蚀刻剂组合物和用其构图导电层和制造平板显示器的方法技术

一种蚀刻剂组合物，包括磷酸、硝酸、醋酸、水和添加剂，其中添加剂包括氯基化合物、硝酸盐基化合物、硫酸盐基化合物以及氧化调节剂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种蚀刻剂组合物以及使用该蚀刻剂组合物对导电层构图和制造平板显示器件的方法，特别是涉及一种能够同时蚀刻铝、钼和氧化铟锡的蚀刻剂组合物以及使用该蚀刻剂组合物对导电层构图和制造平板显示器件的方法。
技术介绍
通常，平板显示器件根据驱动模式主要分为无源矩阵型平板显示器件和有源矩阵型平板显示器件，并且有源矩阵型平板显示器件结合有采用薄膜晶体管(TFT)的电路。该电路代表性地用于例如液晶显示器件(LCD)、有机电致发光显示器件(OELD)等的平板显示器件中。有源矩阵型平板显示器件的优点是其具有高分辨率和表现动态图像的出色能力，并且其最大优点是扩大显示面板的尺寸。在有源矩阵型平板显示器件中，应当通过对由不同导电材料形成的各导电层构图来形成具有栅极和源极/漏极的TFT、多个互连和像素电极。例如，栅极由例如铝(Al)、钼(Mo)和铜(Cu)或其合金的具有低电阻率的预定导电材料形成。此外，源极/漏极由例如Mo、铬(Cr)和Al或其合金的导电材料形成，并且像素电极形成为氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明电极。另外，虽然导电层可以形成为单层，但是为了获得更好的属性，其可以形成为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1、一种蚀刻剂组合物，包括磷酸、硝酸、醋酸、水和添加剂，其中添加 剂包括氯基化合物、硝酸盐基化合物、硫酸盐基化合物以及氧化调节剂。

【技术特征摘要】
2005.08.08 KR 10－2005－00723381.一种蚀刻剂组合物，包括磷酸、硝酸、醋酸、水和添加剂，其中添加剂包括氯基化合物、硝酸盐基化合物、硫酸盐基化合物以及氧化调节剂。2.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其特征在于，所述氯基化合物包含KCl、HCl、LiCl、NaCl、NH4Cl、CuCl2、FeCl3、FeCl2、CaCl2、CoCl2、NiCl2、ZnCl2、AlCl3、BaCl2、BeCl2、BiCl3、CdCl2、CeCl2、CsCl2、CrCl3和H2PtCl3的至少之一。3.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其特征在于，所述硝酸盐基化合物包含NH4NO3、KNO3、LiNO3、Ca(NO3)2、NaNO3、Zn(NO3)2、Co(NO3)2、Ni(NO3)2、Fe(NO3)3、Cu(NO3)2和Ba(NO3)2的至少之一。4.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其特征在于，所述硫酸盐基化合物包含H2SO4、Na2SO4、Na2S2O8、K2SO4、K2S2O8、CaSO4、(NH4)2SO4以及(NH1)2S2O8的至少之一。5.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其特征在于，所述氧化调节剂包含KMnO4、K2CrO7、NaClO、NaClO2、NaClO3、NaClO4、HClO4和HIO4的至少之6.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其特征在于，所述蚀刻剂组合物包括浓度为40至70wt％的磷酸、浓度为3至15wt％的硝酸、浓度为5至35wt％的醋酸、浓度为0.02至5wt％的氯基化合物、浓度为0.05至5wt％的硝酸盐基化合物、浓度为0.05至5wt％的硫酸盐基化合物、浓度为1至10wt％的氧化调节剂。7.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其特征在于，所述蚀刻剂组合物蚀刻由从包含铝、钕化铝合金、钼以及氧化铟锡的组选择的一种形成的单层。8.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其特征在于，所述蚀刻剂组合物蚀刻由从包含铝、钕化铝合金、钼以及氧化铟锡的组选择的至少两种形成的多层。9.一种对导电层构图的方法，所述方法包括提供基板；在所述基板上形成导电层；在所述导电层上形成光刻胶层；通过曝光对所述光刻胶层进行构图；以及使用构图的光刻胶层用蚀刻剂组合物来蚀刻所述导电层，其中所述蚀刻剂组合物包括磷酸、硝酸、醋酸、氯基化合物、硝酸盐基化合物、硫酸盐基化合物、氧化调节剂以及水。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述导电层由从包含铝、钕化铝合金、钼以及氧化铟锡的组选择的一种形成。11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述导电层由从包含铝、钕化铝合金、钼以及氧化铟锡的组选择的至少两种形成。12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述氯基化合物包含KCl、HCl、LiCl、NaCl、NH4Cl、CuCl2、FeCl3、FeCl2、CaCl2、CoCl2、NiCl2、ZnCl2、AlCl3、BaCl2、BeCl2、BiCl3、CdCl2、CeCl2、CsCl2、CrCl3和H2PtCl3的至少之。13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述硝酸盐基化合物包含NH1NO3、KNO3、LiNO3、Ca(NO3)2、NaNO3、Zn(NO3)2、Co(NO3)2、Ni(NO3)2、Fe(NO3)3、Cu(NO3)2和Ba(NO3)2的至少之一。14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述硫酸盐基化合物包含H2SO4、Na2SO4、Na2S2O8、K2SO4、K2S2O8、CaSO4、(NH...

【专利技术属性】
技术研发人员：李坰默，宋桂灿，曺三永，申贤哲，金南绪，
申请(专利权)人：LG菲利浦LCD株式会社，东进世美肯株式会社，
类型：发明
国别省市：