一种微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台制造技术

本实用新型专利技术属于化学气相沉积技术领域，具体公开了一种微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，所述沉积台包括籽晶托、均温片、基座和支撑柱，所述基座的上顶面中心沿其中心轴方向内凹形成容纳所述均温片和籽晶托的片槽；支撑柱，所述均温片通过支撑柱设置在片槽底部；所述籽晶托、均温片、通孔和片槽均为圆柱结构或正棱柱结构，所述片槽深度<均温片厚度+籽晶厚度+支撑柱高度<片槽深度+2mm。本实用新型专利技术结构简单，易于生产制造，降低了生产成本，具有良好的工业应用前景。具有良好的工业应用前景。具有良好的工业应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台


[0001]本技术属于化学气相沉积
，更具体的，具体涉及一种微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台。

技术介绍

[0002]天然金刚石储量极少且价格昂贵，多为颗粒状，常用于首饰等奢侈品消费领域；高温高压法制备的金刚石杂质较多，且难以掺杂，多为颗粒状，多用于磨料模具领域，难以满足单晶金刚石在奢侈品消费及高新
的实际需求。
[0003]化学气相沉积法（CVD）是制备高品质金刚石的有效方法，尤其是微波化学气相沉积法（MPCVD）凭借其等离子体密度大、无电极污染等优势，成为制备高品质金刚石膜的首选方案，然而由于微波放电的“边沿效应”，导致在沉积金刚石时，沉积台的温度从边缘到中心逐渐减小，温差甚至可高达数十度，最终导致制备出的金刚石均匀性较差，并且由于金刚石单晶与籽晶托的高度差增加，为避免金刚石单晶“边沿效应”增强，常采用多次生长的方法来制备单晶金刚石，该过程较为繁琐，金刚石单晶的一致性也难以保证。
[0004]现有技术常将沉积台制作成凹槽型，虽然在一定程度上，改善了等离子体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，其特征在于，所述沉积台包括：籽晶托，所述籽晶托上表面中心设置有容纳所述籽晶的通孔；均温片，所述籽晶托放置在均温片上，所述均温片的表面尺寸不小于所述籽晶托的表面尺寸；基座，所述基座为轴对称结构，所述基座包括相互平行设置的圆形上顶面和圆形下底面，所述基座的上顶面中心沿其中心轴方向内凹形成容纳所述均温片和籽晶托的片槽；支撑柱，所述均温片通过支撑柱设置在片槽底部；其中，所述籽晶托、均温片、通孔和片槽均为圆柱结构或正棱柱结构，所述片槽深度<均温片厚度+籽晶厚度+支撑柱高度<片槽深度+2mm。2.如权利要求1所述的微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，其特征在于，所述籽晶托为硅、二氧化硅、钼材质。3.如权利要求1所述的微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，其特征在于，所述基座的上顶面面积小于下底面面积。4.如权利要求1所述的微波化学气相沉积法制备单晶金刚石用的沉积台，其特征在于，所述上顶面与下底面...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯曙光，于金凤，李光存，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：新型
国别省市：