半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术在将多个半导体芯片安装到引线架上的半导体装置中，减小其平面尺寸及厚度而实现小型化。通过将第一岛区域（１２）的背面与第二岛区域（１３）的表面至少局部重叠而配置，使第一岛区域上的半导体芯片与所述第二岛区域背面的第二半导体芯片重叠。因此，能够将平面的占有面积减小到比两芯片的平面面积小。另外，与第二半导体芯片（２０）连接的金属细线由于向背侧延伸，故能够将半导体装置的厚度也减薄。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
通常，使用有引线架的半导体装置配置有岛区域、一端设置在岛区域周围的多根引线，并且在岛区域之上设置有半导体芯片，由金属细线将所述半导体芯片的接合焊盘与所述引线的一端连接(例如，专利文献1)。另外，以使所述多根引线的另一端露出的方式，由绝缘性树脂将所述岛区域、所述多根引线、半导体芯片以及多根金属细线密封。在此，在多根引线中，将被所述绝缘性树脂密封的部分称为内引线，将从绝缘性树脂露出的部分称为外引线，根据需要而将该外引线弯曲，通过焊接等将所述引线的另一端安装在印刷电路板等上。另外，也实现了在岛区域上层积多个芯片而构成的叠层型半导体装置。其是在主芯片上层积尺寸比主芯片尺寸小的副芯片的结构，由金属细线也将主芯片与副芯片电连接。专利文献1特开2007-5569号公报上述那样的半导体装置可利用目前的轻薄短小的技术而实现小型化。但是，由于副芯片表面与主芯片的表面相比，配置在距离岛区域表面更高的位置，因此若由金属细线与副芯片表面之上连接，则金属细线的顶部变得更高，具有半导体装置的厚度、即封装的厚度增厚的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种半导体装置，不增大封装的厚度即可安装多个芯片。本专利技术的主要特征如下。即，本专利技术第一方面的半导体装置，具有第一岛区域、一端与所述第一岛区域接近配置的多个第一引线、设置在所述第一岛区域的上表面并与所述第一引线电连接的第一半导体芯片；第二岛区域、一端与所述第二岛区域接近配置的多个第二引线、设置在所述第二岛区域的背面并与所述第二引线电连接的第二半导体芯片，将所述第一岛区域的背面与所述第二岛区域的表面至少局部重叠而配置，通过绝缘性树脂将所述第一岛区域、所述第二岛区域、所述第一引线的一部分以及所述第二引线的一部分密封。本专利技术第二方面的半导体装置，具有第一岛区域、与所述第一岛区域接近而设置有第一接合部的多个第一引线、设置在所述第一岛区域的上表面并与所述第一接合部电连接的第一半导体芯片；第二岛区域、与所述第二岛区域接近而设置有第二接合部的多个第二引线、设置在所述第二岛区域的背面并与所述第二接合部电连接的第二半导体芯片，在所述第一引线与相邻的所述第一引线之间配置所述第二引线，并且使所述第一引线的背面与所述第二引线的表面至少局部重叠，可通过绝缘性树脂将所述第一岛区域、所述第二岛区域、所述第一引线的一部分以及所述第二引线的一部分密封。本专利技术第三方面的半导体装置，具有第一岛区域、一端与所述第一岛区域接近配置的多个第一引线、设置在所述第一岛区域的上表面并与所述第一引线电连接的第一半导体芯片；第二岛区域、一端与所述第二岛区域接近配置的多个第二引线、设置在所述第二岛区域的背面并与所述第二引线电连接的第二半导体芯片，将所述第一岛区域的背面与所述第二岛区域的表面至少局部重叠而配置，在所述第一引线与所述第一引线之间配置所述第二引线，并且使第一引线的背面与第二引线的表面至少局部重叠，通过绝缘性树脂将所述第一岛区域、所述第二岛区域、所述第一引线的一部分以及所述第二引线的一部分密封。本专利技术第四方面，所述第一岛区域及所述第二岛区域分别具有相对的一对侧边，所述第一岛区域的一个侧边延伸出与焊盘一体的所述第一引线，并且在另一个侧边设置有与所述第一岛区域一体的第一吊线，所述第二岛区域的一个侧边延伸出与焊盘一体的所述第二引线，并且在另一个侧边设置与所述第二岛区域一体的第二吊线置所述第二引线的第二吊线。本专利技术第五方面，所述第一岛区域及所述第二岛区域分别具有相对的一对侧边，所述第一岛区域的一个侧边延伸出与焊盘一体的所述第一引线，在另一个侧边设置与所述第一岛区域一体的第一吊线，所述第二岛区域的一个侧边设置与所述第二岛区域一体的第二吊线，并且在另一个侧边延伸有与焊盘一体的所述第二引线。另外，本专利技术的半导体装置，具有第一岛区域、一端与所述第一岛区域接近的第一引线、固定在所述第一岛区域的上表面并与所述第一引线电连接的第一半导体芯片；第二岛区域、一端与所述第二岛区域接近的第二引线、固定在所述第二岛区域的下表面并与所述第二引线电连接的第二半导体芯片，将所述第一岛区域和所述第二岛区域配置在平面上不同的位置，并且在厚度方向上局部错开而配置。根据本专利技术，通过将第一岛区域的背面与第二岛区域的表面至少局部重叠而配置，使第一岛区域上的第一半导体芯片与所述第二岛区域背面的第二半导体芯片重叠。因此，能够将平面的占有面积减少到小于两芯片的平面面积。而且，由于第二半导体芯片的金属细线向背面侧延伸，故也可以减小半导体装置的厚度。附图说明图1是说明本专利技术的半导体装置的剖面图。图2是说明本专利技术的半导体装置的平面图。图3是说明本专利技术的半导体装置所采用的第一引线架的图示。图4是说明本专利技术的半导体装置所采用的第二引线架的图示。图5是说明本专利技术的半导体装置的平面图。图6是说明本专利技术的半导体装置所采用的第一引线架的图示。图7是说明本专利技术的半导体装置所采用的第二引线架的图示。图8是表示本专利技术的半导体装置的图示，(A)是剖面图，(B)是平面图，(C)是剖面图。附图标记说明10第一引线架；11第二引线架；12第一岛区域；13第二岛区域；14第一引线；15第二引线；16引线；17第一半导体芯片；18金属细线；19引线；20第二半导体芯片；21第一接合部；22第二接合部；31连接部；33第二连接部；35连接部；37连接部；40绝缘性树脂；50半导体装置；52连接部；54引线；55吊线；56金属细线；57吊线；58金属细线；60电极；62电极具体实施方式参照附图说明本专利技术的实施方式。图1是半导体装置的剖面图，图2是半导体装置的平面图，图3、图4是半导体装置的分解图。首先，在说明图1及图2所示的本专利技术的半导体装置之前，参照图3及图4进行说明。简单地说明，本专利技术是将图3的第一引线架10和图4的第二引线架11重叠的结构，例如，第一引线架10的第一岛区域12和第二引线架11的第二岛区域13至少局部重叠。另外，根据其他方式，第一引线架10的第一引线14和第二引线架11的第二引线15至少局部重叠。具体地，参照图3说明第一引线架10。首先，该第一引线架10由第一岛区域12、一端与该第一岛区域12成为一体且另一端向左侧延伸的至少一根(在此为两根)引线16、位于第一岛区域12附近且一端接近岛区域的右侧边、另一端向右侧延伸的至少一根第一引线14(在此为两根)构成。在此，向第一岛区域12的左右各延伸有两根引线。另外，第一引线14的一端被加工成矩形，将该一端活用作第一接合部21。另外，在第一岛区域12的表面设置有第一半导体芯片17，将第一半导体芯片17上面形成的电极(在纸面上在圆中描画斜线的部分)与第一引线14的第一接合部21电连接。在此，采用了金属细线18，但也可以由金属板等进行连接。另一方面，参照图4说明第二引线架11。该第二引线架11的基本形状与第一引线架10相同，由第二岛区域13、一端与该第二岛区域13成为一体且另一端向左侧延伸的至少一根引线19、位于第二岛区域13附近且一端接近该岛区域的右侧边、另一端向右侧延伸的至少一根第二引线15构成。在此，向第二岛区域13的左右各延伸有两根引线。另外，在第二岛区域13的背面设置有第二半导体芯片20，将第二半导体芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：第一岛区域、一端与所述第一岛区域接近而配置的多个第一引线、设置在所述第一岛区域的上表面并与所述第一引线电连接的第一半导体芯片；第二岛区域、一端与所述第二岛区域接近而配置的多个第二引线、设置在 所述第二岛区域的背面并与所述第二引线电连接的第二半导体芯片，将所述第一岛区域的背面与所述第二岛区域的表面至少局部重叠而配置，通过绝缘性树脂将所述第一岛区域、所述第二岛区域、所述第一引线的一部分以及所述第二引线的一部分密封。

【技术特征摘要】
JP 2006-3-29 091903/061.一种半导体装置，其特征在于，具有第一岛区域、一端与所述第一岛区域接近而配置的多个第一引线、设置在所述第一岛区域的上表面并与所述第一引线电连接的第一半导体芯片；第二岛区域、一端与所述第二岛区域接近而配置的多个第二引线、设置在所述第二岛区域的背面并与所述第二引线电连接的第二半导体芯片，将所述第一岛区域的背面与所述第二岛区域的表面至少局部重叠而配置，通过绝缘性树脂将所述第一岛区域、所述第二岛区域、所述第一引线的一部分以及所述第二引线的一部分密封。2.一种半导体装置，其特征在于，具有第一岛区域、与所述第一岛区域接近而设置有第一接合部的多个第一引线、设置在所述第一岛区域的上表面并与所述第一接合部电连接的第一半导体芯片；第二岛区域、与所述第二岛区域接近而设置有第二接合部的多个第二引线、设置在所述第二岛区域的背面并与所述第二接合部电连接的第二半导体芯片，在所述第一引线与相邻的所述第一引线之间配置所述第二引线，并且使所述第一引线的背面与所述第二引线的表面至少局部重叠，可通过绝缘性树脂将所述第一岛区域、所述第二岛区域、所述第一引线的一部分以及所述第二引线的一部分密封。3.一种半导体装置，其特征在于，具有第一岛区域、一端与所述第一岛区域接近而配置的多个第一引线、设置在所述第一岛区域的上表面并与所述第一引线电连接的第一半导体芯片；第二岛区域、一端与所述第二岛区域接近而配置的多个第二引线、设置在所述第二岛区域的背面并与所述第二引线电连接的第二半导体芯片，将所述第一岛区域的背面与所述第二岛区域的表面至少局部重叠而配置，在所述第一引线与所述第一引线之间配置所述第二引线，并且使第一引线的背面与第二引线的表面至少局部重叠，通过绝缘性树脂将所述第一岛区域、所述第二岛区域、所述第一引线的一部分以及所述第二引线的一部分密封。4.如权利要求2所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：猪爪秀行，福田浩和，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]