STI模块热预算的控制方法技术

本发明专利技术公开了一种ＳＴＩ模块热预算的控制方法，将现有工艺方法中使ＨＤＰ方法生长的二氧化硅致密化的热处理过程去除。本发明专利技术可减小由于热处理而造成的ＳＴＩ的缺陷，使ＳＴＩ漏电流减小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路的工艺方法，特别是涉及一种STI模块热预算的控制方法。
技术介绍
用STI作隔离的器件，一般对STI(浅沟槽隔离)的漏电的要求都非常高。但是，在通常的半导体生产工艺流程中，都需要进行热处理，而热处理过程中的每一步骤都不可能是非常完美的，其中包括热处理机器本身的因素，还包括硅片表面状况的不同而造成的影响。现有的工艺方法如图1中的(a)、(b)所示，在STI模块中，用HDP(高密度等离子体)方法填充完二氧化硅后，或者是在STI CMP(chemicalmechanical polish化学机械抛光)之后，通常都会进行一次热处理，时间为15-60分钟，温度最高可达1000多摄氏度，目的是使HDP方法填充的二氧化硅更加致密化。如此高温而且长时间的热处理必然会造成由于应力等诸多因素而产生的STI的缺陷，从而造成STI的漏电流的增加。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种STI模块热预算的控制方法，它可减小由于热处理而造成的STI的缺陷，使STI漏电流减小。为解决上述技术问题，本专利技术STI模块热预算的控制方法是，将现有工艺方法中使HDP方法生长的二氧化硅致密化的热处理过程去除。由于采用本专利技术的方法，省略了STI模块中使HDP方法生长的二氧化硅更加致密化的热处理过程，从而减少了热预算，减小了由于热处理而造成的STI的缺陷，达到获得较小STI漏电流的效果。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明图1是现有的STI模块热预算的控制方法流程图；图2是本专利技术STI模块热预算的控制方法流程图。具体实施例方式如图2所示，本专利技术STI模块热预算的控制方法是，在STI模块中，用HDP方法填充完二氧化硅后，或者是在STI CMP之后，去除使HDP方法生长的二氧化硅更加致密化的热处理过程，直接进行后续的工艺步骤。本专利技术的方法与原工艺流程相比的优点是，在少一步热处理后，可以减小由于热处理可能产生的由应力等诸多因素而造成的STI的缺陷，减小STI的漏电流；另外，少一步热处理后，可以大大减少正常半导体工艺流程中的热预算，节约能源，并且缩短整个产品工艺的制造时间，提高工厂单位时间的产能。它可能存在缺点的是，省略热处理后，可能会造成后续的HF(氢氟酸)刻蚀对HDP二氧化硅的刻蚀速率相对较快，但是实际证明，只要相应调整HDP二氧化硅填充的程序，HF刻蚀对HDP二氧化硅的刻蚀速率不会发生太大的变化。在某一对STI漏电流有严格要求的产品中，在其余条件都相同的情况下，采用本专利技术的方法生产的硅片取得了较高的良率。而采用原工艺方法生产的硅片，最终产品的合格率几乎为零。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＳＴＩ模块热预算的控制方法，其特征在于：在ＳＴＩ模块中，用ＨＤＰ方法填充完二氧化硅后，或者ＳＴＩＣＭＰ之后，去除热处理步骤，直接进行后续的工艺步骤。

【技术特征摘要】
1.一种STI模块热预算的控制方法，其特征在于在STI模块中，用HDP方法填充...

【专利技术属性】
技术研发人员：周贯宇，陈华伦，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]