本发明专利技术提供一种避免电接触的方法、显示面板及其制造方法、液晶显示器。在避免显示面板内介于各种导电表面与线路间的不正常电接触的方法中，上述不正常电接触由ｎ＋非晶硅残留物及／或铟锡氧化物残留物所引起。上述方法包括：提供包含至少一个位于保护层的清除区域的清除图案，以避免上述残留物落在上述清除区域。如此一来，假若ｎ＋非晶硅残留物碰巧落在保护层下方，则一部分位于上述清除区域内的上述残留物通过非晶硅选择性蚀刻工艺而除去。有了上述清除区域，则落在置于上述信号线上的部分介电层上的铟锡氧化物残留物可以与上述电极电绝缘。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquidcrystal display；TFT LCD)制造方法，且特别有关于一种清除与隔离LCD面板上的残留物的方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器面板的制造方法属现有技术。通常，一个LCD面板包括上基板10、下基板12以及夹置于其间的液晶层14，如图1A所示。上基板通常包括共通电极层与彩色滤光片层。下基板通常包括多个像素电极以定义LCD面板的像素。在每一个像素中，下基板包括许多电子元件，例如一个或多个薄膜晶体管、一个或多个电容器、至少一条栅极线以及至少一条数据线。图1B显示典型液晶显示器面板中一个像素内的下基板的结构。图2A至图2G显示制造薄膜晶体管的工艺步骤。如图1B所示，栅极金属层16与电容金属层18分开置于玻璃基板20上，而且介电层22覆盖于所述金属层上(图2A与图2B中描绘的前述各层的一部分)，其中介电层22由SiNx或相似材料组成。如图2C所示，在TFT 24中，非晶硅层(α-Si:H)26与掺杂非晶硅层(n+α-Si:H)28沉积于栅极结构上。如图2D所示，源/漏极金属层30沉积于非晶硅层上。如图2E所示，使用背沟道蚀刻(back-channeletching)步骤32以定义源极电极30a与漏极电极30b。如图2G所示，由SiNx或相似材料所组成的保护层34沉积于晶体管结构上，并暴露一部分漏极电极(图2F)，以使漏极电极可与铟锡氧化物所组成的像素电极36电接触。在TFT 24之外，电容器金属层18、介电层22与铟锡氧化物层36形成用于像素的存储电容器38(参考图1B)。在制造步骤中，在介电层上沉积金属层以形成数据线40(参考图1B)。背沟道蚀刻(back-channel etching)步骤32也移除部分的非晶硅层(α-Si:H)28与掺杂非晶硅层(n+α-Si:H)26。假如一些掺杂非晶硅层(n+α-Si:H)28a掉落在栅极或数据线40(亦指40n或40n+1)与像素电极36(参考图3)，则像素P(m-1，n+1)或P(m-1，n)可能会产生缺陷。图3显示位于LCD面板内的相邻像素的平面图。如图3所示，像素大致上由两条相邻栅极线(例如GLm、GLm-1)与两条相邻数据线(例如40n、40n+1)所定义。共通线CL通常位于一列像素的中间。业界亟需一种清除掺杂非晶硅层(n+α-Si:H)28a残余物的方法，以提升LCD制造合格率。此外，当沉积ITO层时，一些残余物可能也会掉落在栅极线(例如GLm、GLm-1)及像素电极36之间，或掉落在数据线(例如40n、40n+1)及像素电极36(参考图6)之间，因此像素可能会产生缺陷。业界也亟需一种清除铟锡氧化物残留物的方法。
技术实现思路
本专利技术公开一种避免显示面板内介于各种导电表面与线路间的不正常电接触的方法，其中上述不正常电接触由n+非晶硅残留物及/或铟锡氧化物残留物所引起。上述方法包括提供包含至少一个位于保护层的清除区域的清除图案，以避免上述残留物落在上述清除区域。如此一来，假若n+非晶硅残留物碰巧落在保护层下方，则一部分位于上述清除区域内的上述残留物通过非晶硅选择性蚀刻工艺而除去。通过上述清除区域，落在置于上述信号线上的部分介电层上的铟锡氧化物残留物可以与上述电极电绝缘。根据本专利技术的第一技术方案，其公开一种避免显示面板内不正常电接触的方法，上述不正常电接触由不正常导电区段所引起，其中上述显示面板包括基板、形成于上述基板上的多个像素，且其中每一个像素包括保护层与置于上述保护层的一部分上的像素电极。上述方法包括在至少一些像素上形成清除图案，上述清除图案包括至少一个位于上述保护层的清除区域，以避免上述不正常导电区段位于上述至少一个清除区域。在优选实施例中，上述不正常导电区段包括位于上述保护层下方的掺杂非晶硅区段，且上述在至少一些像素上形成清除图案的步骤包括移除位于上述至少一个清除区域内的掺杂非晶硅区段的至少一部分。在另一优选实施例中，上述像素还包括置于该掺杂非晶硅区段与该保护层间的信号线，例如数据线或栅极线，且其中该清除区域的尺寸经过界定，以避免经由该掺杂非晶硅区段而在该像素电极与该信号线之间形成不正常电接触。在另一优选实施例中，上述不正常导电区段包括沉积于该保护层上的导电层，且该清除区域的尺寸经过界定，以避免该导电层形成位于该清除区域上方的连续层。如上所述的方法，其中上述像素还包括置于该掺杂非晶硅区段与该保护层间的信号线，且其中该使用选择性蚀刻剂移除位于该清除区域内的该掺杂非晶硅区段的步骤包括移除部分位于该保护层下方靠近该清除区域的该掺杂非晶硅。另一优选实施例中，上述像素还包括置于该基板与该保护层间的介电层，该方法还包括提供一个或多个位于该保护层与该介电层间的非晶硅条状物，其中该条状物的尺寸经过界定，以使得该清除区域仅暴露该非晶硅条状物的第一部分，并使该非晶硅条状物的第二部分位于该保护层下方；以及移除该非晶硅条状物的第一部分与第二部分的至少一部分。在另一优选实施例中，其中该移除该非晶硅条状物的第一部分与第二部分的至少一部分的步骤包括使用蚀刻剂，该蚀刻剂对该非晶硅条状物有效，但是对该保护层及该介电层比较没有效果。如上所述的方法，还包括在使用选择性蚀刻剂蚀刻位于该清除区域的该掺杂非晶硅区段之前，提供一个或多个介于该保护层与该掺杂非晶硅区段间的非晶硅条状物，界定该条状物的尺寸以使得该清除区域仅暴露该非晶硅条状物的第一部分，并使该非晶硅条状物的第二部分位于该保护层下方，其中该选择性蚀刻剂移除该非晶硅条状物的第一部分与该非晶硅条状物的第二部分的至少一部分。如上所述的方法，其中所述像素还包括置于该基板与该保护层间的介电层，且该掺杂非晶硅区段置于该保护层与该介电层之间，且其中用于形成该清除区域的该蚀刻剂亦对该介电层有效。根据本专利技术的第二技术方案，其公开一种显示面板的制造方法，该显示面板具有一个基板与多个像素，该制造方法包括在每一像素提供第一介电层于该基板上；形成信号线于该第一介电层上；形成第二介电层于该基板上以覆盖该信号线；清除位于该第二介电层与该第一介电层的至少一部分区域，使得该清除区域隔开该第二介电层的第一部分与该第二介电层的第二部分，其中该第一部分覆盖该信号线；以及形成像素电极于该第二介电层的第二部分的至少一部分上。在优选实施例中，前述方法还包括提供一个或多个介于邻近该信号线的所述第一与第二介电层间的非晶硅条状物，其中该条状物的尺寸经过界定，以使该清除区域仅暴露该非晶硅条状物的第一部分，并使该非晶硅条状物的第二部分位于该保护层下方；以及移除该非晶硅条状物的第一部分与至少一部分该第二部分。在另一优选实施例中，前述方法还包括提供一个或多个介于该基板与该第一介电层间的导电区块；以及提供一个或多个位于所述导电区块上方的所述第一与第二介电层间的非晶硅条状物，其中每一该条状物的尺寸经过界定，以覆盖下方的该导电区块，且该清除区域比每一条状物宽，以在该清除步骤中移除该第一介电层的至少一部分。如上所述的制造方法，其中该显示面板为液晶显示面板，该制造方法还包括提供液晶层于该第二介电层上方；以及提供另一基板于该液晶层上方。根据本专利技术的第三技术方案，其公开一种显示面板，例如液本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种避免显示面板内不正常电接触的方法，该不正常电接触由不正常导电区段所引起，其中该显示面板包括基板与形成于该基板上的多个像素，且其中每一个像素包括保护层与置于该保护层的一部分上的像素电极，该方法包括：在至少一些像素上形成清除图案，该清除图案包括至少一个位于该保护层的清除区域，以避免该不正常导电区段位于所述至少一个清除区域。
【技术特征摘要】
US 2006-11-16 11/601,2291.一种避免显示面板内不正常电接触的方法，该不正常电接触由不正常导电区段所引起，其中该显示面板包括基板与形成于该基板上的多个像素，且其中每一个像素包括保护层与置于该保护层的一部分上的像素电极，该方法包括在至少一些像素上形成清除图案，该清除图案包括至少一个位于该保护层的清除区域，以避免该不正常导电区段位于所述至少一个清除区域。2.如权利要求1所述的方法，其中该不正常导电区段包括位于该保护层下方的掺杂非晶硅区段，且其中上述形成清除图案在至少一部分像素上的步骤包括移除位于所述至少一个清除区域内的该掺杂非晶硅区段的至少一部分。3.如权利要求1所述的方法，其中该不正常导电区段包括沉积于该保护层上的导电层，且该清除区域的尺寸经过界定，以避免该导电层形成位于该清除区域上方的连续层。4.如权利要求2所述的方法，其中所述像素还包括置于该掺杂非晶硅区段与该保护层间的信号线，且其中该清除区域的尺寸经过界定，以避免通过该掺杂非晶硅区段而在该像素电极与该信号线之间形成该不正常电接触。5.如权利要求2所述的方法，其中所述像素还包括置于该掺杂非晶硅区段与该保护层间的信号线，且其中该使用选择性蚀刻剂移除位于该清除区域内的该掺杂非晶硅区段的步骤包括移除部分位于该保护层下方靠近该清除区域的该掺杂非晶硅。6.如权利要求3所述的方法，其中所述像素还包括置于该基板与该保护层间的介电层，该方法还包括提供一个或多个位于该保护层与该介电层间的非晶硅条状物，其中该条状物的尺寸经过界定，以使得该清除区域仅暴露该非晶硅条状物的第一部分，并使该非晶硅条状物的第二部分位于该保护层下方；以及移除该非晶硅条状物的该第一部分与该非晶硅条状物的该第二部分的至少一部分。7.如权利要求2所述的方法，还包括在使用选择性蚀刻剂蚀刻位于该清除区域的该掺杂非晶硅区段之前，提供一个或多个介于该保护层与该掺杂非晶硅区段间的非晶硅条状物，界定该条状物的尺寸以使得该清除区域仅暴露该非晶硅条状物的第一部分，并使该非晶硅条状物的第二部分位于该保护层下方，其中该选择性蚀刻剂移除该非晶硅条状物的第一部分与该非晶硅条状物的第二部分的至少一部分。8.如权利要求7所述的方法，其中所述像素还包括置于该基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：来汉中，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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