膜状物品及其制作方法技术

由于由硅晶片形成的芯片厚，因此该芯片从表面突出，或者该芯片如此大以至于通过眼睛能看到它，这影响了商务卡等的设计。因此，本发明专利技术的目的是提供一种新的集成电路，其具有一种结构，利用该结构不会影响所述设计。鉴于上述问题，本发明专利技术的特征是使膜状物品配备有薄膜集成电路。本发明专利技术的另一特征是ＩＤＦ芯片具有０．２ｍｍ或更小的半导体膜作为有源区。因此，与由硅晶片形成的芯片相比，ＩＤＦ芯片可以被制作得更薄。除此之外，与由硅晶片形成的芯片不同，这种集成电路可以具有透光特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括用于救助输入信息故障或用于避免输入错误的薄膜集成电路的膜状物品。此外，本专利技术涉及用于制作该膜状物品的方法。
技术介绍
近年来，看见配备有由硅晶片形成的芯片的产品的机会增加了。使用由硅晶片形成的芯片，可以为消费者存储以及提供各种信息。此外，由硅晶片形成的芯片并不需要手动输入信息；因此，期望救助输入故障并且避免输入错误。例如，提出了一种商务卡，其包括提供用于存储商务卡中的信息的存储功能的非接触式IC标记。利用该商务卡，在需要传送信息的情况下，使用简单的系统配置，不会误读用户的电话号码并且正确地传送该信息而不会拨错电话号码(参考1日本专利公开物No.2002-183693)。
技术实现思路
然而，在参考1中，由于由硅晶片形成的芯片厚，因此该芯片从表面突出，或者该芯片如此大以至于通过眼睛能看见它，这影响了商务卡的设计。因此，本专利技术的目的是提供具有不影响设计的结构的新的集成电路，以及包括与由硅晶片形成的芯片不同的集成电路的膜状物品，例如商务卡、卡片、或出版物。鉴于以上问题，本专利技术的特征是使诸如商务卡、卡片、或出版物之类的膜状物品配备薄膜集成电路(在下文也被称为ID本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种膜状物品，包括：　　　　薄膜集成电路，其可以存储膜状物品上描述的信息；和　　　　连接到薄膜集成电路的天线，　　　　其中薄膜集成电路和天线被安装在膜状物品的内部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2004-1-23 015537/20041.一种膜状物品，包括薄膜集成电路，其可以存储膜状物品上描述的信息；和连接到薄膜集成电路的天线，其中薄膜集成电路和天线被安装在膜状物品的内部。2.一种膜状物品，包括薄膜集成电路，其可以存储膜状物品上描述的信息；和连接到薄膜集成电路的天线，其中薄膜集成电路被安装在膜状物品的内部，以及天线被安装在膜状物品的表面上。3.根据权利要求1的膜状物品，其中当膜状物品的厚度是D时，配置薄膜集成电路的位置X可以被设置成满足(1/2)·D-30μm＜X＜(1/2)·D+30μm。4.根据权利要求2的膜状物品，其中当膜状物品的厚度是D时，配置薄膜集成电路的位置X可以被设置成满足(1/2)·D-30μm＜X＜(1/2)·D+30μm。5.一种膜状物品，包括薄膜集成电路，其可以存储膜状物品上描述的信息；和连接到薄膜集成电路的天线，其中薄膜集成电路和天线被安装在膜状物品的表面上。6.一种膜状物品，包括薄膜集成电路，其可以存储膜状物品上描述的信息；和连接到薄膜集成电路的天线，其中薄膜集成电路被安装在膜状物品的表面上，以及天线被安装在膜状物品的内部。7.一种膜状物品，包括可以存储膜状物品上描述的信息的薄膜集成电路，其中膜状物品设有凹部，以及薄膜集成电路包括天线。8.根据权利要求1的膜状物品，其中具有缝隙的开口设置在薄膜集成电路和天线之间的连接区域中。9.根据权利要求2的膜状物品，其中具有缝隙的开口设置在薄膜集成电路和天线之间的连接区域中。10.根据权利要求5的膜状物品，其中具有缝隙的开口设置在薄膜集成电路和天线之间的连接区域中。11.根据权利要求6的膜状物品，其中具有缝隙的开口设置在薄膜集成电路和天线之间的连接区域中。12.根据权利要求7的膜状物品，其中具有缝隙的开口设置在薄膜集成电路和天线之间的连接区域中。13.根据权利要求1的膜状物品，其中薄膜集成电路具有透光特性。14.根据权利要求2的膜状物品，其中薄膜集成电路具有透光特性。15.根据权利要求5的膜状物品，其中薄膜集成电路具有透光特性。16.根据权利要求6的膜状物品，其中薄膜集成电路具有透光特性。17.根据权利要求7的膜状物品，其中薄膜集成电路具有透光特性。18.根据权利要求1的膜状物品，其中薄膜集成电路具有包含氮的绝缘膜。19.根据权利要求2的膜状物品，其中薄膜集成电路具有包含氮的绝缘膜。20.根据权利要求5的膜状物品，其中薄膜集成电路具有包含氮的绝缘膜。21.根据权利要求6的膜状物品，其中薄膜集成电路具有包含氮的绝缘膜。22.根据权利要求7的膜状物品，其中薄膜集成电路具有包含氮的绝缘膜。23.根据权利要求1的膜状物品，其中薄膜集成电路的厚度在0.1μm～3μm的范围内。24.根据权利要求2的膜状物品，其中薄膜集成电路的厚度在0.1μm～3μm的范围内。25.根据权利要求5的膜状物品，其中薄膜集成电路的厚度在0.1μm～3μm的范围内。26.根据权利要求6的膜状物品，其中薄膜集成电路的厚度在0.1μm～3μm的范围内。27.根据权利要求7的膜状物品，其中薄膜集成电路的厚度在0.1μm～3μm的范围内。28.根据权利要求1的膜状物品，其中薄膜集成电路具有包含1×1019原子/cm3～5×1020原子/cm3的氢的半导体膜。29...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒井康行，秋叶麻衣，神野洋平，舘村祐子，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]