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本发明公开了一种ＳＴＩ模块热预算的控制方法，将现有工艺方法中使ＨＤＰ方法生长的二氧化硅致密化的热处理过程去除。本发明可减小由于热处理而造成的ＳＴＩ的缺陷，使ＳＴＩ漏电流减小。...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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