CMOS图像传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种ＣＭＯＳ图像传感器，包括感光区和外围电路区，所述感光区和外围电路区的元件或器件通过两层金属连线相连接。本发明专利技术可有效减小入射光线的传输距离，降低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种CMOS图像传感器。
技术介绍
现阶段，在图像传感器领域，CCD(电荷耦合器件)和CIS(CMOS图像传感器)并存。它们各有优缺点，CCD信噪比高，图像品质好，但是耗电高，不易集成，制造成本高；CIS耗电少，易集成，成本低，但是图像品质不如CCD。随着CIS技术的长足进步，它的图像品质不断提高，渐渐接近了CCD，甚至有可能超越CCD。因此，CIS大有取代CCD的趋势。在现有的CIS产品中，各集成电路制造厂商设计和工艺不尽相同，但是有一点是共同的，那就是金属层布线都不少于三层。对于感光区，从芯片表面到感光表面的距离比较大。这就使得入射光线必须经过一个较长的路程才能被感光区吸收，不仅使光线的衰减较大，而且使芯片的CRA(Chief Ray Angle，主光线与成像面法线方向的夹角)不能太大，妨碍了图像传感器的广泛应用。并且，三层金属使光罩数量较多，成本较高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种CMOS图像传感器，它可有效减小入射光线的传输距离，降低成本。为解决上述技术问题，本专利技术所述的CMOS图像传感器包括感光区和外围电路区，其中所述外围电路区的元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣＭＯＳ图像传感器，包括感光区和外围电路区，其特征在于：所述外围电路区的元件或器件通过两层金属连线相连接。

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器，包括感光区和外围电路区，其特征在于所述外围电路区的元件或器件通过两层金属连线相连接。2....

【专利技术属性】
技术研发人员：孟庆，赵立新，董建民，徐春花，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]