加热装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供的加热装置，可使从各气体路径的喷出口喷出的气体喷出量均匀，并减少反应膜的堆积。加热装置（１００）包括：基体（１０），其具有形成了气体喷出口（１２ｈ）的基板加热面（１０ａ）和供给气体的气体供给口（１８），由埋设有电阻发热体１１的包含陶瓷的材料构成；气体路径（１２），其从气体供给口（１８）连通到气体喷出口（１２ｈ），在基体（１０）内形成；以及调整部，其可变更气体路径（１２）的截面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种加热装置。
技术介绍
以往，在半导体制造工序或液晶制造工序中使用用于加热基板的加热装置。作为这样的加热装置，可以例举较多使用腐蚀性气体的PVD(PhysicalVapor Deposition)装置或CVD(Chemical Vapor Deposition)装置、干刻装置等。在这样的加热装置的基体上，从耐腐蚀性的观点出发一般是使用陶瓷。在这样的半导体制造工序或液晶制造工序中，有在加热装置的基板加热面上放置的基板的外周部堆积反应膜的问题。在此，会有基板不与基板加热面粘合，而反应膜与基板加热面粘合的情况。由此，在使基板脱离基板加热面时，反应膜难以从基板加热面剥离，由于反应膜与基板加热面之间产生的应力，使反应膜上发生缺损或裂缝。进而，有时基板上也会产生缺损或裂缝。由此，尝试了在基板加热面上设置多个气体喷出口，通过使气体从气体喷出口喷出来防止反应膜堆积在基板的外周部(例如参照专利文献1-特开2002-93894号公报)。但是，如果增加来自气体喷出口的气体喷出量，虽然可减少反应膜的堆积，但由于会影响基板的生长膜的生成等，所以不能轻易增加气体喷出量。因此，来自各气体喷出口的气体喷出量最好是既减少反应膜的堆积，又对生长膜的生成等不产生影响的量。但是，根据上述专利技术，由于要在烧成的陶瓷的加热装置内用切削加工等形成多个气体路径，所以提高气体路径的加工精度很困难。即使各气体路径的截面积均一是很困难的，来自各气体喷出口的气体喷出量会产生偏差。因此，即便是将来自1个气体喷出口的气体喷出量作为最佳量，也会有来自其他的气体喷出口的气体喷出量不能成为最佳喷出量的情况。另外，一旦加工做成气体路径后，不能再调整气体喷出量。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供使从各自气体路径的喷出口喷出的气体喷出量均一，不对基板的生长膜的生成等产生影响，可减少反应膜的堆积的加热装置。本专利技术的加热装置的特征在于，具备基体，其具有形成气体喷出口的基板加热面和供给气体的气体供给口，埋设有电阻发热体，并由含有陶瓷的材料构成；气体路径，其从气体供给口连通到气体喷出口，并在基体内形成；以及调整部，其可变更气体路径的截面积。根据这样的加热装置，通过具备可变更气体路径的截面积的调整部，能够通过调整部调整气体路径的截面积。因此，能够使从各气体路径的喷出口喷出的气体喷出量均一，不对基板的生长膜的生成等产生影响，能够减少反应膜的堆积。基体最好是具备从基体的外部连通到气体路径的插入孔，调整部最好是具备从插入孔插入气体路径内的插入部分。由此，通过介由导入孔将插入部分进行拔出或插入，能够很容易地调整与插入孔连通的区域的气体路径的截面积。基体最好是具有板状的形状，气体路径最好是具备沿着基板加热面延伸的第1气体路径，插入孔最好是从与基板加热面相反一侧的反面连通到第1气体路径。由此，能够通过调整部调整沿着基板加热面延伸的第1气体路径中流动的气体喷出量。由此，能够在调整对基板加热面的气体喷出量的同时，调整基体的温度分布。另外，由于插入孔连通到基体的反面，所以能够从基体的反面一侧调整气体路径的截面积。因此，在将基板配置在基板加热面上时，调整部不会成为障碍。基体最好是具有板状形状，气体喷出口最好是配置在基板加热面一侧的外周部，气体路径最好是具备相对于基板加热面大致在大致垂直方向延伸的第2气体路径，插入孔最好是从基体的侧面连通到第2气体路径。由此，通过将气体喷出口配置在基板加热面的外周部，插入孔从基体的侧面连通到第2气体路径，能够在接近气体喷出口的位置调整气体喷出量。由此，能够进一步减少基板周边的反应膜的堆积。另外，通过在基体的侧面设置插入孔，能够很容易地进行第1气体路径的加工。插入部分最好是具有与插入孔大致相等的截面的柱状形状。由此，由于插入部分是具备与插入孔大致相等的截面的柱状形状，所以能够减少源于插入孔的气体的泄漏。另外，由于插入部分是柱状，所以即便将插入部分进行插拔，插入部分也不易从插入孔脱落，能够很容易地变更气体路径的容积。由此，能够更简便地调整气体喷出量。插入部分及插入孔最好是具备螺旋状的槽。由此，由于插入部分及插入孔具备螺旋状的槽，所以能够进行气体路径的截面积的微调整。另外，由于具备螺旋状的槽，所以能够防止插入构件脱落。插入部分最好是陶瓷。由此，由于能够使基体与插入部分的膨胀系数接近，所以能够减少温度变化带来的变形影响。根据本专利技术，能够提供使各气体路径的喷出口喷出的气体喷出量均一，不影响基板的生成膜的生成等，可减少反应膜的堆积的加热装置。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式的加热装置的剖视图。图2是表示本专利技术的实施方式的加热装置的俯视图的模式图。图3是表示本专利技术的实施方式的加热装置的插入构件的剖视图。图中10-基体；10a-基板加热面；10b-反面；10c-侧面；11-电阻发热体；12-气体路径；12a-第1气体路径；12a-第2气体路径；12h-气体喷出口；13-插入孔；14-插入构件；141-插入部分；143-槽部分；142、144-支撑部；15-供电构件；16-绝缘构件；17-管状构件；18-气体供给口。具体实施例方式下面，参照附图说明本专利技术的实施方式。另外，在以下的附图记载中，对同一或类似的部分赋予同一或类似的符号。但是，应注意附图是模式图，各尺寸的比率等与实物是不同的。因此，具体的尺寸等应参考以下的说明进行判断。另外，当然也包括附图之间相互的尺寸关系和比率不同的部分。如图1所示，加热装置100包括基体10；插入构件14；供电构件15；绝缘构件16；以及管状构件17。加热装置100通过从供电构件15向电阻发热体11施加电力，将基板加热面10a进行加热，将放置在基板加热面10a的上方的基板进行加热。基体10包括基板加热面10a；电阻发热体11；气体喷出口12h；气体供给口18；气体路径12；以及插入孔13。基体10能够使用圆盘状等的板状物。基体10由陶瓷或陶瓷与金属的复合材料等构成。例如，基体10能够由氮化铝(AlN)、氧化铝(AI2O3)、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)、塞隆(SiAlON)等的烧结体、铝(Al)、铝合金、铝合金-氮化铝混合物、铝合金-SiC混合物等构成。在基体10中作为烧结辅助剂能够包含氧化钇等。但是，形成基体10的上述的主要成分的原料以外的成分总量最好是5％或其以下。基体10具有用于插入供电构件15的孔。在基板加热面10a上放置有硅基板和玻璃基板等的基板。在基板加热面10a的外周部形成气体喷出口12h。在基体10的内部埋设有电阻发热体11。电阻发热体11能够使用铌、钼、钨等。电阻发热体11能够使用线状、螺旋状、带状、网状、膜状等物。气体路径12在基体10内部形成，从由基体10的外部供给气体的气体供给口18连通到基板加热面10a的气体喷出口12h。具体地说，气体路径12具备沿着基板加热面10a延伸的第1气体路径12a；以及向相对于基板加热面10a大致垂直方向延伸的第2气体路径12b；从气体供给口18经由第1气体路径12a、第2气体路径12b，连通到气体喷出口12h。气体路径12最好是在基体10内部比电阻发热体11更靠下侧形成。气体喷出口12h在基板加热面10a的外周部形成。气体供给口18设置在基体10的反面10b的中央本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加热装置，其特征在于，具备：　　　　基体，其具有形成了气体喷出口的基板加热面一侧和供给气体的气体供给口，埋设有电阻发热体，由包含陶瓷的材料构成；　　　　气体路径，其从上述气体供给口连通到上述气体喷出口，在上述基体内形成；以及　　　　调整部，其可变更上述气体路径的截面积。

【技术特征摘要】
JP 2005-8-12 2005-2346321.一种加热装置，其特征在于，具备基体，其具有形成了气体喷出口的基板加热面一侧和供给气体的气体供给口，埋设有电阻发热体，由包含陶瓷的材料构成；气体路径，其从上述气体供给口连通到上述气体喷出口，在上述基体内形成；以及调整部，其可变更上述气体路径的截面积。2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于上述基体具备从上述基体的外部连通到上述气体路径的插入孔，上述调整部具备从上述插入孔插入上述气体路径内的插入部分。3.根据权利要求2所述的加热装置，其特征在于上述基体具有板状的形状，上述气体路径具备沿着上述基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈岛久和，后藤义信，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]