一种化学气相沉积炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种化学气相沉积炉，包括炉体，所述炉体内设置有沉积室，所述沉积室顶部与真空管道连接，所述沉积室底部设置在坩埚盖上，所述坩埚盖底部设置有原料坩埚，所述坩埚盖位于沉积室对应的表面上还设置有气体导入装置；所述气体导入装置包括多个并列设置的气箱，所述气箱上设置有多个气嘴，相邻的两个气箱分别与原料坩埚和混合原料气体进气通道贯通连接，所述原料坩埚还与载气气体进气通道贯通连接，所述气箱内设置有气体分配板。本实用新型专利技术能够显著提高沉积空间原料配比的均匀性，更易沉积获得更大面积及厚度上均匀的产品。品。品。

【技术实现步骤摘要】
一种化学气相沉积炉


[0001]本技术涉及化学气相沉积
，具体涉及一种化学气相沉积炉。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)已广泛用于制备各种无机材料：如用于复合材料的纤维材料(如B、B4C)、用于扩散阻挡层的薄层材料(如ZrO2)、用于精细陶瓷的粉体材料(如Al2O3、SiC)，用于红外窗口的多晶块材(如ZnS、ZnSe)。其中采用CVD技术制备ZnS、ZnSe晶体，具有纯度高、致密度高、吸收小，光学性能优异等优点，并且易于实现大尺寸材料制备，是目前生产ZnS、ZnSe材料的主流技术。
[0003]化学气相沉积(CVD)技术制备ZnS(ZnSe)的技术方案为：炉腔内底部为盛放原料Zn的坩埚，上部为石墨板拼成的沉积室，先将坩埚和沉积室分别加热到设定的温度，然后将载气Ar通入到熔化的Zn表面，携带Zn蒸汽进入到沉积室，同时H2S(H2Se)气体经Ar稀释后也输送到沉积室，H2S(H2Se)和Zn在石墨板上发生反应生成固态ZnS(ZnSe)，经过一段时间的沉积后，最终可获得一定厚度的块状多晶ZnS(ZnSe)材料。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积炉，其特征在于，包括炉体，所述炉体内设置有沉积室，所述沉积室顶部与真空管道连接，所述沉积室底部设置在坩埚盖上，所述坩埚盖底部设置有原料坩埚，所述坩埚盖位于沉积室对应的表面上还设置有气体导入装置；所述气体导入装置包括多个并列设置的气箱，所述气箱上设置有多个气嘴，相邻的两个气箱分别与原料坩埚和混合原料气体进气通道贯通连接，所述原料坩埚还与载气气体进气通道贯通连接，所述气箱内设置有气体分配板。2.如权利要求1所述的化学气相沉积炉，其特征在于，所述坩埚盖表面设置有容置腔，所述气箱设置在容置腔内，所述混合原料气体进气通道和载气气体进气通道均设置在坩埚盖上。3.如权利要求1所述的化学气相沉积炉，其特征在于，所述气箱内设置有三个连续的台阶托部，所述气体分配板数量为2，多个气嘴设置在顶板上，两个气体分配板设置在气箱内位于下部的两个台阶托部上，所述顶板设置在顶部的台阶托部上。4.如权利要求3所述的化学气相沉积炉，其特征在于，两个气体分配板上的孔洞错位设置，所述混合原料气体进气通道对应的气体分配板上对应的位置不开设孔洞。5.如权利要求1所述的化学气相沉积炉，其特征在于，所述气箱的数量为3，其中两个气箱与沉积室贯通连接，另一气箱设置在中间且与混合原料气体进气通道贯通连接。6.如权利要求1所述的化学气相沉积炉，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张树玉，甄西合，徐悟生，朱逢旭，邰超，赵丽媛，
申请(专利权)人：江苏鎏溪光学科技有限公司，
类型：新型
国别省市：