膜状物品及其制作方法技术

由于由硅晶片形成的芯片厚，因此该芯片从表面突出，或者该芯片如此大以至于通过眼睛能看到它，这影响了商务卡等的设计。因此，本发明专利技术的目的是提供一种新的集成电路，其具有一种结构，利用该结构不会影响所述设计。鉴于上述问题，本发明专利技术的特征是使膜状物品配备有薄膜集成电路。本发明专利技术的另一特征是ＩＤＦ芯片具有０．２ｍｍ或更小的半导体膜作为有源区。因此，与由硅晶片形成的芯片相比，ＩＤＦ芯片可以被制作得更薄。除此之外，与由硅晶片形成的芯片不同，这种集成电路可以具有透光特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括用于救助输入信息故障或用于避免输入错误的薄膜集成电路的膜状物品。此外，本专利技术涉及用于制作该膜状物品的方法。
技术介绍
近年来，看见配备有由硅晶片形成的芯片的产品的机会增加了。使用由硅晶片形成的芯片，可以为消费者存储以及提供各种信息。此外，由硅晶片形成的芯片并不需要手动输入信息；因此，期望救助输入故障并且避免输入错误。例如，提出了一种商务卡，其包括提供用于存储商务卡中的信息的存储功能的非接触式IC标记。利用该商务卡，在需要传送信息的情况下，使用简单的系统配置，不会误读用户的电话号码并且正确地传送该信息而不会拨错电话号码(参考1日本专利公开物No.2002-183693)。
技术实现思路
然而，在参考1中，由于由硅晶片形成的芯片厚，因此该芯片从表面突出，或者该芯片如此大以至于通过眼睛能看见它，这影响了商务卡的设计。因此，本专利技术的目的是提供具有不影响设计的结构的新的集成电路，以及包括与由硅晶片形成的芯片不同的集成电路的膜状物品，例如商务卡、卡片、或出版物。鉴于以上问题，本专利技术的特征是使诸如商务卡、卡片、或出版物之类的膜状物品配备薄膜集成电路(在下文也被称为IDF芯片)。本专利技术的另一个特征是，该IDF芯片具有0.2μm或更小，通常是40nm～170nm，以及优选是50nm～150nm的半导体膜作为有源区。因此，与由硅晶片形成的芯片相比，该IDF芯片可以被制作得更薄。根据本专利技术的IDF芯片极其薄，以便它可以插入膜状物品的元件之间并且并入该物品内部。结果，膜状物品的设计不受影响。膜状物品包括诸如商务卡、卡片、或出版物之类的薄物品。作为膜状物品的材料，使用诸如丙烯酸树脂的有机材料，例如聚丙烯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、聚甲基丙烯酸酯、ABS；化学纸浆例如硫酸盐纸浆；机械纸浆；从非木质材料例如大麻或洋麻获得的纸浆；或纸质材料例如废纸纸浆或合成纸浆。本专利技术的特征是，与由硅晶片形成的芯片不同，IDF芯片透光。因此，IDF芯片可以粘贴在膜状物品的表面上，或者可以设置在该物品的凹部中等等。尽管IDF芯片被安装在物品的表面等上，但是由于IDF芯片薄并且透光，所以该物品的设计并不受影响。更优选地，包括在IDF芯片中的半导体膜被形成为插入诸如包含氮的硅膜之类的绝缘膜和树脂之间。由于膜状物品例如商务卡经常被手接触，所以碱金属例如钠可能会进入半导体膜。因此，期望通过用绝缘膜和/或树脂覆盖该物品来避免碱金属例如钠的进入。下面将示出本专利技术的具体结构。根据本专利技术的膜状物品包括薄膜集成电路，并且该薄膜集成电路安装在该膜状物品的内部。根据本专利技术的膜状物品包括可以存储膜状物品上描述的信息的薄膜集成电路，并且该薄膜集成电路安装在该膜状物品的内部。根据本专利技术的膜状物品包括可以存储膜状物品上描述的信息的薄膜集成电路和连接到该薄膜集成电路的天线。该薄膜集成电路和天线安装在该膜状物品的内部。根据本专利技术的膜状物品包括可以存储膜状物品上描述的信息的薄膜集成电路和连接到该薄膜集成电路的天线。该薄膜集成电路安装在该膜状物品的内部，并且该天线安装在该膜状物品的表面上。关于根据本专利技术的膜状物品，当膜状物品的厚度为D时，配置薄膜集成电路的位置X可以被设置成满足(1/2)·D-30μm＜X＜(1/2)·D+30μm。根据本专利技术的膜状物品包括可以存储膜状物品上描述的信息的薄膜集成电路和连接到该薄膜集成电路的天线。该薄膜集成电路和天线安装在该膜状物品的表面上。根据本专利技术的膜状物品包括可以存储膜状物品上描述的信息的薄膜集成电路和连接到该薄膜集成电路的天线。该薄膜集成电路安装在该膜状物品的表面上，并且该天线安装在该膜状物品的内部。根据本专利技术的膜状物品包括可以存储膜状物品上描述的信息的薄膜集成电路。该膜状物品设有凹部，并且该薄膜集成电路包括天线。膜状物品上描述的信息是标记在膜状物品上的信息，例如，被印制的字符、标记、和符号。这些被印制的字符、标记、和符号可以具有颜色。可替换地，该信息可以是通过感官获取的信息，例如声音、接触、不均匀的形状等。关于根据本专利技术的膜状物品，具有缝隙的开口设置在薄膜集成电路与天线之间的连接区域中。关于根据本专利技术的膜状物品，薄膜集成电路和天线借助各向异性导体、超声接合、或UV可固化树脂被连接。关于根据本专利技术的膜状物品，薄膜集成电路具有透光特性。关于根据本专利技术的膜状物品，薄膜集成电路具有包含氮的绝缘膜。关于根据本专利技术的膜状物品，薄膜集成电路的厚度在0.1μm～3μm范围内。关于根据本专利技术的膜状物品，薄膜集成电路的面积为25mm2或更小。关于根据本专利技术的膜状物品，薄膜集成电路具有包含1×1019原子/cm3～5×1020原子/cm3的氢的半导体膜。关于根据本专利技术的膜状物品，半导体膜的厚度为0.2μm或更小。关于根据本专利技术的膜状物品，半导体膜包括源、漏、和沟道区；并且源、漏、和沟道区设置成垂直于弯曲膜状物品的方向。关于根据本专利技术的膜状物品，安装了多个薄膜集成电路。关于根据本专利技术的膜状物品，安装了多个薄膜集成电路，并且该多个薄膜集成电路与天线集成在一起。在用于制作根据本专利技术的膜状物品的方法中，多个薄膜集成电路形成在第一衬底上方；该多个薄膜集成电路被转移到第二衬底；第二衬底被切割以便切下该多个薄膜集成电路的每一个；天线连接到薄膜集成电路的连接端子；以及薄膜集成电路和天线被包进膜状物品的基底元件中。更优选地，薄膜集成电路可以被包进不具有第二衬底的膜状物品的基底元件中。在用于制作根据本专利技术的膜状物品的方法中，多个薄膜集成电路形成在第一衬底上方；该多个薄膜集成电路被转移到第二衬底；第二衬底被切割以便切下该多个薄膜集成电路的每一个；天线连接到薄膜集成电路的连接端子；以及薄膜集成电路和天线安装在膜状物品的基底元件的表面上。更优选地，薄膜集成电路可以安装在不具有第二衬底的膜状物品的基底元件的表面上。在用于制作根据本专利技术的膜状物品的方法中，多个薄膜集成电路形成在第一衬底上方；该多个薄膜集成电路被转移到第二衬底；第二衬底被切割以便切下该多个薄膜集成电路的每一个；天线连接到薄膜集成电路的连接端子；以及薄膜集成电路和天线安装在膜状物品的基底元件的表面上的凹部中。更优选地，薄膜集成电路可以安装在不具有第二衬底的膜状物品的基底元件上的凹部中。在用于制作根据本专利技术的膜状物品的方法中，多个薄膜集成电路形成在第一衬底上方；该多个薄膜集成电路被转移到第二衬底；第二衬底被切割以便切下该多个薄膜集成电路的每一个；薄膜集成电路被包进膜状物品的基底元件中，并且天线形成在膜状物品的基底元件的表面上，以便薄膜集成电路和天线通过形成在膜状物品的基底元件上的开口被连接。更优选地，薄膜集成电路可以被包进不具有第二衬底的膜状物品的基底元件中。在用于制作根据本专利技术的膜状物品的方法中，天线形成在膜状物品的基底元件的表面上，以便薄膜集成电路和天线通过形成在膜状物品的基底元件上的开口被连接。该多个薄膜集成电路形成在第一衬底上方，并且被转移到第二衬底。第二衬底被切割以便切下该多个薄膜集成电路。在用于制作根据本专利技术的膜状物品的方法中，天线和薄膜集成电路借助各向导性导体、超声接合、或UV可固化树脂被连接。在用于制作根据本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膜状物品，包括：　　　　薄膜集成电路，其可以存储膜状物品上描述的信息；和　　　　连接到薄膜集成电路的天线，　　　　其中薄膜集成电路和天线被安装在膜状物品的内部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-1-23 015537/20041.一种膜状物品，包括薄膜集成电路，其可以存储膜状物品上描述的信息；和连接到薄膜集成电路的天线，其中薄膜集成电路和天线被安装在膜状物品的内部。2.一种膜状物品，包括薄膜集成电路，其可以存储膜状物品上描述的信息；和连接到薄膜集成电路的天线，其中薄膜集成电路被安装在膜状物品的内部，以及天线被安装在膜状物品的表面上。3.根据权利要求1的膜状物品，其中当膜状物品的厚度是D时，配置薄膜集成电路的位置X可以被设置成满足(1/2)·D-30μm＜X＜(1/2)·D+30μm。4.根据权利要求2的膜状物品，其中当膜状物品的厚度是D时，配置薄膜集成电路的位置X可以被设置成满足(1/2)·D-30μm＜X＜(1/2)·D+30μm。5.一种膜状物品，包括薄膜集成电路，其可以存储膜状物品上描述的信息；和连接到薄膜集成电路的天线，其中薄膜集成电路和天线被安装在膜状物品的表面上。6.一种膜状物品，包括薄膜集成电路，其可以存储膜状物品上描述的信息；和连接到薄膜集成电路的天线，其中薄膜集成电路被安装在膜状物品的表面上，以及天线被安装在膜状物品的内部。7.一种膜状物品，包括可以存储膜状物品上描述的信息的薄膜集成电路，其中膜状物品设有凹部，以及薄膜集成电路包括天线。8.根据权利要求1的膜状物品，其中具有缝隙的开口设置在薄膜集成电路和天线之间的连接区域中。9.根据权利要求2的膜状物品，其中具有缝隙的开口设置在薄膜集成电路和天线之间的连接区域中。10.根据权利要求5的膜状物品，其中具有缝隙的开口设置在薄膜集成电路和天线之间的连接区域中。11.根据权利要求6的膜状物品，其中具有缝隙的开口设置在薄膜集成电路和天线之间的连接区域中。12.根据权利要求7的膜状物品，其中具有缝隙的开口设置在薄膜集成电路和天线之间的连接区域中。13.根据权利要求1的膜状物品，其中薄膜集成电路具有透光特性。14.根据权利要求2的膜状物品，其中薄膜集成电路具有透光特性。15.根据权利要求5的膜状物品，其中薄膜集成电路具有透光特性。16.根据权利要求6的膜状物品，其中薄膜集成电路具有透光特性。17.根据权利要求7的膜状物品，其中薄膜集成电路具有透光特性。18.根据权利要求1的膜状物品，其中薄膜集成电路具有包含氮的绝缘膜。19.根据权利要求2的膜状物品，其中薄膜集成电路具有包含氮的绝缘膜。20.根据权利要求5的膜状物品，其中薄膜集成电路具有包含氮的绝缘膜。21.根据权利要求6的膜状物品，其中薄膜集成电路具有包含氮的绝缘膜。22.根据权利要求7的膜状物品，其中薄膜集成电路具有包含氮的绝缘膜。23.根据权利要求1的膜状物品，其中薄膜集成电路的厚度在0.1μm～3μm的范围内。24.根据权利要求2的膜状物品，其中薄膜集成电路的厚度在0.1μm～3μm的范围内。25.根据权利要求5的膜状物品，其中薄膜集成电路的厚度在0.1μm～3μm的范围内。26.根据权利要求6的膜状物品，其中薄膜集成电路的厚度在0.1μm～3μm的范围内。27.根据权利要求7的膜状物品，其中薄膜集成电路的厚度在0.1μm～3μm的范围内。28.根据权利要求1的膜状物品，其中薄膜集成电路具有包含1×1019原子/cm3～5×1020原子/cm3的氢的半导体膜。29...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒井康行，秋叶麻衣，神野洋平，舘村祐子，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]