包括叠层芯片的半导体器件生产方法及对应的半导体器件技术

形成第一重构晶片（ｒｅｃｏｎｓｔｉｔｕｔｅｄ　　ｃｈｉｐ）的方法包括以下步骤：用由塑模填充的第一间隙将第一组多个芯片水平地分隔开来；在第一重构晶片的工作表面上形成第一再分配层。在上述步骤之前和／或之后，并行地形成了第二重构晶片。沿第二间隙切割上述第二重构晶片，以便形成各个嵌入式芯片。此后，在上述嵌入式芯片的工作表面和倾斜侧壁上形成了第二再分配层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种包括叠层芯片的半导体器件的生产方法以及对应的半导体器件。
技术介绍
尽管原则上能将本专利技术应用于包括叠层芯片的半导体器件的任何生产方法，但在下文中将通过包括两个存储器芯片的半导体存储器件的生产方法来阐述本专利技术和其潜在问题。计算机、手机、照相机等现代电子产品由多个包括半导体存储器件的单个电子器件组成。要求生产工艺减少单个电子器件的数目，以缩短电子产品的生产时间。因此，将几个存储器芯片归并到单个半导体存储器件内，以便通过单个生产步骤将这些存储器芯片设置在电子产品中。而且，要求电子产品小型化。通过把存储器芯片归并或预集成在单个外壳内，可获得更高集成密度的存储器芯片，从而可以减小它们的外部尺寸。公知的一种半导体存储器件包括两个如图1所示的存储器芯片。第一存储器芯片110设置在插入衬底(interposer substrate)150上，并经过接触垫152和连接线151与插入衬底150电连接。沿第一存储器芯片110工作表面的边界设置接触垫152，并用粘合层161将隔层160固定在介于接触垫152之间的第一芯片110的工作表面区域中。第二存储器芯片110′固定在隔层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括叠层芯片的半导体器件的生产方法包括以下步骤：（ａ）形成第一重构晶片，该晶片包括以填充了塑模的第一间隙进行水平分隔的第一组多个芯片，其中，所述第一组多个芯片的接触垫设置在所述第一重构晶片的工作表面中；（ｂ）在所述第一重 构晶片的所述工作表面上形成第一再分配层，所述第一再分配层接触所述第一组多个芯片的接触垫，并在所述塑模上延伸；（ｃ）形成第二重构晶片，该晶片包括通过填充了塑模的第二间隙进行水平分隔的第二组多个芯片，其中，所述第二组多个芯片的接触垫设置 在与所述第二重构晶片的背侧相对的工作表面中；（ｄ）沿所述第二间隙切割所述第二重构晶片，以形成各个...

【技术特征摘要】
US 2005-5-11 11/1263921.一种包括叠层芯片的半导体器件的生产方法包括以下步骤(a)形成第一重构晶片，该晶片包括以填充了塑模的第一间隙进行水平分隔的第一组多个芯片，其中，所述第一组多个芯片的接触垫设置在所述第一重构晶片的工作表面中；(b)在所述第一重构晶片的所述工作表面上形成第一再分配层，所述第一再分配层接触所述第一组多个芯片的接触垫，并在所述塑模上延伸；(c)形成第二重构晶片，该晶片包括通过填充了塑模的第二间隙进行水平分隔的第二组多个芯片，其中，所述第二组多个芯片的接触垫设置在与所述第二重构晶片的背侧相对的工作表面中；(d)沿所述第二间隙切割所述第二重构晶片，以形成各个嵌入式芯片，这些芯片具有与所述第二重构晶片的工作表面成大于90度夹角的倾斜侧壁；(e)将所述嵌入式芯片的背侧设置在所述第一重构晶片的工作表面与所述第一再分配层上；(f)在所述嵌入式芯片的工作表面和倾斜侧壁上形成第二再分配层，所述第二再分配层连接了所述第二组多个芯片的接触垫和所述第一再分配层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述第二再分配层之后，沿所述第一间隙切割所述第一重构晶片，从而提供了互连的叠层芯片。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：H赫德勒，T迈尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]