一种薄膜沉积设备及其清洁方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜沉积设备及其清洁方法，包括：工艺腔体、控制装置和气体供应装置，工艺腔体与气体供应装置连通，控制装置与气体供应装置连接；控制装置用于控制气体供应装置向工艺腔体中通入二氟化氙气体，使得二氟化氙气体与工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生反应生成气态物质，并将包含有气态物质的废气排出。本申请提供的薄膜沉积设备，可以实现自清洁，有效提高产品的良率，提升产品品质，节约产品生产成本；大大简化了清洗部件，降低了清洗部件的复杂程度，也降低了薄膜沉积设备的购置成本和维护成本；且无需通过射频电源电离得到离子，进而可以避免离子对橡胶管路进行刻蚀，延长薄膜沉积设备的使用寿命。延长薄膜沉积设备的使用寿命。延长薄膜沉积设备的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜沉积设备及其清洁方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种薄膜沉积设备及其清洁方法。

技术介绍

[0002]CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)和ALD(Atomic Layer Deposition，原子层沉积)是半导体器件生产过程中的两种硅类薄膜镀膜方法。这两种方法会在基板表面和腔体内的其余结构部件上形成镀膜层，经过长时间镀膜积累，会导致腔体内部结构部件上的膜层厚度加厚。而由于薄膜本征应力原因，膜层会发生不定时的脱落现象，膜层落到产品上，以微粒形式存在，导致产品良率下降，生产成本上升。
[0003]相关技术中，主要采用RPSC装置(Remote Plasma Source Clean，远程等离子体清洗装置)对腔体内部结构部件上的膜层进行清洗。然而远程等离子体清洗装置结构复杂，且需要电离三氟化氮，而电离得到的氟离子会刻蚀橡胶管路，导致维护难度大，维护成本高，进而使得清洗成本居高不下。

技术实现思路

[0004]本申请实施例通过提供一种薄膜沉积设备及其清洁方法，解决了现有技术中使用远程等离子体清洗装置复杂，导致清洗成本高的技术问题，实现了简化清洗设备，降低清洗成本的技术效果。
[0005]第一方面，本申请提供了一种薄膜沉积设备，薄膜沉积设备包括工艺腔体、控制装置和气体供应装置，气体供应装置中存储有二氟化氙气体，工艺腔体与气体供应装置连通，控制装置与气体供应装置连接；
[0006]控制装置用于控制气体供应装置向工艺腔体中通入二氟化氙气体，使得二氟化氙气体与工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生反应生成气态物质，并将包含有气态物质的废气排出。
[0007]进一步地，气体供应装置包括二氟化氙容器和控制阀门，二氟化氙容器和工艺腔体通过控制阀门连通。
[0008]进一步地，气体供应装置还包括气流载体容器，气流载体容器与气体供应装置连通。
[0009]进一步地，薄膜沉积设备还包括排气装置，排气装置与控制装置连接，排气装置与工艺腔体连通；
[0010]控制装置用于控制排气装置将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出。
[0011]进一步地，薄膜沉积设备还包括压力检测装置，压力检测装置与控制装置连接；
[0012]压力检测装置用于采集工艺腔体内的实际压力数据；
[0013]控制装置用于根据实际压力数据，确定工艺腔体内的压力变化率是否小于或等于预设变化率，若是，则将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出。
[0014]第二方面，本申请提供了一种薄膜沉积设备清洁方法，方法包括：
[0015]向待清洗的薄膜沉积设备的工艺腔体中通入二氟化氙气体，使得二氟化氙气体与工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生反应生成气态物质；
[0016]将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出。
[0017]进一步地，向待清洗的薄膜沉积设备的工艺腔体中通入二氟化氙气体，包括：
[0018]获取薄膜沉积设备在上次完成清洗后已执行镀膜操作的基板数量；
[0019]当基板数量大于或等于预设数量，则向工艺腔体中通入二氟化氙气体。
[0020]进一步地，将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出，包括：
[0021]获取工艺腔体内的实际压力值的变化率；
[0022]当变化率小于或等于预设变化率时，将工艺腔体中包含有气态物质的废气排出。
[0023]进一步地，在将工艺腔体中的废气排出的过程中，方法还包括：
[0024]向工艺腔体中通入预设质量流量的二氟化氙气体；或者，
[0025]在预设时长内向工艺腔体中通入二氟化氙气体。
[0026]进一步地，向待清洗的薄膜沉积设备的工艺腔体中通入二氟化氙气体，包括：
[0027]将气流载体通入二氟化氙容器中，使得二氟化氙容器中存储的二氟化氙气体随气流载体通入工艺腔体中。
[0028]本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
[0029]本申请提供的薄膜沉积设备可以依赖于气体供应装置向工艺腔体中通入二氟化氙气体，使得二氟化氙气体与工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生反应生成气态物质，有效提高了产品的良率，提升产品品质，节约产品生产成本。并且本申请提供的薄膜沉积设备不需要使用复杂的RPSC装置，大大降低了薄膜沉积设备的复杂程度，也降低了薄膜沉积设备的购置成本和维护成本。本申请提供的薄膜沉积设备无需进行射频电源电离，避免离子对橡胶管路进行刻蚀，可以延长薄膜沉积设备的使用寿命，进一步降低维护成本和购置成本。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1为相关技术中的RPSC装置与工艺腔体连接的结构示意图；
[0032]图2为本申请提供的薄膜沉积设备的结构示意图；
[0033]图3为本申请提供的二氟化氙与硅发生反应的过程示意图。
[0034]附图标记：
[0035]1‑
控制装置，2
‑
钢瓶，3
‑
第一质量流量控制器，4
‑
第二质量流量控制器，5
‑
气瓶，6
‑
第三质量流量控制器，7
‑
分子泵，8
‑
通气孔，9
‑
射频电源，10
‑
真空计。
具体实施方式
[0036]本申请实施例通过提供一种薄膜沉积设备，解决了现有技术中使用远程等离子体清洗装置复杂，导致清洗成本高的技术问题。
[0037]本申请实施例的技术方案为解决上述技术问题，总体思路如下：
[0038]一种薄膜沉积设备，薄膜沉积设备包括工艺腔体、控制装置和气体供应装置，气体供应装置中存储有二氟化氙气体，工艺腔体与气体供应装置连通，控制装置与气体供应装置连接；控制装置用于控制气体供应装置向工艺腔体中通入二氟化氙气体，使得二氟化氙气体与工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生反应生成气态物质，并将包含有气态物质的废气排出。
[0039]本实施例提供的薄膜沉积设备，可以实现自清洁，有效提高了产品的良率，提升产品品质，节约产品生产成本。并且本实施例提供的薄膜沉积设备不需要使用复杂的RPSC装置，大大简化了清洗部件，降低了清洗部件的复杂程度，也降低了薄膜沉积设备的购置成本和维护成本。本实施例提供的薄膜沉积设备无需通过射频电源电离，进而可以避免离子对橡胶管路进行刻蚀，延长薄膜沉积设备的使用寿命，进一步降低维护成本和购置成本。
[0040]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
[0041]首先说明，本文中出现的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备包括工艺腔体、控制装置和气体供应装置，所述气体供应装置中存储有二氟化氙气体，所述工艺腔体与所述气体供应装置连通，所述控制装置与所述气体供应装置连接；所述控制装置用于控制所述气体供应装置向所述工艺腔体中通入二氟化氙气体，使得二氟化氙气体与所述工艺腔体内部件表面积累的薄膜发生反应生成气态物质，并将包含有所述气态物质的废气排出。2.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述气体供应装置包括二氟化氙容器和控制阀门，所述二氟化氙容器和所述工艺腔体通过所述控制阀门连通。3.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述气体供应装置还包括气流载体容器，所述气流载体容器与所述气体供应装置连通。4.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备还包括排气装置，所述排气装置与所述控制装置连接，所述排气装置与所述工艺腔体连通；所述控制装置用于控制所述排气装置将所述工艺腔体中包含有所述气态物质的废气排出。5.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备还包括压力检测装置，所述压力检测装置与所述控制装置连接；所述压力检测装置用于采集所述工艺腔体内的实际压力数据；所述控制装置用于根据所述实际压力数据，确定所述工艺腔体内的压力变化率是否小于或等于预设变化率，若是，则将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王荣栋，杨云春，郭鹏飞，陆原，张拴，陈文波，
申请(专利权)人：赛莱克斯微系统科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：