层是LOCO...

【专利技术属性】
技术研发人员：进藤昭则，田垣昌利，栗田秀昭，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]