具有垂直结构的发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种具有垂直结构的发光二极管（ＬＥＤ）及其制造方法。该具有垂直结构的发光二极管（ＬＥＤ）包括：支撑层；在该支撑层上形成的第一电极；在该第一电极上形成的多个半导体层；导电型半导体层，其形成在该多个半导体层上，并且设置有具有指定角度的倾角的外表面；以及在该导电型半导体层上形成的第二电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有垂直结构的发光二极管(LED)，并且更具体的，涉及具有用于提高发光效率的垂直结构的LED及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)是公知的半导体发光器件，其将电能转换成光能。从1962年利用GaAsP半导体的红光LED的商业化开始，连同利用GaP:N半导体的绿光LED，LED已被用作包括信息通信设备的电子设备的显示图像的光源。由这种LED发出的光的波长取决于在LED制造中所使用的半导体材料的种类。这是因为所发出的光的波长取决于半导体材料的带隙(band-gap)，其表示价带电子和导带电子间的能量差。氮化镓(GaN)具有高的热稳定性和宽的带隙(范围从0.8至6.2eV)，并且因此在开发高功率输出电子设备的领域中倍受关注。氮化镓受到关注的原因之一是，通过与例如铟(In)、铝(Al)等其他元素结合来使用GaN，它能够制造发出绿、蓝和白光的半导体层。由于通过使用GaN能够控制发射的波长，可以依照具体设备的特性，将发射的波长调节到期望的适合所使用的材料的本征属性的范围。例如，使用GaN使得能够制造蓝光LED和白光LED，所述蓝光LED有利于光学写入，而所述白光LED能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造发光二极管（ＬＥＤ）的方法，包括：　　　　在衬底上形成掩模层；　　　　在该掩模层上形成导电型半导体层；　　　　在该导电半导体上形成多个半导体层；　　　　在该多个半导体层上形成第一电极；　　　　在该第一电极上形成支撑层；　　　　分离该衬底；以及　　　　在通过衬底的分离而暴露出的该导电型半导体层的表面上，形成第二电极。

【技术特征摘要】
KR 2005-12-15 10-2005-0123857;KR 2006-7-6 10-2006-1.一种制造发光二极管(LED)的方法，包括在衬底上形成掩模层；在该掩模层上形成导电型半导体层；在该导电半导体上形成多个半导体层；在该多个半导体层上形成第一电极；在该第一电极上形成支撑层；分离该衬底；以及在通过衬底的分离而暴露出的该导电型半导体层的表面上，形成第二电极。2.如权利要求1所述的方法，其中，在该掩模层的形成中，该掩模层形成在缓冲层上，该缓冲层形成在该衬底上。3.如权利要求2所述的方法，其中，该缓冲层是基于氮化镓的半导体(AlxInyGa1-x-yN0≤(x，y)≤1)层。4.如权利要求1所述的方法，其中，该掩模层的形成包括在该衬底上形成介质层；以及构图该介质层为圆形或多边形形状。5.如权利要求4所述的方法，其中，该导电型半导体层的水平剖面形状基本与该介质层的圆形或多边形形状相同。6.如权利要求4所述的方法，其中，该导电型半导体层的水平剖面形状具有比该介质层的多边形形状更多的边。7.如权利要求1所述的方法，其中，该介质层由氧化硅或氮化硅制成。8.如权利要求1所述的方法，其中，该导电型半导体层是具有1～300μm厚度的导电GaN层。9.如权利要求1所述的方法，其中，该导电型半导体层通过氢化物气相外延(HVPE)方法形成。10.如权利要求1所述的方法，其中，该多个半导体层的形成包括在该导电型半导体层上形成n-型半导体层；在该n-型半导体层上形成发光层；以及在该发光层上形成p-型半导体层。11.如权利要求1所述的方法，其中，该衬底是通过氢化物气相外延(HVPE)方法形成的Ga...

【专利技术属性】
技术研发人员：金钟旭，崔在完，曹贤敬，罗钟浩，张峻豪，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]