调平方法及半导体结构技术

本发明专利技术实施例公开一种调平方法及半导体结构，方法包括提供一包括弯曲结构的衬底，衬底的一侧具有阻挡层；在阻挡层上形成具有开口的隔离层，开口暴露出弯曲结构的阻挡层；对暴露的阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理。一方面，经本发明专利技术实施例的调平方法处理后的衬底，其平整度更佳。另一方面，本发明专利技术实施例的调平方法能够调整形变复杂的衬底，具有操作简单、灵活且适用范围广的优点。灵活且适用范围广的优点。灵活且适用范围广的优点。

【技术实现步骤摘要】
调平方法及半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体而言，涉及一种调平方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]晶圆形成后会形成翘曲变形。然而，相关技术中并未提出一种很好解决晶圆翘曲变形的方案，进而影响了芯片的加工。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种能够解决晶圆翘曲变形问题的调平方法。
[0004]本专利技术实施例还提供一种采用上述调平方法制作而成的半导体结构。
[0005]本专利技术实施例的调平方法，包括：
[0006]提供一包括弯曲结构的衬底，所述衬底的一侧具有阻挡层；
[0007]在所述阻挡层上形成具有开口的隔离层，所述开口暴露出所述弯曲结构的所述阻挡层；
[0008]对暴露的所述阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理。
[0009]根据本专利技术的一些实施方式，对暴露的所述阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理，包括：
[0010]对位于所述弯曲结构的凸起侧的所述阻挡层进行氢离子溢出处理。
[0011]根据本专利技术的一些实施方式，对位于所述弯曲结构的凸起侧的所述阻挡层进行氢离子溢出处理，包括：
[0012]利用激光照射所述弯曲结构的所述阻挡层。
[0013]根据本专利技术的一些实施方式，对位于所述弯曲结构的凸起侧的所述阻挡层进行氢离子溢出处理，还包括：
[0014]处理温度大于1100℃。
[0015]根据本专利技术的一些实施方式，对暴露的所述阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理，包括：
[0016]对位于所述弯曲结构的凹陷侧的所述阻挡层进行氢离子注入处理。
[0017]根据本专利技术的一些实施方式，对位于所述弯曲结构的凹陷侧的所述阻挡层进行氢离子注入处理，包括：
[0018]利用离子轰击所述弯曲结构的所述阻挡层。
[0019]根据本专利技术的一些实施方式，对位于所述弯曲结构的凹陷侧的所述阻挡层进行氢离子注入处理，还包括：
[0020]处理温度介于500℃～700℃。
[0021]根据本专利技术的一些实施方式，所述阻挡层的材料包括氧化硅或氮氧化硅。
[0022]根据本专利技术的一些实施方式，所述隔离层的材料包括氮化硅或碳氮化硅。
[0023]根据本专利技术的一些实施方式，提供一包括弯曲结构的衬底，所述衬底的一侧具有
阻挡层，包括：
[0024]提供一原始硅片，所述原始硅片包括翘曲结构；
[0025]在所述原始硅片上形成所述阻挡层，所述阻挡层覆盖所述翘曲结构，形成所述弯曲结构。
[0026]根据本专利技术的一些实施方式，对暴露的所述阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理之后，所述方法还包括：
[0027]去除所述阻挡层。
[0028]根据本专利技术的一些实施方式，提供一包括弯曲结构的衬底，所述衬底的一侧具有阻挡层，包括：
[0029]提供一基底；
[0030]在所述基底上形成所述阻挡层；
[0031]对所述基底和所述阻挡层进行降温处理后形成所述弯曲结构。
[0032]根据本专利技术的一些实施方式，所述基底为半导体基底。
[0033]根据本专利技术的一些实施方式，所述方法还包括：
[0034]去除所述隔离层。
[0035]本专利技术实施例的半导体结构，采用上述任一所述的调平方法制作而成。
[0036]上述专利技术中的一个实施例至少具有如下优点或有益效果：
[0037]本专利技术实施例的调平方法，通过采用开口暴露出弯曲结构，以及对弯曲结构的阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理的技术手段，使得本实施例的调平方法能够调整衬底的局部区域。一方面，经本专利技术实施例的调平方法处理后的衬底，其平整度更佳。另一方面，本专利技术实施例的调平方法能够调整形变复杂的衬底，具有操作简单、灵活且适用范围广的优点。
附图说明
[0038]图1示出的是本专利技术实施例的调平方法的流程图。
[0039]图2A至图2C示出的是采用氢离子溢出来调整平整度的原理图。
[0040]图3A至图3C示出的是采用氢离子注入来调整平整度的原理图。
[0041]图4A至4C示出的是本专利技术的调平方法调平第一实施例的衬底的示意图。
[0042]图5A至图5C示出的是本专利技术的调平方法调平第二实施例的衬底的示意图。
[0043]图6A至图6C示出的是本专利技术的调平方法调平第三实施例的衬底的示意图。
[0044]图7A至图7C示出的是本专利技术的调平方法调平第四实施例的衬底的示意图。
[0045]图8A至图8C示出的是本专利技术的调平方法调平第五实施例的衬底的示意图。
[0046]其中，附图标记说明如下：
[0047]11、氢离子
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12、孔隙
[0048]100、衬底
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101、弯曲结构
[0049]110、阻挡层
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200、隔离层
[0050]210、开口
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F1、拉力
[0051]F2、推力
具体实施方式
[0052]现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0053]如图1所示，图1示出的是本专利技术实施例的调平方法的流程图。本专利技术实施例的调平方法，包括：
[0054]步骤S102：提供一包括弯曲结构101的衬底100，衬底100的一侧具有阻挡层110；
[0055]步骤S104：在阻挡层110上形成具有开口210的隔离层200，开口210暴露出弯曲结构101的阻挡层110；
[0056]步骤S106：对暴露的阻挡层110进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理，以调平弯曲结构101。
[0057]本专利技术实施例的调平方法，通过采用开口210暴露出弯曲结构101，以及对弯曲结构101的阻挡层110进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理的技术手段，使得本实施例的调平方法能够调整衬底100的局部区域。一方面，经本专利技术实施例的调平方法处理后的衬底100，其平整度更佳。另一方面，本专利技术实施例的调平方法能够调整形变复杂的衬底100，具有操作简单、灵活且适用范围广的优点。
[0058]下面结合附图，对本专利技术实施例通过氢离子溢出/注入方式来调整平整度的原理进行说明。
[0059]如图2A至图2C所示，图2A至图2C示出的是采用氢离子溢出来调整平整度的原理图。如图2A所示，材料中的氢离子11溢出。如图2B所示，氢离子11溢出后，材料中出现大量孔隙12。如图2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种调平方法，其特征在于，包括：提供一包括弯曲结构的衬底，所述衬底的一侧具有阻挡层；在所述阻挡层上形成具有开口的隔离层，所述开口暴露出所述弯曲结构的所述阻挡层；以及对暴露的所述阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理。2.根据权利要求1所述的调平方法，其特征在于，对暴露的所述阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理，包括：对位于所述弯曲结构的凸起侧的所述阻挡层进行氢离子溢出处理。3.根据权利要求2所述的调平方法，其特征在于，对位于所述弯曲结构的凸起侧的所述阻挡层进行氢离子溢出处理，包括：利用激光照射所述弯曲结构的所述阻挡层。4.根据权利要求3所述的调平方法，其特征在于，对位于所述弯曲结构的凸起侧的所述阻挡层进行氢离子溢出处理，还包括：处理温度大于1100℃。5.根据权利要求1所述的调平方法，其特征在于，对暴露的所述阻挡层进行氢离子溢出和/或氢离子注入处理，包括：对位于所述弯曲结构的凹陷侧的所述阻挡层进行氢离子注入处理。6.根据权利要求5所述的调平方法，其特征在于，对位于所述弯曲结构的凹陷侧的所述阻挡层进行氢离子注入处理，包括：利用离子轰击所述弯曲结构的所述阻挡层。7.根据权利要求6所述的调平方法，其特征在于，对位于所述弯曲结构的凹陷侧的所述阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄凌艺，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：