一种提高单晶金刚石质量的方法技术

一种提高单晶金刚石质量的方法，步骤包括：在生长之前，获取生长炉内的漏气率，并判断漏气率的实测值是否在标准设定区间内，以确定在生长过程中是否通入氮氢混合气体；当漏气率的实测值大于最大标准值时，不通入氮氢混合气体直至生长结束；当漏气率的实测值小于最大标准值时，在生长开始时向生长炉内通入氮氢混合气体，直至生长结束；且随着漏气率的实测值在小于漏气率的最大标准值的区间范围内的降低，则通入氮氢混合气体的含量逐渐增加。本发明专利技术可根据不同的漏气率来匹配相应的氮氢混合气体的通入量，并可获得单晶晶体生长机制为阶梯式的金刚石，不仅多晶点少且表面光滑、无小丘且无缺陷。无缺陷。无缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种提高单晶金刚石质量的方法


[0001]本专利技术属于采用化学气相沉积方法制备金刚石的
，尤其是涉及一种基于生长炉真空性能来提高单晶金刚石质量的方法。

技术介绍

[0002]MPCVD法是目前生长单晶金刚石比较主流的一种方法，也是生长高质量单晶金刚石的首选方法。因各家MPCVD设备厂商在设备的做工、材料的选型、结构的设计、配件的组合上的做法不同，导致MPCVD装置的真空性能也参差不齐，使得相应的工艺人员在进行单晶金刚石生长的过程中，会出现单晶金刚石颜色发黄发棕、表面产生多晶点、单晶片内部出现裂纹等现象。而这些现象产生都与MPCVD装置真空性能相关，根据装置的真空性能情况，控制反应气体中氮含量的浓度，可避免上述现象的出现。因此，如何判断生长炉的真空性能来提高单晶金刚石质量是本案专利技术的重点。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种提高单晶金刚石质量的方法，根据测得生长炉内的漏气率来匹配相应的氮氢混合气体的通入量，以获得更好的无缺陷高质量的单晶金刚石。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高单晶金刚石质量的方法，其特征在于，步骤包括：在生长之前，获取生长炉内的漏气率，并判断所述漏气率的实测值是否在标准设定区间内，以确定在生长过程中是否通入氮氢混合气体；当所述漏气率的实测值大于最大标准值时，不通入所述氮氢混合气体，直至生长结束；当所述漏气率的实测值小于最大标准值时，在生长开始时向所述生长炉内通入所述氮氢混合气体，直至生长结束；且随着所述漏气率的实测值在小于所述漏气率的最大标准值的区间范围内的降低，则通入所述氮氢混合气体的含量逐渐增加。2.根据权利要求1所述的一种提高单晶金刚石质量的方法，其特征在于，当所述漏气率小于最小标准值时，所述氮氢混合气体的通入量不变，体积比为0.1
‑
0.2%。3.根据权利要求1或2所述的一种提高单晶金刚石质量的方法，其特征在于，所述漏气率的最大标准值为1
×
10
‑8Pa
·
m3/s；且所述漏气率的最小标准值为1
×
10
‑
10
Pa
·
m3/s。4.根据权利要求3所述的一种提高单晶金刚石质量的方法，其特征在于，在所述漏气率的最大标准值和最小标准值之间至少设有两组区间，分别为1
×
10
‑9‑1×
10
‑8Pa
·
m3/s和1
×
10
‑
10
‑1×
10
‑9Pa
·
m3/s；当所述漏气率的测试值在1
×
10
‑9‑1×
10
‑8Pa
·
m3/s内时，所述氮氢混合气体的体积比为0
‑
0.05%；当所述漏气率的测试值在1
×
10
‑
10
‑1×
10
‑9Pa
·
m...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵丽媛，甄西合，李庆利，徐悟生，张钦辉，朱逢旭，刘得顺，杨春晖，
申请(专利权)人：天津本钻科技有限公司，
类型：发明
国别省市：