沉积阴影掩膜保护的多层阴影掩膜结构及其制造和使用方法技术

本发明专利技术提供了一种多层阴影掩膜及其使用方法。所述多层阴影掩膜包括与沉积掩膜结合的牺牲掩膜。所述牺牲掩膜对沉积掩膜上蒸发物的累积提供保护以防止沉积掩膜变形。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于在基片上形成电子元件的阴影掩膜，更具体地讲，涉及一种用于真空沉积处理的多层阴影掩膜结构。
技术介绍
有源矩阵底板广泛使用在平板显示器中，用于将信号发送到显示器的像素从而产生看得见的画面。目前，经由光刻(photolithography)制造处理来形成平板显示器的这些有源矩阵底板，在市场中对越来越高的分辨率显示器的需要推动该光刻制造处理，而使用其它制造处理不能够形成这样的显示器。光刻是一种图案形成技术，该技术使用诸如紫外线(UV)辐射技术的电磁辐射来将沉积在基片表面上的抗蚀层进行曝光。用于产生有源矩阵底板的示例性光刻处理步骤包括涂覆光致抗腐蚀、预焙、浸泡、焙、对齐/曝光、洗印、冲洗、焙、沉积层、剥离抗腐蚀、擦洗/冲洗和干燥。可以看出，该有源矩阵制造处理包括多个沉积和蚀刻步骤，从而形成恰当的底板图案。在微电子制造领域中，真空沉积阴影掩膜处理已经使用多年。该真空沉积阴影掩膜处理与光刻处理相比，成本显著降低并且不复杂。因此，通过使用更有成本效率的真空沉积阴影掩膜处理而非高成本的光刻处理来开发制造大面积显示器的底板的方法是更加有益的。在阴影掩膜真空沉积处理中，通过每个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层阴影掩膜，包括：　　　　沉积掩膜，其具有至少一个通孔；以及　　　　牺牲掩膜，其具有至少一个通孔，其中：　　　　所述牺牲掩膜与所述沉积掩膜结合在一起，所述牺牲掩膜的所述一个孔与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐；并且　　　　所述牺牲掩膜与所述沉积掩膜以一种方式结合，所述方式为：紧挨着其一个孔，所述牺牲掩膜自由离开所述沉积掩膜以在它们之间形成间隙。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-11-23 10/996,1421.一种多层阴影掩膜，包括沉积掩膜，其具有至少一个通孔；以及牺牲掩膜，其具有至少一个通孔，其中所述牺牲掩膜与所述沉积掩膜结合在一起，所述牺牲掩膜的所述一个孔与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐；并且所述牺牲掩膜与所述沉积掩膜以一种方式结合，所述方式为紧挨着其一个孔，所述牺牲掩膜自由离开所述沉积掩膜以在它们之间形成间隙。2.如权利要求1所述的多层阴影掩膜，其中，响应于在所述牺牲掩膜上材料的累积，紧挨着其一个孔，所述牺牲掩膜离开所述沉积掩膜并且在它们之间形成间隙。3.如权利要求1所述的多层阴影掩膜，其中，所述沉积掩膜和所述牺牲掩膜由相同材料形成。4.如权利要求3所述的多层阴影掩膜，其中，所述沉积掩膜的所述一个孔和所述牺牲掩膜的所述一个孔的尺寸和形状相同。5.如权利要求1所述的多层阴影掩膜，其中，所述沉积掩膜和所述牺牲掩膜由不同材料形成。6.如权利要求5所述的多层阴影掩膜，其中，所述沉积掩膜的所述一个孔和所述牺牲掩膜的所述一个孔具有不同的尺寸。7.一种阴影掩膜沉积方法，包括步骤(a)提供具有至少一个通孔的沉积掩膜；(b)提供具有至少一个通孔的牺牲掩膜；(c)以使得所述牺牲掩膜的所述一个孔与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐的彼此接触的方式和紧挨着其一个孔所述牺牲掩膜自由离开所述沉积掩膜的方式，将所述牺牲掩膜和所述沉积掩膜进行结合；(d)将与所述牺牲掩膜相对的所述沉积掩膜的表面定位为与基片的表面相接触；以及(e)在经由与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐的所述牺牲掩膜的所述一个孔暴露的基片的表面上以及与所述沉积掩膜相对的所述牺牲掩膜的表面上沉积材料，从而响应于在所述牺牲掩膜上沉积的材料的累积，紧挨着其一个孔，所述牺牲掩膜离开所述沉积掩膜并且在它们之间形成间隙。8.如权利要求7所述的方法，其中，响应于在所述牺牲掩膜上沉积的材料的累积，紧挨着其一个孔，所述沉积掩膜相对所述基片保持固定。9.如权利要求7所述的方法，还包括每次使用不同基片将步骤(d)和(e)重复多次。10.如权利要求9所述的方法，还包括步骤(f)使与所述牺牲掩膜相对的所述沉积掩膜的表面与所述基片的表面脱离接触；(g)将所述牺牲掩膜与所述沉积掩膜分离；(h)提供具有至少一个通孔的新的牺牲掩膜；(i)以所述新的牺牲掩膜的所述一个孔与所述沉积掩膜的所述一个孔对齐的彼此接触的方式以及紧挨着其一个孔所述新的牺牲掩膜自由离开所述沉积掩膜的方式，将...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗里W康拉德，
申请(专利权)人：阿德文泰克全球有限公司，
类型：发明
国别省市：VG[英属维尔京群岛]